首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
镁合金因其良好的性能得到广泛的应用,但其较差的耐蚀性限制了其应用范围.从AZ61镁合金在NaCl溶液中的腐蚀形貌和腐蚀速率着手,研究了腐蚀时间和NaCl浓度对AZ61镁合金腐蚀行为的影响.实验表明,随着腐蚀时间的延长,AZ61镁合金的腐蚀速率减小.随着氯化钠浓度的增加,相同时间内AZ61镁合金的腐蚀速率增加,腐蚀程度加重.这主要是由于溶液中的Cl-破坏镁合金表面形成的保护膜,高的Cl-浓度加速镁合金腐蚀的缘故.  相似文献   

2.
针对复合钢板坩埚在镁合金生产过程中,内层被镁合金液腐蚀严重的现象,设计了浸泡试验,对2Cr13与Q235的耐镁合金液腐蚀性能进行了比较。结果表明,Q235在镁合金液中很快就被腐蚀形成1个腐蚀层,由于腐蚀层上存在大量的裂纹,对扩散过程不能有效抑制,使得腐蚀过程不断进行;而2Cr13在浸泡72h后,仍然保持很好的稳定性,是一种很好的替代材料。  相似文献   

3.
本文主要通过微弧氧化工艺优化了AZ31B镁合金的腐蚀性能。在硅酸盐电解液里边,通过改变微弧氧化频率、占空比、电流密度、微弧氧化时间做了四因素三水平的正交实验,发现当频率为1000Hz、占空比为20%、电流密度为1.2A、时间为10min时,膜层自腐蚀电位最低。相较于镁合金基体,自腐蚀电位增加了522mV,极大的降低了镁合金自发性腐蚀的倾向性,因此提高了AZ31B镁合金的耐蚀性。  相似文献   

4.
采用自建的模拟酸雨喷淋装置以及光学显微镜、三维数字显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪等探讨了AZ91D镁合金在模拟酸雨环境中的腐蚀规律和机理。结果表明:合金中α相受到严重的腐蚀,而β相由于铝含量较高,腐蚀较轻;腐蚀区域可以划分为弱腐蚀区和强腐蚀区;镁合金表面在腐蚀初期形成腐蚀坑,主要由镁合金基体的溶解所产生,随着腐蚀的进行,针状产物覆盖在表面上,蚀孔内部形成闭塞区域,产生了闭塞电池自催化过程。  相似文献   

5.
为解决镁合金在工程应用过程中的腐蚀问题,按照工况条件制作了镁合金试验件,并在试验件上分别制备了微弧氧化电泳层和微弧氧化电泳有机涂层。通过试样的盐雾试验和静载试验,得出下述结论:微弧氧化电泳层在不被破坏的前提下,可以保护镁合金不受腐蚀;但在工况条件下,由于过盈配合等原因,不可避免地会破坏微弧电泳层,导致镁合金腐蚀。研究表明,在微弧氧化电泳层上制备有机涂层,既能有效保证微弧氧化电泳层不被破坏,又可在实际工况条件下保护镁合金不受腐蚀。  相似文献   

6.
通过中性盐雾腐蚀试验,对镁合金化学氧化和微弧氧化后表面膜层的耐蚀性能进行了比较。结果表明,镁合金经过化学氧化和微弧氧化后,耐蚀性能均有提高,但是微弧氧化后镁合金表面形貌要优于化学氧化,从微观结构解释了不同膜层腐蚀形式不同的原因。  相似文献   

7.
不同表面处理对AZ91D镁合金耐蚀性的影响研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过中性盐雾腐蚀试验,对镁合金化学氧化和微弧氧化后表面膜层的耐蚀性能进行了比较。结果表明,镁合金经过化学氧化和微弧氧化后,耐蚀性能均有提高,但是微弧氧化后镁合金表面形貌要优于化学氧化,从微观结构解释了不同膜层腐蚀形式不同的原因。  相似文献   

8.
为了研究磁场对船用镁合金在海水中腐蚀及极化行为的影响,采用恒电位极化测试和动电位极化测试对AZ31B在模拟海水中的电流密度和自腐蚀电位进行了研究。结果表明:加入磁场后,可以改变AZ31B镁合金自腐蚀状态,降低了电流密度,提高了材料的耐腐蚀性。  相似文献   

9.
着重研究了压铸镁合金AZ91D在浓度为0.6 mol/L的NaCl、NaNO3、Ca(NO3)2、Mg(NO3)2、MgSO4、Na2SO4等不同溶液及雨水中的腐蚀行为.采用失重法研究腐蚀速率,用金相显微镜和SEM观察表面形貌,用XRD分析腐蚀后相组成,得到了不同离子对失重率、腐蚀速率以及腐蚀产物和表面形貌的影响,对研究镁合金的腐蚀行为有着重要的意义.  相似文献   

10.
镁合金磁控溅射镀铝耐蚀防护层研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在AZ31镁合金表面进行了磁控溅射铝防护层的镀覆,并研究了镀层的成分分布、形貌、显微力学性能、防腐蚀性能及工艺条件对镀层的影响。结果表明:直径为1~2μm的细小晶粒均匀在镁合金基体表面沉积形成致密铝镀层,镀层和基体之间存在混融的过渡层;镀层表面粗糙度在2μm以下并与基体结合良好,其硬度、弹性模量等高于镁合金基体并具有一定韧性和弹塑性能;适当降低氩气压力,提高溅射电流,可改善镀层质量。镀层提高了镁合金基体的自腐蚀电位并降低了腐蚀电流,从而抑制了腐蚀倾向,但自腐蚀电位低于热喷涂铝电位且腐蚀电流高于微弧氧化处理电流。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号