CaO-In_2O_3的制备∥结构表征∥气敏性能研究

采用共沉淀方法,以一定摩尔比的可溶性钙盐和铟盐为源物质,以氢氧化物作为沉淀剂,制备出了CaO-In2O3复合氧化物粉末。借助差热-热重(DTA-TG)分析可知CaO-In2O3的热变化过程,即在248℃附近由氢氧化物前驱物分解成氧化物,在340℃附近是氧化物的相转变,340℃以后为两氧化物的化合。利用X-射线衍射(XRD)分析知CaO-In2O3的晶体结构为立方结构。对CaO-In2O3的气敏性能研究表明,由CaO-In2O3粉体制成的旁热式厚膜气敏元件无需掺杂,对丙酮、乙醇、乙酸具有较高的灵敏度。     

ZnIn2O4的制备、结构表征与气敏性能

采用共沉淀方法,以一定摩尔比的可溶性锌盐和铟盐为源物质,以氢氧化物作为沉淀剂,制备出了具有尖晶石结构的ZnIn2O4复合氧化物粉末.借助差热-热重(DTA-TG)分析可知ZnIn2O4的热变化过程,即在248℃附近由氢氧化物前驱物分解成氧化物,在340℃附近是氧化物的相转变,340℃以后为两氧化物的化合.利用X-射线衍射(XRD)分析知ZnIn2O4的晶体结构为尖晶石结构.对ZnIn2O4的气敏性能研究表明,由ZnIn2O4粉体制成的旁热式厚膜气敏元件无需掺杂,对乙醇、丙酮、氢气具有较高的灵敏度.     

Fe2O3/ZnO复合氧化物气敏元件的制备与性能

以Fe2O3和ZnO为原料,直接混合烧结制得7种不同烧结温度和原料配比的Fe2O3/ZnO复合氧化物元件,并对其进行气敏性能测试,结果发现:不同烧结温度和原料配比的Fe2O3/ZnO复合氧化物元件对不同的气体有不同的气敏性,烧结温度为800℃,Fe2O3∶ZnO摩尔比为0.5∶1的气敏元件对硫化氢具有较好的气敏综合性能.     

NiFe2O4纳米材料的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和NiCl2*6H2O为原料,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2O4粉体,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性.NiFe2O4是一种新型的P型半导体气敏材料.以NiFe2O4纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性,并对气敏机理给予了解释.     

超细MgFe_2O_4复合氧化物的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和MgCl2·6H2O为材料,用新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的复合金属氧化物MgFe2O4粉体。将样品做成厚膜型气敏元件,测定了其对乙醇、甲醛、丙酮、甲苯、苯氨气、石油醚等还原(可燃)性气体的气敏特性。测试显示:700℃下,热处理1h,所得纳米微粉制作的元件在300℃工作温度下对丙酮有较高灵敏度和良好的选择性,并对气敏机理给予了解释。     

复合氧化物Fe2O3-SnO2 的气敏特性研究

1962年清山哲郎提出ZnO薄膜的气敏特性后,研究目标较集中于以ZnO,SnO_2,γ-Fe_2O_3和α-Fe_2O_3为基质的氧化物半导体陶瓷材料,并已有商品出售.氧化铁基气敏材料与氧化锌、氧化锡相比,它有无需添加贵金属催化剂便可达到实用气敏灵敏度的优点.我们也曾从催化活性、磁学性能和气敏特性等方面,对α-Fe_2O_3基气敏材料的气敏机制进行了研究,得到满意的结果.本文旨在探讨α-Fe_2O_3-SnO_2配比和氧化铁粒度与气敏性能间关系,并且也浅析了气敏机制,以期为此复合材料实用化提供依据.     

Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

均匀共沉淀法制备掺锡α-Fe2O3粉体及其气敏性能研究

采用分析纯Fe2(SO4)3和NH3·H2O为主要原料,控制不同的Fe3 浓度、Sn4 : Fe3 、溶液pH值及烧结温度,利用均匀共沉淀法制备了掺锡α-Fe2O3粉体,并用厚膜工艺将粉体涂于云母基片上制成了高灵敏度甲烷气敏元件.利用XRD对粉体成分及结构分析后发现,部分Sn4 以类质同象的方式代替了α-Fe2O3晶格中的Fe3 ,改变了α-Fe2O3的晶胞参数;通过测试元件在不同温度下对800×10-6甲烷的气敏性能,结果表明,掺锡提高了α-Fe2O3的气敏性,且得到了制备掺锡α-Fe2O3甲烷气敏材料的最佳参数.     

SnO2-La2O3复合膜/玻璃光波导气敏元件与性能研究

研制了掺有不同质量分数La2 O3的SnO2复合薄膜,并测定了该薄膜和各种挥发性有机物饱和蒸气接触前后的的吸光度变化,其中含有3.0%La2O3的SnO2薄膜在氯苯蒸气气氛中的吸光度变化较大.选用3.0%La2O3的SnO2复合薄膜作为敏感试剂固定在Sn掺杂玻璃光波导表面,研制出一种光波导气敏元件,并对氯苯蒸气进行了检测.室温下该敏感元件对于体积分数为4×10-6的氯苯蒸气有很明显响应.     

Zn2+掺杂WO3基气敏材料的制备及气敏性能研究

通过加热分解钨酸制备的WO3与Zn(NO3)2溶液超声分散,制备出了掺杂Zn2 的WO3基气敏材料。研究了Zn2 掺杂对WO3气敏材料性能的影响。结果发现,Zn2 掺杂WO3基传感器对H2S有较好的气敏性能,在常温下对极低浓度(5×10-6)H2S也有很高的灵敏度(56),适量掺杂可以提高其灵敏度,Zn2 掺杂n_Zn~(2 )/n_W=2%的WO3基传感器的灵敏度最大,对50×10-6H2S在200℃灵敏度可达1800。通过X-射线衍射仪(XRD),比表面测定仪(BET)对材料进行了表征,比表面积范围介于2.5～3.5m2/g之间。结合有关理论,对元件气敏现象及机理进行了解释。     

氧化铟纳米材料的制备及其在气体传感器中的应用

评述了氧化铟纳米材料的各种制备方法的优缺点,包括溅射法、激光烧蚀法、溶胶凝胶法、化学气相沉积法、均匀沉淀法、微乳液法、模板法等.对氧化铟半导体材料在气体传感器中的应用做了简单介绍,包括它作为CO、NO2、O3、H2等气体传感器的应用现状.     

Fe_2O_3基陶瓷的气湿敏特性

论述了由不同制备工艺获得的Ｆｅ２Ｏ３陶瓷及各种添加剂下表面羟基和吸附氧的形成和性质，分析了表面羟基和吸附氧的酸碱性对气湿特性的影响。     

纳米ZnFe2O4的制备及其气敏性能研究

采用柠檬酸盐热解法制备出纳米ZnFe2O4粉末,其物相纯净,颗粒分散性好,尺寸小于50 nm.实验结果表明,ZnFe2O4晶粒生长随焙烧温度升高存在两个生长阶段,即快速生长I区和正常生长II区.随着烧结温度的升高,厚膜元件电阻快速下降.ZnFe2O4厚膜元件对苯及其衍生物蒸汽有较高的敏感度,且存在最佳工作温度和最佳烧结温度,分别为360℃和500℃.     

In_2O_3基气体传感器研究现状

氧化铟作为一种新的气敏材料,有望在一定程度上解决现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题。因此,按照被检测气体的种类,从In2O3的气敏材料制备及气敏性能两方面对现有性能较好的In2O3气体传感器进行了评述,并指出了In2O3基半导体气体传感器的发展方向。     

Fe_2O_3-MgO(K_2O)陶瓷湿敏特性的研究

报导了不同含量的MgO、K_2O掺杂对Fe_2O_3为基的陶瓷材料湿敏特性影响的研究结果.确定了使材料湿敏特性得到很大改善的掺杂含量.并通过XRD、SEM的分析,对其感湿机理进行了讨论。还报导了环境温度变化对材料湿敏特性的影响情况.     

高选择性γ—Fe2O3LPG元件的研制

利用共沉淀法合成了γ－Ｆｅ２Ｏ３敏感基料，通过Ｃｒ２Ｏ３的掺杂研制出具有高选择性，灵敏度，抗湿性和稳定性的ＬＰＧ气敏元件     

纳米Al2O3对催化传感器稳定性的影响

采用碳热还原法制备催化传感器的载体Al2O3,呈纳米带的结构,使催化传感器灵敏度的稳定性得到明显的提高.分析其原因主要有两点,第一是制备的Al2O3具有材料一致性好,载体的孔径适中,粒度分布合理,比表面适当等特点,使催化剂Pt和Pb在载体表面的分布均匀;第二是纳米结构的Al2O3载体密实性好,强度高,抗烧结能力强,表面积稳定.催化传感器在长时间工作中灵敏度衰减的主要原因是载体表面积在高温条件下的变化和催化剂在载体表面的迁移,纳米结构的Al2O3较好地阻止了这种现象的发生,因此提高了催化传感器灵敏度的稳定性.