离子束和电子束对SnO_x超微粒子薄膜表面特性的影响

本文讨论了用AES分析SnO_x超微粒子薄膜表面的有关问题。观察分析了成分和导电性不同的样品经离子束轰击清洗表面后,在AES的探针电子束连续轰击下,表面俄歇信号的峰形变化。利用SEM观察比较了离子束和电子束轰击区域和非轰击区域的图像。并与热退火样品作了对比。结果显示,轰击区域超微粒子薄膜的表面形貌变化很大,平均粒径显著增加。     

AES定量分析中离子溅射修正的实验研究

在俄歇电子谱(AES)定量分析中,离子溅射是最常用的表面清洁手段。我们在常规的实验条件下,用AES分析了AgCu、NiCr、CuZa和TiMo合金经低能Ar~+离子轰击后表面成分的变化。用不同的离子溅射理论修正关系修正后发现,在减小离子诱导偏析和增强扩散的条件下,采用Shimizu的修正关系和Sigmuad的级联溅射产额比关系可得到误差较小的定量分析结果。文中对各种修正理论的误差进行了讨论,认为提出的修正措施及方法对实际定量AES分析精度的提高具有一定的意义。     

离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs：Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。     

离子轰击铜-镍合金影响层的研究

利用最小二乘法计算机拟合法,研究了铜-镍合金在离子轰击下,其表面铜、镍元素的浓度变化。表面分析用扫描俄歇微探针PHI-590型进行。研究证明:在影响层内元素的分布是不均匀的,影响层厚度大于15(?)A,并且这种不均匀的分布随轰击离子能量变化而变化。在停止轰击的40分钟内,未见表面元素变化。从铜-镍合金的俄歇谱分析可知,合金能带的刚性能带理论并不适合本研究系统。     

离子溅射合金表面组份再分布的模拟计算

离子溅射合金和化合物后会引起表面成分的再分布。根据 Kelly 的理论分析观点,综合考虑了择优溅射(PS),离子辐照诱导偏析(RIS)和辐照增强扩散(RED)效应,得到了合金表面成分变化的基本关系。用此分析关系对 Au—Cu、Cu—Ni 合金离子轰击后表面成分的变化、Au—Pd 和 Cu—Ni 合金离子轰击后的 X 射线光电子谱、俄歇电子谱的分析结果进行了模拟计算,计算结果与实验完全吻合。通过分析计算认为,离子辐照增强扩散系数的大小对表面成分的变化有很大的影响。初步计算得到的增强扩散激活能约为0.09eV,与实验结果(0.06eV)相一致,约为通常热扩散激活能的二十分之一。     

表面成分AES和XPS定量分析中的离子溅射修正

低能离子溅射是表面分析中清洁固体表面和深度剖面分析的主要手段之一。由于离子溅射改变了固体表面化学成分，引起表面成分的再分布，使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段，对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。本文以离子溅射合金表面成分达到平行时择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散效应之间动态平衡状态的假设为基础，得到了一个与择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散修正因子有关的离子溅射修正因子的分析表达式，并将其应用于Ag－Pd合金的离子溅射定量修正计算，发现计算结果能够与实验结果较好地吻合。解释了合金离子溅射修正因子随离子参数的变化。     

CrMo合金膜的俄歇线形分析

对Ar气氛下射频溅射所镀铬钼合金膜，采集不同组分配比的俄歇电子能谱，经平滑、扣除本底处理，得出随铬钼相对比例改变的变化规律。根据俄歇电子跃迁的准原子模型，对谱峰进行曲线拟合，得出铬钼合金膜并非铬钼的单纯机械混合，其外层电子发生了某种转移，利用高斯曲线对所得俄歇谱拟合后，对每个俄歇峰按成分比进行面积归一化，细致分析后得出钼的N_(23)轨道电子数增多，钼的M_(45)，N_1，N_(23)和价带发生变化及移动，并且有一些3d电子从Cr转移到Mo的4d轨道上。而且运用带非负约束的退卷积和退自卷积等新的分析方法，首次利用AES获得了几种不同配比CrMo合金膜的价带态密度分布。     

电子束诱导表面组份变化的俄歇分析

本工作主要研究了超高真空环境中(5×10~(-10)Torr)多晶Al、Mo、Cu表面在3keV电子束轰击下,表面组份的变化。通过检测俄歇峰高随电子的轰击所发生的变化,对表面组份在电子轰击下所发生的变化进行了观察,并对这些变化的机理进行了探讨。     

GGr15钢表面镀Ti、Cr后N~ 、A_r~ 束混合的电子能谱法研究

利用PHI—550型多功能电子谱仪对GCr15钢镀Ti、Cr后用N~ 及Ar~ 和N~ 轰击过的样品进行了AES、AES—PRO(俄歇部面)及ESCA分析研究。结果表明:(1)GCr15钢镀Ti、Cr后,用N~ 轰击,氮的注入效果明显,混合效果不明显,轰击可不同程度地改善镀层同基体的结合;用Ar~ 轰击则混合效果较明显,注入效果不明显。对表面改性来说,前者效果好,后者效果不理想。(2)改性与样品表层生成的TiO_2、TiN、TiG;Cr_2O_3、CrN等成分有关,C的存在对GCr15钢的表面改性有益。     

高温光电倍增管铜铍合金电极的表面分析

本文用PHI-550电子能谱仪对高温光电倍增管的铜铍合金电极作了俄歇表面分析和扫描俄歇照相。实验发现铜铍表层在经过碱金属高温处理后,组分、结构发生了变化。个别样品出现异常情况:铍在不同深度上富集。承受电子轰击的末级发射体(D_(11))经常出现减薄趋势。     

可伐合金表面杂质分析

用共振光电子出现电势谱(RPAPS)对真空封接用可伐合金的表面进行了分析,并与俄歇电子谱(AES)和X射线光电子谱(XPS)进行比较。发现RPAPS可容易地分辨出杂质锰和铬,而AES和XPS则不能。由此可见RPAPS可能是一种重要的分析合金表面杂质的工具。     

俄歇电子能谱仪高能量分辨率的获得

一、引言 俄歇电子能谱仪(以下简称俄歇谱仪)是本世纪六十年代末出现的表面分析仪器。主要用于表面几个原子层内组成元素的定性、定量、价态和能级密度分析。它利用一束低能电子辐照固体,使其表面发射背散射 电子,随后分析其中的俄歇电子和等离子损失电子的能量和数量,获得上述信息。 由于有些元素俄歇电子能量相差很小, 浓度、价态和能级密度变化引起上述两种电子能量和数量的变化一般也较小,因此要求俄歇谱仪有较高的能量分辨率(以下简称分 辨率)。 俄歇谱仪的分辨率以试样表面发射的某一能量电子在N(E)～B(电子数量～能量)曲线上形成的…     

低能氮离子轰击对HCD离子镀Ti膜层的影响

采用ｘ－ｒａｙ衍射、电子衍射、电子探针、二次离子质谱及俄歇电子能谱等分析方法研究了低能氮离子轰击对不锈钢基材上 ＨＣＤ离子镇 Ｔｉ膜层的组成，结构及界面状态的影响。结果表明，轰击后膜层的化学组成和结构以及界面状态均发生了较大变化．在较低的基体温度下，Ｎ元素就能够渗入 Ｔｉ膜层并与之反应形成 Ｔｉ、Ｎ或 ＴｉＮ相。在适当的轰击电压下，Ｎ元素能够渗入基体，促进界面反应生成 Ｆｅ２Ｔｉ或 ＦｅＴｉ界面相，可见。低能离子轰击对于激活化学反应，降低沉积温度并改善膜基界面结合强度是十分有益的。     

电子诱导表面化学态变化的俄歇分析

本工作主要研究了超高真空环境中(6.7×10~(18)Pa)多晶Al、Mo、Cu表面在3keV能量电子束的轰击下,表面化学态的变化。利用AES(俄歇电子能谱)中的一些化学态讯息,对电子诱导表面化学态变化的过程进行了观察,并对这些变化的机理进行了探讨。     

覆氧条件下砷化镓表面二次离子发射机理的研究

研究了高真空分析室中砷化镓表面覆氧对二次离子产额的影响。通过 X 射线光电子谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)、俄歇电子谱(AES)研究比较了室温下长期暴露大气的砷化镓、高真空分析室中充氧后砷化镓表面以及离子轰击条件下砷化镓表面上氧的化学状态。并对覆氧对二次离子产额的作用机理进行了探讨。     

急冷凝固FGH96合金粉末颗粒表面成分及预热处理对凝固组织的影响研究

对氩气雾化（AA）FGH96合金不同粒度急冷粉末颗粒表面进行俄歇电子能谱（AES）分析,对不同温度下进行预热处理粉末中碳化物的演变行为进行了研究,并讨论了粉末颗粒表面成分和预热处理时碳化物变化和转变的关系。结果表明：不同粒度FGH96合金原始粉末颗粒表面存在不同厚度C、O和Ti元素的污染层;经预热处理,粉末颗粒中MC＇型亚稳碳化物发生分解和转变,析出稳定MC、M23C6及M6C型碳化物,明显改变粉末颗粒内碳化物的稳定性和分布状态。     

非晶Ni-Zr合金的催化活性及表面研究

本文在乙炔加氢反应中,对非晶Ni_(63)Zr_(37)合金催化剂及部份非晶Ni_(63)Zr_(32)La_5合金催化剂的活性进行了考察。着重分析了预处理对非晶合金催化活性的影响,并以x-射线衍射(XRD),比表面积测定(B.E.T.),俄歇电子能谱(AES)及X-射线光电子能谱(ESCA)等方法,对原始非晶合金及经过预处理的非晶合金的整体及表面状况进行了研究。结果表明,在经过表面酸洗、真空加热(轻微氧化)及氢气还原预处理的非晶合金表面,形成主活性组份Ni与ZrO_2、La_2O_3氧化物高度弥散分布的结构,同时比表面积大幅度扩大,从而使该种合金呈现良好的催化活性。     

关于Ni-W-Mg和Ni-Mg合金表面Mg的富集问题

我们用低能氩离子(2keV)对于没有经过热处理的氧化物阴极基金属Ni-W-Mg合金以及含镁量较高的Ni-Mg合金进行了剥层,并用PHI 550俄歇电子能谱仪对经过不同剥层时间间隔的样品表面进行了分析。从各元素的俄歇电子能谱可以看出,在上述合金样品表面存在有镁的富集层。本文就Mg富集形成的原因,进行了有关实验,并且作了讨论。     

氧化物阴极基金属的表面分布

为进一步探讨阴极失效的原因,揭示氧化物阴极的发射本质,我们用PHI—550俄歇电子能谱仪对没有经过热处理的氧化物阴极基金属Ni-W-Mg合金以及经过热处理的Ni-W-Mg合金进行了分析。测得的各元素的俄歇电子能谱(AES)和俄歇剖面(AES-PRO)曲线图的结果表明,在上述合金样品的表面存在镁的富集层,而富集的浓度高于体内的平均浓度。同时还发现存在氧的富集层和一贫钨区。此外,为选择合适的基金属处理工艺条件提供了有用的信息。     

低能离子束沉积形成的Ag/Si薄膜

本文介绍了由低能离子束沉积形成薄膜的方法,并讨论了这种方法的特点。简单介绍了低能离子束装置,详细讨论了由此装置产生的低能银离子束在单晶硅衬底上沉积的Ag/Si薄膜特性,以及离子束能量对硅衬底表面状态和薄膜结晶特性的影响。沉积的薄膜结晶特性由X射线衍射、背散射沟道技术和反射电子衍射进行了分析;并用俄歇电子能谱,背散射沟道技术和反射电子衍射分析了低能离子束轰击后的硅衬底表面状态。