不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_on 7%、降低SS 3%、同时对I_off以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极 TFT 特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。     

ADS模式低存储电容像素设计

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低C_(st)。本文采用一种双条形电极ADS结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成ADS结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低ADS模式C_(st)的目的。模拟结果表明:当ADS显示模式采用Dual Slit ADS设计时,像素的C_(st)可以下降30%~40%。实验结果表明:采用Low Cst Pixel ADS设计时,VGH Margin可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%。     

TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究

本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TFT的电学特性。建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低ITO成分的污染和提高产品的电学性能。     

塑料基底a-Si∶H TFT制备技术

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7~8.8×10-6S/cm;n+a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能:Ioff≈1×10-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/(V.s),S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。     

TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究

氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用。在高厚度(尤其是大于70nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度。本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值。     

a-SiTFT/PIN图像传感器件

在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN的光电转换率可达 18.1n A/lx,a- Si TFT/PIN有较好的线性度     

a－Si TFT LCD像素电压跃变效应及其补偿方法

ａ－ＳｉＴＦＴＬＣＤ技术的进展正在加快，但也仍然存在一些影响提高图像质量与拓宽应用领域的问题。最严重的问题之一是ａ－ＳｉＴＦＴ各个电极上电压的失真，本文旨在讨论其像素电极电压跃变效应及其补偿方法。     

AM－LCD用TFT有源矩阵的性能研究

ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的最新进展。     

a-Si厚度对TFT开关特性的影响

通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好,a-Si剩余厚度小于33%之后,TFT的电学特性变差,即工作电流变小,阈值电压变大,迁移率变小。     

低缺陷TFT—LCD研究

综合报道南开大学光电子所为提高ＴＦＴ矩阵性能与图形完整性方面所做的第列研究工作。它包括材料及器件优化研究，冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用ＳｉＮｘ／ａ－Ｓｉ界面的氢经处理，Ａｌ：Ｔｉ栅金属及其Ａｌ／Ｔａ，Ａｌ２ｏ３／ＳｉＮｘ双绝缘层，低温致密ＩＴＯ及Ａｌ腐蚀相容性工艺以及ＴＦＴ动态特性研究等手段，所研制的２００×１５１象素的ＴＦＴ国可基本消除线缺陷仅存少量点缺陷。     

含非晶硅薄膜晶体管和液晶象素单元的电路模拟程序

本文主要介绍了一个适用于计算机模拟的非晶硅薄膜晶体管(TFT)和液晶象素单元的电路模拟程序。