用InO3薄膜制成的高感度半导体O3传感器

用& ? ( ??% 。作敏感膜研制出小型固态高感度?? ) ? ? ) +, +?+. / % ?? ?? 义?? 一0 一? 又?? 一1 % ? ! 传感 器 研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响, 发现2 3 4 ?? 2 5 )6 7 8. +6 ? 39 9? : . 4 7; ? ) +). 67 % 型? ! 传感器具有灵敏的响应特性 并分析了薄膜表面的化学吸附及其对 薄膜电导的影响, 以及2 3 4 作用对? ! 非常敏感的物理机制 关键词< = 传感器高感度& ? ( < ! 薄膜化学吸附德拜长     

DrugFET的研究(Ⅵ)——硅钨酸-普鲁卡因FET的研制与应用

本研究是将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药敏感膜相结合,而研制成的一种对普鲁卡因有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET).它是一种以硅钨酸为电活性物质,制成的PVC膜ISFET.对盐酸普鲁卡因响应的线性范围是1.0×10~(-1)—3.0×10~(-5)mol/L,斜率为57.5mV/pC(C:mol/L),检测下限为1.0×10~(5)mol/L.适宜pH范围为3.0~8.0.利用该传感器分析盐酸普鲁卡因注射液的含量分析结果和药典方法相一致.     

Al-Beta-Al2O3固体电解质SOx 气体传感器

本文报道了, 采用? + 十一刀,, 一? ??! % ? 的银离子交换获得以银离子为导体的固体 电解质。以金属银为固体参比电极, 多孔铂为工作电极而制成原电池型全固态&% ? 气 体传感器. / 0 , ? # ,? # ? 一口1’ 一? ??! % ? 】2 3 4 3 5 6 / 0 , &% ? , % . , 7 0 并分别以动态和静态方式评价系统对片状和管状两种形式传感器元件的测试结果。研究 表明, 在8 9 ℃ 至:9 9 ℃ 区间, 当; 9 . 浓度为??9 < ??9 / = 时, 元件的气敏响应与理论位 相当符合, 动态响应时间小于1 = >? 。 经优化设计, 该传感器有良好的热力学稳定性, 克服了以往体系的缺点, 可望研制 开发为实用、灵敏 、快速的&% ? 传感器     

CeCaF固体电解质氧传感器的研究

本文研究了! ? 。# 。。! % 。# 。。& 。) 二 固休电解质及其氧传感器的制备和性质。 在??? + ℃ 时, , 。? 在?? +. / 一?? + 一‘ 0 , % 范围内传感器件的电位变化正比于, 。? 的对数位。 同时研究了不同参比电极和敏感电极对传感性能的影响。以12 3 14 & ? 为参比电极时, 5 0 & 值稳定较快, 当,6 作为敏感电极时, 传感元件的响应较快多以7 8 9 ? 作敏感电极 时, 传感器件较灵敏。文章还讨论了敏感机理。     

基于ISFET 的克咳敏传感器的研究

本文报道了一种测定克咳敏的新方法 ,用硅钨酸作为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 ,测定克咳敏的线性范围为 5 .0× 10 -2 ～ 5 .0× 10 -5mol/L ;适宜的 pH范围为 4 .0～ 7.5 ;响应灵敏度为 5 9.5mV/Pc.用该传感器测定克咳敏片剂的含量 ,结果和药典方法相一致 .     

基于壳聚糖膜的ISFET 麻黄碱传感器的研究

以硅钨酸为电活性物质 ,用壳聚糖代替传统的聚氯乙烯 (PVC)作为成膜物质 ,制成药物敏感膜。将其与离子敏感场效应晶体管 (ISFET)相结合 ,制成药物敏感传感器。传感器对麻黄碱有良好的响应 ,能斯特范围为 5 0× 10 - 5～ 1 0× 10 - 2 mol·L- 1 ,响应的灵敏度为 5 8 3mV/pC(C的单位为mol·L- 1 ) ,适宜的pH范围是 3 5～ 8 0。利用该传感器分析麻黄碱片剂含量 ,结果和药典方法相一致     

硅一MOS型三维磁场敏感器结构研究

本文提出了一种硅一! & ? 型三维磁场敏感器结构, 它是将讨( ) 分量歌惑的一维 横向? ! & ? ?+ ? ! & ? % 与对( 二和( , 分量教感的两维的纵向? ! & ?? , ? ! & ?% 并合集成在 一起? 该磁场敏感器的最小空间分辫率为) ??. 户/ 0 ??1 件/ 0 2 ? 3 “/ , 相时灵教度? ) 4 优 予1 0 ??. 一’5 一‘ 。 当外加磁感应强度低于& ? 6 5 时该器件非线性误差低于7 0 ?? .8 ’ ? 由于本器 件采用了特珠的相容性制造工艺, 可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计     

DrugFET的研究（X）：μ—CD修饰离子敏感场效应晶体管的研究与应用

用β－环糊精修饰离子敏感场效应晶体管，研究了β－ＣＤ作为主体分子和一些管体分子的相互作用情况，麻黄碱与β－ＣＤ的相互作用，呈现良好的能斯特响应，斜率为５８ｍＶ／ｐＣ，线性范围为１．０&#215;１０＾０￣４．０&#215;１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，适宜ｐＨ范围为４．８￣８．０，检测下限为２．０&#215;１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ。用该传感器分析盐酸麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致。     

一次性丁氯喘半导体传感器的研究

本文利用场效应晶体管与药物敏感膜相结合，研制成一种ＰＶＣＥ膜丁氯喘半导体传感器，该传感器具有良好的能斯特响应，传感器的丁氯喘的线性范围为５&#215;１０＾－５－１&#215;１０＾－１ｍｏｌ／Ｌ，检测下限７&#215;１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，响应斜率为６０ｍＶ／ｄｅｃ；适宜的ｐＨ范围为２－９。     

氟离子敏场效应管的研制

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。     

国外半导体微生物传感器的发展动态

<正> 一、半导体微生物传感器发展概况及特点 自从1970年Bergveld提出利用普通MOSFET将其金属栅去掉,对溶液中的离子能起敏感作用,故把这种场效应晶体管叫做离子敏场效应晶体管(ISFET)。     

镍酸铜系列氧化物对乙醇敏感性的研究

本文研究了以不同方法制备所得的! ? # ?% ?? 钙铁矿乳化物和用& ? ( ) 调变! ? ’ ) , ? + ’ 十与, ? . 」部分取代# /’ ) 的复合乳化物, 以及由&? ’ 十 取代! ? ’ 斗的尖晶石结构乳化物的酒 敏特性0 讨论了结构、杜度与材料气敏性的关系1 发现用峭酸盐分解法制备的! ? # ?% ?? 具 有最佳的响应特性, 用& ? ’ 十调变! ? ??弓十, ? 2 ?? 十和, ? ’ 同时也发现! ? . # ?% 礴 , 十取代# /’ ) 则可改变响应特性和材料具 有最高灵敏度时的工作温度1 具有很高的乙醉灵教度1     

新的PIN型0.95um拜( 光探测器设计

提出并设计了一种新的?# ? 型。& ??? 拜( 光探浏器& 它的?? 层是, ?. & ! ??? % & / )0 1 ( + 2 34 )??5 1 ( + , 共? % 个周期& 上、 6 缓冲层厚各为% & ?? 拜( , 1 气? ??)?? % 5 % ? ( 一, + 厚约% & ? 拌( , 衬底 为)?? % 。》? 十一34 , 器件面积为? ( ( 5 & 这种探测器一旦实现, 它对% & ??? 拜( 光的灵敏度比硅 ?# ? 型探洲器高得多, 可用于火灾报誉等场合     

铜离子传感器

离子敏感场效应晶体管是将电化学敏感材料的电化学特性与电子器件场效应晶体管(FET)的表面场效应特性二者结合而成的一种化学敏感器件,其制备方法大多采用微电子技术直接镀膜。在前文的基础上,本文采用双管FET与高温粉末反应的CuS—Ag_2S直接制备组成Φ2mm的铜离子传感器。实验表明,该传感器性能良好、稳定性较     

锂的电化学传感器的研制

用合成的新材料1,1,1—三[1′-(2′-氧杂-4′-氧代-5′-氮杂-5′-辛基)十三烷基]丙烷为中性载体,磷酸三[2-乙基己基]酯(TEHP)为增塑剂,制成了三种锂的电化学传感器:PVC 膜电极、涂碳电极和锂离子敏感场效应晶体管(Li ISFET),比较了它们的性能。PVC 膜电极的线性响应范围是5×10~(-5)～1mol·dm~(-3)(LiCl),涂碳电极和 Li ISFET 的线性响应范围分别为10~(-4)～1mol·dm~(-3)和10~(-3)～1mol·dm~(-3)。三种锂的电化学传感器中,PVC 膜电极的选择性较好,K_(Li,Na)~(Pot)为4×10~(-2),K_(Li,K)~(Pot)为8×10~(-3),Li ISFET 的选择性较差,K_(Li,N?)~(Pot)为9·6×10~(-2),K_(Li,K)~(Pot)为1.6×10~(-2)。     

啼化福新型各射线探测器的研制

本文介绍一种新型的各射线探测器的制造过程及其特性% 采用背吸杂技术有效地 降低了器件的反向漏电流并提高了成品率, 提出并应用真空镀铜工艺制作& 型啼化镐的 低阻接触, 取得了良好的效果% 该探测器由一个&? 结二极管构成% 在?( ) , ? + 的电压下 其反向漏电流小于, % ? . ??( 一’“ / 0 1 2 1 ? , 在!( ℃ , ? + 的电压下其反向漏电流小于, % 3 . ?? ( 一“ / 0 1 41 ?? ? , 因而探浏器可在!( ℃ 下正常工作% 在标准5? 伦各射线源上获得了?? % “ . ?? 。一, / 的输出电流, 其截止频率大于? , ( 。比     

电导型CuO-BaTiO3系CO2体传感器

本文研究了以& ? ( 一) ? +, ( ? 作为对& ( ? 敏感的基体材料, 用金属或金属氧化物进行 掺杂以提高其对& ( ? 气体的灵敏度 经过比较发现以. / 掺杂的& ? ( 一) ? +, ( ? 材料具有较 低的工作温度, 较高的灵敏度 & ? ( 一) ? +, ( ? 的& ( ? 气体传感器检测的浓度范围为?# ( 0 ?# 一1 一?# 环 & ? ( 一) ? + ,( , 的& # ! 气体传感器具有较好的稳定性和选择性     

四(对一二硫杂环己烯)四氮叶琳合 铜(II)的氨敏特性#

叶琳类配合物气敏特性的研究近年来有很大进展, ? () ? +, ?? 等川报道了. /? ? # , 0 , ? 1 # , 2 3 ? 1 # , 4 5 ? ? #等金属叶琳配合物和无金属叶琳对2 6 7 , 8 9 : , 06 的敏感性; 文坷 等川研究了四个脂肪碳链的双亲性叶琳及其配合物对氨的敏感性? 本文用四?对一二硫杂 环乙烯# 四氮叶琳合铜? 五# ? 即0 / ? ? ? < = #制作成厚膜旁热式电阻气敏元件? 在研究了气 敏特性的基础上, 深人研究了它在不同条件对氨气的敏感性? 元件具有常温下工作, 高灵 敏度、高选择性等特点     

一种适合离子敏感场效应晶体管的流动注射分析装置的研制

本文介绍了一种适合离子敏感场效应晶体管(简称 ISFET)的流动注射分析装置的设计及制做,该装置采用一体化的设计,具有结构简单、流动性能好,分析精度高、响应速度快、样品量少、操作简便等优点,可适合各种离子敏感场效应晶体管的流动测量,对离子敏感场效应晶体管的实用化起到一定推动作用。     

离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制 Ⅰ.PVC 膜高锰酸根半导体传感器

本文报导的高锰酸根半导体传感器(简称 MnO_4~- ——ISFET)是以乙基紫—MnO_4~- 缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础发上展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化,系列化,易集成化和多功能化等。该传感器对 MnO_4~- 浓度在1×10~(-1)—1×10~(-5)M 范围内呈能斯特响应,斜率为59mv/PMnO_4~-(17℃),检测下限为3×10~(-6)M。