YBa_2Cu_3O_(7-y)的磁敏特性

本文使用YBa_2Cu_3O_(7-y)块试制了高T_c超导磁敏元件.研究了电极对磁敏元件输出的影响,及液氮温区磁敏元件的输出电压与磁场的关系.研究结果表明高T_c超导磁敏元件在弱磁场下有较高的灵敏度,有可能在弱磁场检测方面得到应用.     

陶瓷超导磁传感器

<正> 日本夏普公司中央研究所新近发现在弱磁场下钇钡铜氧系陶瓷超导材料具有电阻值变化极大的特性,并利用这种现象第一个研制成功了一种高性能磁传感器—超导磁阻元件。目前,对陶瓷超导体的研究主要是提高临界温度、临界磁场、临界     

三维磁敏传感器的设计及误差分析

采用三维磁敏传感器有助于降低磁场测量系统的复杂性和提高磁场测量速度.介绍了基于霍尔元件的三维磁敏传感器的设计方法,分析了霍尔元件的粘贴角度偏差、传感器的体积对测量精度的影响,并对传感器的总体误差进行了估算,其分析结果对三维集成磁敏传感器的设计具有指导意义.     

中国科学院上海冶金研究所研制成功GaAs霍耳磁敏元件并通过鉴定

<正> 中科院上海冶金研宄所研制成功离子注入高线性GaAs霍耳磁敏元件,并于1985年9月通过鉴定。 GaAs霍耳磁敏元件是根据半导体在磁场中产生的霍耳效应而制成的一种磁敏     

强磁性金属薄膜磁敏电阻的特点与应用

一、前言强磁性金属薄膜磁敏电阻是一种磁敏传感元件.该元件不仅对磁场强度敏感,而且对磁场方向也非常敏感.这种磁敏传感元件具有灵敏度高、温度特性好、坚固耐用、应用范围广等优点.强磁性金属薄膜磁敏电阻,在国际上还是70年代中期刚刚问世的     

2ACM型磁敏二极管——介绍一种新型磁电转换器件

一、磁敏二极管简介磁敏二极管是继霍尔元件和磁敏电阻之后发展起来的一种新型磁电转换元件。由于它有体积小、磁灵敏度高等优点,可广泛应用于磁场的检测、自动磁力探伤、工业自动化装置和电子技术以及国防工业的应用领域中。目前使用的半导体磁电转换元件只有霍尔元件及磁敏电阻。霍尔元体是根据霍尔效应原理制成的,这种元件的特点是它的输出     

硅一MOS型三维磁场敏感器结构研究

本文提出了一种硅一! & ? 型三维磁场敏感器结构, 它是将讨( ) 分量歌惑的一维 横向? ! & ? ?+ ? ! & ? % 与对( 二和( , 分量教感的两维的纵向? ! & ?? , ? ! & ?% 并合集成在 一起? 该磁场敏感器的最小空间分辫率为) ??. 户/ 0 ??1 件/ 0 2 ? 3 “/ , 相时灵教度? ) 4 优 予1 0 ??. 一’5 一‘ 。 当外加磁感应强度低于& ? 6 5 时该器件非线性误差低于7 0 ?? .8 ’ ? 由于本器 件采用了特珠的相容性制造工艺, 可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计     

“磁传感器及其应用技术”讲座：第八讲 磁敏晶体管传感器（二）

二、磁敏三极管磁敏三极管是继磁敏二极管后出现的一种新型的三端结型元件。它分为PNP型和NPN型两种。所用符号同晶体三极管只在旁边加一磁场符号×以示磁敏三极管。目前国内已有这种器件的生产,其中3CCM型硅磁敏三极管的主要参数见表3。3BCM型锗磁敏三极管的主要参数见表4,把两只3CCM型磁敏三极     

LaBaSnO3的敏感性质

本文介绍自行合成的? # 、% # , 一二, ( ? 。?? 一. / . 0 + 的结构、电学性质、温敏性质和 气敏性质, 其结构均为宾方晶体, 晶胞参数随拥含量的增加而减少0 ? # 。, , % # 。0 , , ( ? ! 在室 温至1 . . ℃ 温区内, 电胆随温度升高而线性下降, 有可能用作温教元件0 当? # 。0 , % # 。0 , , ( ? ! 作成旁热式气敏元件时, 有可能用于???. / ?? . . .+ ?? .2 1 口醉蒸汽的检刚, 而不受煤气、液 化汽、汽油和烟的干扰 。     

便携式智能金属探测仪的研制

介绍了用于交通部门对旅客安全检查的金属探测仪设计.传感器探头由激励线圈和磁敏元件组成,输入的方波脉冲使激励线圈周围产生交变磁场,当靠近金属物时,金属内产生的涡流磁场使原激励线圈的磁场变化,位于激励线圈中央的磁敏元件将其转换为电信号,在单片机控制下进行放大处理.实测结果表明:该探测仪能检测到50cm以内的各类小块状金属物,且具有实时检测、记录、显示、存储、查询等功能,断电后能长期保存检测的记录数据.     

InSb磁敏传感器及其应用（中）

五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割     

四(对一二硫杂环己烯)四氮叶琳合 铜(II)的氨敏特性#

叶琳类配合物气敏特性的研究近年来有很大进展, ? () ? +, ?? 等川报道了. /? ? # , 0 , ? 1 # , 2 3 ? 1 # , 4 5 ? ? #等金属叶琳配合物和无金属叶琳对2 6 7 , 8 9 : , 06 的敏感性; 文坷 等川研究了四个脂肪碳链的双亲性叶琳及其配合物对氨的敏感性? 本文用四?对一二硫杂 环乙烯# 四氮叶琳合铜? 五# ? 即0 / ? ? ? < = #制作成厚膜旁热式电阻气敏元件? 在研究了气 敏特性的基础上, 深人研究了它在不同条件对氨气的敏感性? 元件具有常温下工作, 高灵 敏度、高选择性等特点     

应用磁敏Z元件直流无刷电机电子换相电路的研究

对磁敏Z元件的基本伏安特性、磁敏特性进行了实验测试,给出了实验结果,从内在微观结构和导电机理上对磁敏Z元件的特殊性质进行了分析.利用磁敏Z元件的特性,设计了用磁敏Z元件作位置传感器的直流无刷电机的电子换相电路,实现了在磁敏Z元件采集到的正弦信号驱动下对四个绕组有序选通的控制,并针对Z元件输出信号随温度漂移的现象进行了测试分析.     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第四讲 磁敏电阻传感器(一)

一、概述磁敏电阻(Magnotoresor)是一种基于磁阻效应而制作的电阻体。它在外施磁场的作用下(包括外施磁场的强度及方向的变化)能够改变自身的阻值,是一种新颖的传感元件。它可分为半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻两大类。半导体磁敏电阻的研制始于60年代初,在这方面联邦德国西门子公司较为权威,继而是日、美、苏、西欧等国。在60年代中期即有商品销售,因其和普通电阻一样,具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点,其应用较为普遍。我国电子工业部某所在1974～1976年间,曾组织过半导体磁敏电阻的研制与应用。强磁性金属薄膜磁敏电阻是用强磁性合金材料制成的一种薄膜型的磁敏电阻器件,其作用原理是强磁性体的磁阻效应,它和半导体磁敏电阻不同,除对磁场     

高灵敏巨磁阻抗小型磁传感器研制

利用单辊快淬法制备了CoFeNiSiB非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能.以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05 mT弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/mT,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力.     

不同长度敏感元件的两种巨磁阻抗传感器传感性能研究

针对采用Co基非晶丝作为敏感元件的传统巨磁阻抗传感器和非对角巨磁阻抗传感器进行比较研究。改变敏感元件的长度,观察两者在直流外磁场作用下输出信号的变化规律,并讨论退磁场等因素对传感器输出信号的影响。结果显示非对角巨磁阻抗传感器具有高灵敏度,无磁滞等优点,且灵敏度随样品长度的减小略有增大,在测量弱磁场方面表现出更大的潜力,为磁敏传感器的小型化提供了一定的参考依据。     

基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路

研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μm CMOS工艺实现.该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T.     

磁敏Z元件位移传感器的研究

研制出一种新型磁敏Z元件位移传感器。并对磁敏Z元件的伏安特性和磁敏特性进行研究,给出了实验结果。设计了由信号采集、数据处理以及数字显示等电路构成的系统,实现了位移量的测量。由于Z元件的特殊性质,其应用电路较为简单。     

Al-Beta-Al2O3固体电解质SOx 气体传感器

本文报道了, 采用? + 十一刀,, 一? ??! % ? 的银离子交换获得以银离子为导体的固体 电解质。以金属银为固体参比电极, 多孔铂为工作电极而制成原电池型全固态&% ? 气 体传感器. / 0 , ? # ,? # ? 一口1’ 一? ??! % ? 】2 3 4 3 5 6 / 0 , &% ? , % . , 7 0 并分别以动态和静态方式评价系统对片状和管状两种形式传感器元件的测试结果。研究 表明, 在8 9 ℃ 至:9 9 ℃ 区间, 当; 9 . 浓度为??9 < ??9 / = 时, 元件的气敏响应与理论位 相当符合, 动态响应时间小于1 = >? 。 经优化设计, 该传感器有良好的热力学稳定性, 克服了以往体系的缺点, 可望研制 开发为实用、灵敏 、快速的&% ? 传感器     

磁敏角位移传感器

<正> 磁敏角位移传感器,是根据强磁性金属薄膜磁敏电阻对磁场方向极为敏感的特性,即磁场方向相对磁敏电阻电流方向发生变化,磁敏电阻的阻值相对应的变化。