环境温度对SnO2元件气敏特性的影响

研究了环境温度变化对各种ＳｎＯ２元件气敏特性产生的影响，突出地表现为随着环境温度的降低，气敏元件在空气中的阻值Ｒ０明显增大。用有机硅化物处理元件的表面可减小元件Ｒ０的这种漂移。     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

气敏元件的制作方法

就气敏元件来说，目前已有接触燃烧式气敏元件和半导体式气敏元件。     

稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。     

气敏元件性能检测装置的研究

为了促进气敏元件的研究与开发，本文介绍了一种气敏元件性能检测装置。该装置克服了以往气敏元件测试系统的结构复杂，操作繁琐等诸多不足，具有简单易行，功能齐备等优点，适用于气敏元件的参数测试及可靠性试验过程中的监测。     

气敏元件的环境温度特性

研究了γ—Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＷＯ３、Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３气敏元件的环境温度特性。环境温度改变时（－４０～４０℃）元件的阻值Ｒ０的变化依基体材料及检测气体而异，Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３乙醇元件最为稳定，ＺｎＯ和ＷＯ３的Ｈ２Ｓ元件的Ｒ０有明显漂移，但在一定浓度Ｈ２Ｓ中的Ｒｇ比较稳定。这几种元件均适于在ＶＨ＝５Ｖ下工作。     

补偿式气敏元件的研究

提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性.     

ZnO系半导体陶瓷气敏传感器的进展

本文综述了ZnO系气敏半导体材料的发展慨况,讨论了元件的结构与气敏效应的关系,评述了解释ZnO系气敏材料性质的敏感机理,探讨了目前存在的问题及今后的发展方向。     

气敏元件测试电路的问题分析

木文阐明了气敏元件性能参数特点,分析了现今普遍采用的基本测试电路之不足,提出了用恒流法测试气敏元件的设想。     

系列常温气敏元件的研制

本文简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。     

气敏元件多功能测试系统

介绍了气敏元件多功能测试系统的工作原理及功能，并对其在气敏元件生产及研究的应用进行了介绍．     

低温气敏元件的研制

SnO_2气敏元件应用虽广,惜其工作温度高,耗能多,以及选择较差,难尽人意.为此作者对CO敏与酒敏元件两者取用人们研讨热点的超细SnO_2粉末为基料制作低温元     

提高半导体气敏元件检测能力的有效途径

半导体气敏元件发展的重点集中在如何提高其选择性，灵敏度和热稳定性等。通过控制元件的工作温度，采用添加技术，超微细化技术以及表面修饰技术等可有效地提高气敏元件的灵敏度和选择性。恒流加热法的使用是提高气敏元件热稳定性的主要手段。许多新材料，新原理的应用都可进一步提高气敏元件的检测能力。     

低功耗C_2H_5OH气敏元件

采用超细SnO2粉体，按照MQ—J1工艺制成低功耗C2H5OH气敏元件。该气敏元件将工作温度降低一半以上，而且选择性好，同时简化了常规C2H5OH气敏元件的生产工艺，是一种具有开发前途的气敏元件。     

ZrO-NiO陶瓷气敏元件初探

ZrO-NiO陶瓷气敏元件初探     

金属氧化物气敏元件稳定性的研究进展

金属氧化物气敏元件性能的不稳定制约了元件的实用化进程,气敏元件稳定性的研究成为气体传感器技术中的一项重要内容。概述了金属氧化物气敏元件稳定性的研究进展,介绍了敏感材料、敏感材料的制备工艺、载体材料、加热/测量电极等因素对稳定性的影响。分析了各种影响因素的作用机理,并对其研究前景进行了展望。     

SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试

用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试.     

丁烷气敏传感器可靠性研究􀀁

通过对旁热式下烷气敏传感器的工作寿命试验和试验数据的处理,获得了该元件的寿命分布及分参数等信息。了解了该类元件的可靠性水平,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。     

WO3纳米材料的NO2气敏特性

通过固相掺杂法制得一系列不同掺杂量的WO3纳米粉体，利用X射线衍射仪，透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构，测试了元件的气敏,分现，适量掺杂SiO2有利于提高WO3纳米材料对NO2气体的灵敏度，其中掺杂量为3％（质量分数）的烧结型气敏元件在120℃下对NO2有较高的灵敏度的选择性，是一种工作温度较低气敏性能很好的NO2气敏元件。     

气-气复合型高选择性氢气敏感元件

根据半导体气敏元件电路工作原理,设计了一种新型的气－ 气复合型的半导体Ｈ２ 敏感元件,推导出了其灵敏度、选择性及热稳定性的关系式,指出了构成高选择性及好的热稳定性的复合气敏元件需满足的条件,并在实验中得到验证。