电导型CuO-BaTiO3系CO2体传感器

本文研究了以& ? ( 一) ? +, ( ? 作为对& ( ? 敏感的基体材料, 用金属或金属氧化物进行 掺杂以提高其对& ( ? 气体的灵敏度 经过比较发现以. / 掺杂的& ? ( 一) ? +, ( ? 材料具有较 低的工作温度, 较高的灵敏度 & ? ( 一) ? +, ( ? 的& ( ? 气体传感器检测的浓度范围为?# ( 0 ?# 一1 一?# 环 & ? ( 一) ? + ,( , 的& # ! 气体传感器具有较好的稳定性和选择性     

高选择性 Fe2O3元件的研制􀀁

利用共沉淀法合成& 一?( )? ? 敏感基料, 通过+ , ) ? ? 的掺杂研制出具有高选择性, 灵敏 度, 抗湿性和穗定性的. /0 气敏元件     

溶胶一凝胶法制备SnO2薄膜 气敏特性的实验研究

本文介绍了, 以!? ?( ) · ? + 刀为原材料, 用,% ? 一罗. 技术制备(灸% 掺杂的!? / 。薄膜气 敏材料0 研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气敏特性的影响0 实验表明(, 1 % ) 掺杂的!? 几 薄膜气敏材料对以飞有很好的响应特性, 即有高的灵敏度和快的响应时间0 随翎含量的增加 〔# 一?% & 2 34 均, 灵敏度增加, 工作温度向低温方向移动 0 在低氧分压下热处理, 能形成精细 的晶粒与孔洞, 灵敏度大幅度增加 0     

Ce3+掺杂SnO2纳米带对乙二醇的气敏特性研究

采用热蒸发气相沉积法,以An为催化剂成功制备了Ce3+掺杂的SnO2纳米带.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(EDX)对样品的形貌、结构和成分进行了表征分析.结果表明:Ce3+掺杂的SnO2纳米带具有金红石结构,纳米带表面光滑、平整,结晶良好,其成分由Ce,Sn和O构成.同时,研究了单片Ce3+掺杂的SnO2纳米带对丙酮、乙醇和乙二醇的气敏特性,发现温度为190℃时器件对乙二醇气敏响应最强,选择性也最好.Ce3+掺杂的SnO2纳米带对乙二醇响应、恢复时间短,可逆性好,适合在较宽浓度范围对乙二醇气体进行检测.     

基于材料性能的抗电流干扰叠层电感研究

通过掺杂提高材料磁导率在磁场中的稳定性,对比得到掺杂Nb5+时效果较好;分析材料参数与电感性能之间变化关系,得到材料性能随电流变化影响电感性能的关键因素之一,是电流变化引起外加磁场变化使得材料磁导率随之变化;基于以上所得,采用掺杂Nb5+的铁氧体作为基板,再从结构设计方面降低磁场对材料性能的影响,最终制备得到0805型...     

Fe(CN)6离子修饰聚毗咯 葡萄糖氧化酶电极研究

采用多步固定法, 制备了?# ?% & 北一离子修饰的聚毗咯葡萄糖氧化酶电极, 研完了所 得到电极的性能及其影响因素) 电极线性范围为? ) + 只??+ 一? . ?? ) + / ??+ 一? 01 23 山肚! , 响应时间 ??4 . !+ 4 ) 电极寿命优于普通聚吮咯葡萄糖氧化酶电极) 用于实际样品中葡萄糖含量的刚定 时得到良好结果)     

掺杂n+GaAs的热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段的研究

本文主要通过理论设计和性能测试,研究了热电堆的半导体臂n+GaAs的掺杂浓度对热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段工作性能的影响.该类传感器基于微波功率-热-电转换原理工作,其中热电堆是由半导体臂n+GaAs和金属臂Au构成.通过建立理论分析模型,探究了灵敏度、信噪比与掺杂浓度之间的关系,以指导传感器的结构设计,并基...     

LaSrFeO3的导电及感湿机理研究

本文研究了./ ? , 一( &? ( ) ? + 0 的导电特性和湿阻特性% 通过正电子湮没谱的研究和导电 特性的分析得出以下结论0 # ? 0 一( & ? ( ) ? + 。的体导电属“ 跳跃式” 机制, 电导率的大小由 1 ) ? “ 三决定2 吸附水分子的作用类似施主, 它使表面) ? ‘ 丫) ? / 净比率降低, 造成表面载流 子浓度减少, 使得. / ? , 一、 3 2 · 、 ) ? 4 0 的表面电阻随相对湿度的增大而增大%     

芯片自恒温集成FFT气敏传感器简介

本文简介了& ? 栅( ) ? ‘ 气敏传感器的敏感机理+ 以, 阱双极? ( ) ? 兼容工艺, 将传 感器的. ) 或/ 0 气敏单元、 气敏补偿单元、加热电阻、 温敏单元单片集成, 制作了可调高温 的具有高稳定输出的芯片自恒温系统+ 侧试结果表明, 该气敏传感器具有良好的选择性、稳 定性和较高的灵敏度。     

提高BaTiO3型协热敏电阻PTC效应的途径

本文根据晶界耗尽层模型, 分析了受主表面态浓度/ 0 、施主农度/ 。、表面态能 级尸二对? 型( ) ? 12 0 内瓷+ ? , 效应的影响, 提出“ 高且薄 ” 的晶界势垒形状在理论一五应具育 最大的+ ? , 效应, 并给出了在减少耗尽宽度0 。的同时提高势垒高度功。的理论依据! 最后, 讨论了在实际研制过程中得到最佳+ ? , 效应所应遵循的配方选择原则与相应的工艺条件, 并给出了实例     

铈掺杂WO_3纳米材料气敏特性研究

以金属W粉为原料采用溶胶—凝胶法制得纳米级WO3粉体,探讨了不同CeO2添加量对气敏特性的影响。CeO2掺杂WO3材料对挥发性有机化合物(VOCs)气体灵敏度有显著提高,而器件的工作温度有所降低。FE—SEM测试结果说明:CeO2掺杂对晶界的移动形成某种"钉扎"效应,使晶粒减小,比表面积增大。复阻抗谱分析认为,Ce4+主要存在于晶界,使晶界电阻增大,晶界电容减小,提高了WO3材料的气敏特性。     

K_2O-SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷电性能的复阻抗分析

采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-L iZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,通过复阻抗分析方法,研究了材料的电性能,并进一步分析了试样在不同湿度中的导电机理和等效电路。结果表明:K+液相掺杂的摩尔分数为10%时可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性。复阻抗分析表明:试样的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化,且试样在低湿时主要以电子导电为主,高湿时以离子导电为主。     

浮空SiO_2掺杂埋层以抑制闩锁的新型IGBT结构

绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有寄生晶闸管。当电流密度超过某个特定的电流密度时可能会发生闭锁。为了增加闩锁电流密度,提出了一种在P基极上具有浮动SiO_2掺杂埋层的新型IGBT。通过浮置的SiO_2掺杂埋层,使N+发射极下面流动的空穴电流显着减小。因此,触发寄生晶闸管闩锁所需的电流密度增加。数值仿真结果表明,与传统的IGBT相比,在不影响输出和开关特性的情况下,所提出的IGBT可以将闩锁电流密度提高100%以上。     

锆钛酸钡陶瓷的Fe掺杂改性与电学性能研究

采用固相烧结法制备了不同铁(Fe)掺杂量的锆钛酸钡陶瓷,研究了Fe掺杂量对锆钛酸钡陶物相组成、微观结构和电学性能的影响.结果表明:未掺杂和掺杂0.5％～6％Fe的锆钛酸钡陶瓷都为单一钙钛矿结构,Fe掺杂量的增加会增大晶面间距.掺杂Fe的锆钛酸钡陶瓷的Tc,Tm,C,TB,Tcw和γ都小于未掺杂Fe时.随着Fe掺杂量从0...     

t-ZrO_2晶体中Cr~(3+)和La~(3+)的杂质取代效应(英文)

利用分子模拟技术评价了含Cr3+和La3+杂质的t-ZrO2晶体缺陷的性质.在推导、拟合和验证计算模型的势能参数,以及建立合适的体系模型后,研究了t-ZrO2晶体的内在缺陷和外来缺陷的性质,预测出:La3+较Cr3+容易掺入t-ZrO2晶体中;在本研究范围内缺陷簇[La'a·V o·La'zr]x最容易生成;La3+掺杂到t-ZrO2晶体后将阻止Cr3+的进入.     

新的PIN型0.95um拜( 光探测器设计

提出并设计了一种新的?# ? 型。& ??? 拜( 光探浏器& 它的?? 层是, ?. & ! ??? % & / )0 1 ( + 2 34 )??5 1 ( + , 共? % 个周期& 上、 6 缓冲层厚各为% & ?? 拜( , 1 气? ??)?? % 5 % ? ( 一, + 厚约% & ? 拌( , 衬底 为)?? % 。》? 十一34 , 器件面积为? ( ( 5 & 这种探测器一旦实现, 它对% & ??? 拜( 光的灵敏度比硅 ?# ? 型探洲器高得多, 可用于火灾报誉等场合     

V2O3一聚乙烯复合材料PTC热敏电阻的研究

对, ? . & 一聚乙烯复合物新型? ( ) 热敏电阻进行了探索性研完? 当加入?!% # /% + 0 ? 12 的聚乙烯时, , ? . , 基复合材料具有较显著的? ( ) 效应, 其特点是 加入量适当可获得室温电阻率较低的热敏材料? 还研究了, ? . & 颗粒大小对, ? . & 3 聚乙烯热敏电阻电性能的影响?     

PPy/ATP化学修饰电极的制备及其性能研究

采用多步掺杂与脱掺杂的电化学方法制备掺杂ATP的PPy化学修饰电极(PPy/ATP),利用紫外-可见光谱(UV)、傅立叶红外光谱(FTIR)、循环伏安曲线(CV)等对ATP的掺杂进行表征,并对PPy/ATP化学修饰电极的CV曲线及交流阻抗曲线(EIS)进行测试发现,掺杂ATP后,PPy膜的电化学性能仍然较好.利用紫外-可见光谱(UV)对ATP掺杂稳定性进行测试,结果发现,随浸泡时间延长,在260 nm指纹处的吸光度Abs变得越来越小,吸收峰几乎完全消失;但是将电极置于新的氯化钠溶液中电位恒定为负值时,仍然会有ATP脱掺杂出来,说明ATP的掺杂比较稳定,浸泡虽然会使部分脱掺杂,但仍有一部分较稳定地掺杂在PPy中.     

生物分子多巴胺为掺杂剂电化学聚合PPy

根据阴阳离子电荷平衡原理电化学合成多巴胺(DA)掺杂的聚吡咯(Pey)化学修饰电极,利用循环伏安曲线(CV)、红外光谱(FHR)、紫外-可见光谱(UV)对合成产物进行表征,结果表明,生物分子多巴胺有效掺杂进PPy中.通过对PPy/DA化学修饰电极的CV曲线及EIS曲线进行测试发现,掺杂DA后,电极仍具有较好的传输电荷的能力,在此基础上探讨了多巴胺掺杂的原理.     

Ni-N共掺杂锐钛矿型TiO2的第一性原理

采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势(PWPP)方法,对Ni-N共掺杂前后锐钛矿型TiO2的超晶胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂体系的晶格参数.讨论了Ni掺杂、N掺杂、Ni-N共掺杂对锐钛矿型TiO2的晶体结构、能带结构、态密度等的影响.结果表明:Ni-N共掺杂对锐钛矿型TiO2的晶格参数和晶体结构的影响不人,从能带结构和态密度看,Ni掺杂后TiO2价带和导带之间出现了主要由O-2p和Ni-3d共同作用而产生的杂质能级,N的掺入使得TiO2导带下移.Ni、N的共同作用导致禁带宽度变窄,吸收带红移,拓宽了光响应范围.这些计算结果很好地解释了Ni-N共掺杂锐钛矿型TiO2在可见光下具有良好的光催化性能的内在原因.本文从理论上对纯TiO2,以及Ni掺杂、N掺杂、Ni-N共掺杂进行了较系统的研究,其中纯TiO2和N掺杂TiO2的结果与前人的一致;Ni掺杂和Ni-N共掺杂是这个系列的新内容.从理论上对这个系列的TiO2光催化材料进行了比较,得出Ni掺杂和Ni-N共掺杂可以使TiO2的禁带宽度变窄,有助于光催化活性提高这一结论,与我们的紫外可见吸收实验结果一致,与前人实验中发现Ni-N共掺杂TiO2在可见光区的活性比纯TiO2高1倍的实验事实相符.