高压VDMOS电容的研究

本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.     

功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化

本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。     

JFET区注入对大功率VDMOS击穿电压和导通电阻的影响

研究了JFET区注入对大功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻的影响,分析讨论了JFET区注入影响击穿电压的机理,并定量给出JFET区注入对导通电阻的影响.通过器件数值模拟优化JFET区注入剂量,并根据仿真结果改进器件设计,在满足击穿电压要求的前提下导通电阻降低了8％.     

用虚拟制造设计低压功率VDMOS

采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构.通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能.     

VDMOS功率器件用硅外延片

1、产品及其简介1973年美国IR公司推出VDMOS结构,将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS管是在外延片上制作的,由于一个管芯包括几千个元胞,故要求线条细,光刻精度高。所以对外     

具有超低导通电阻阶梯槽型氧化边VDMOS新结构

基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布,并增强了电荷补偿效应.在低于300V击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有超低的比导通电阻.分析结果表明:较Liang Y C提出的一般槽型氧化边结构,器件击穿电压提高不小于20%的同时,比导通电阻降低40%～60%.     

VDMOS管器件模拟研究

在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数。文章在介绍工艺与器件模拟方法的基础上,针对不同的工艺参数、结构和材料特性,开展器件模拟,分析与研究器件的电学特性。通过模拟研究,确认影响电学性能的主要因素,为研制VDMOS样管提供理论指导。     

高压VDMOSFET导通电阻的优化设计

以500 V VDMOS为例,首先分析了高压VDMOS导通电阻与电压的关系,重点讨论穿通型VDMOS的外延厚度与器件的耐压和导通电阻的关系。给出对高压VDMOS外延层厚度的优化方案,并基于理论分析在器件仿真设计软件平台上成功完成了耐压500 V、导通电阻0.85Ω的功率VDMOS器件的设计和仿真。     

低压VDMOS金属层电阻的模拟分析

通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型,并对此模型进行Hspice模拟,确定了金属层厚度大于5 μm时,金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小.同时提出了双层金属工艺方法,实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀.     

VDMOS的虚拟栅结构

文中设计了一个虚拟栅结构的VDMOS,该结构可以减小漏栅反馈电容Cras,使其接近于零.因此,对于相同的模块电压率,虚拟栅结构可以使MOS器件有一个更短的沟道,同时也因为有一个更大的栅漏交叠区域而使导通电阻减小.这样,器件跨导也可以提高.经过ISE仿真模拟,虚拟栅结构比原始分栅结构的击穿电压提高了近42%,而电流输出特性也更好更稳定.     

低压功率VDMOS的结构设计研究

对功率集成电路中耐压为60V,电流容量为2．5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上,分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。通过ISETCAD器件仿真软件,得出相关数据和终端结构,进而借助L-edit完成最终版图结构。     

功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构...     

用高锰酸钾处理ITO表面制备的白光OLED

采用多层结构制备了色纯度很好的白光有机电致发光器件(OLED).将清洗后的ITO玻璃样片在质量分数为0.005%高锰酸钾溶液中进行超声处理15 min.将处理后的ITO玻璃样片与没有经过高锰酸钾溶液处理的ITO玻璃样片,在同一条件下,采用同样的结构制备有机电致发光器件,结果表明,处理前后所制备的器件的性能发生了明显的改变,处理后的白光器件的效率提高了16%,亮度提高了近29%.     

500V VDMOS功率器件终端结构设计

本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。投片试制结果与设计预期参数相符。     

功率VDMOS器件ESD防护结构设计研究

随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现。该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性。由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流。经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上。     

用EWB分析功率放大电路

通过介绍用EWB分析陛补对称型功率放大器,探讨该软件在模拟电路教学中的应用,以加深学生对电路原理的理解。     

1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究

设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐压条件下的Si基VDMOS,4H-SiC VDMOS的击穿电压提升了12%。此外,击穿时4H-SiC VDMOS表面电场分布相对均匀,最大值为3.4×10⁶V/cm。终端有效长度为15μm,约为Si基VDMOS的6%,总体面积减小了近1/10。并且4H-SiC VDMOS结构简单,与相同耐压条件下的Si基VDMOS相比,未增加额外的工艺步骤,易于实现。     

功率VDMOS器件粗铝丝键合工艺研究

粗铝丝键合是功率VDMOS器件封装的关键工序,键合质量的好坏直接影响到器件的封装成品率以及后续的筛选成品率。针对直径为380μm的粗铝丝进行功率VDMOS器件的键合工艺研究。结果显示,在选取130°的键合角度时,焊盘宽度应适当增加且应至少增加150μm,才能保证键合质量;随着第二点键合角度的增加,键合点尾丝端划伤芯片的情况变好;同时考虑键合点尾端和键合点颈部都完全在焊盘内,且采用默认的第二点键合角度,则所需焊盘宽度至少应为1 800μm。     

高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究

利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件以及L—Edit版图设计工具,我们对一款高压VDMOS功率器件进行了模拟仿真和优化设计。利用自主开发的VDMOS工艺流程完成了器件的实际流片。测试结果表明,器件的源漏击穿电压达到600V以上,导通电阻小于2．5Ω,跨导为4S,栅一源泄漏电流约为±100nA,零栅电压时的漏一源泄漏电流约为10υA,二极管正向压降约为1．2V。采用二维器件模拟仿真工具以及相关物理模型对所研制的高压VDMOS器件的SEB和SEGR效应进行了分析,并通过对所研制的器件样片采用钴-60y射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平下辐照对所研制的高压VDMOS器件相关电学参数的影响。     

Trackball开关使手持设备具有PC鼠标功能

引言 新一代的手持设备正变得越来越小巧精致,最终用户的软件接口也变得越来越复杂.随着基于软件的电子设备集成度不断提高,手机、个人数字助理(PDA)、手表和全球定位系统等设备越来越象计算机,都使用图标菜单进行操作.