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纳米器件与单电子晶体管所谓纳米科技是指在纳米尺度(0.1一100nm)范围内研究物质(包括原子、分子的操纵和安排)的特性和相互作用以及如何利用这些特性和相互作用的具有多学科交叉性质的科学和技术。国际纳米科学与技术常设委员会将纳米科技分成6个主要部分,纳米电子学、纳米物理学、纳米化学、纳米生物学、纳米机械学和纳米表征测量学。纳米电子学被列为其首要部分是因为它与当前在科技和生产中起重要作用的微电子有密切关系。美国制定的《国家纳米技术战略》以纳米电子学为主攻方向。纳米电子学 相似文献
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在简单介绍了单电子晶体管 (SET)的工作原理后 ,综述了 SET在制造和应用方面的研究进展。 相似文献
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设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。 相似文献
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以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。 相似文献
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Single electron transistors(SETs) are known to be extremely sensitive electrometers owing to their high charge sensitivity. In this work, we report the design, fabrication, and characterization of a silicon-on-insulatorbased SET scanning probe. The fabricated SET is located about 10 m away from the probe tip. The SET with a quantum dot of about 70 nm in diameter exhibits an obvious Coulomb blockade effect measured at 4.1 K. The Coulomb blockade energy is about 18 me V, and the charge sensitivity is in the order of 10-(5)–10(-3)e/Hz1/2. This SET scanning probe can be used to map charge distribution and sense dynamic charge fluctuation in nanodevices or circuits under test, realizing high sensitivity and high spatial resolution charge detection. 相似文献