极紫外投影光刻掩模技术

介绍了掩模基片的技术要求，分析了制备掩模多层膜的难点以及相应的解决措施，然后讲解了吸收层干刻法制备掩模的工艺流程，最后介绍了掩模缺陷的检测技术并概述了极紫外投影光刻掩模技术的现状。     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

光刻对准技术研究进展

回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

亚半微米投影光刻的自动对准技术

主要介绍了国外用于生产型亚半微米分步投影曝光机的几种自动对准技术。通过分析对比，指出了相位光栅自动对准技术是我所研制下一代分步曝光机最具吸引力的方案。     

深亚微米光学光刻设备制造技术研究

光学光刻在不断发展,促进了集成电路的制造,提高了其制造水平。光学光刻的分辨率在逐步提高,其设备面对着巨大的挑战。本文将对深亚微米光学光刻设备制造技术展开研究。     

步进扫描投影光刻机工件台和掩模台的进展

着重介绍了当前国外步进扫描投影光刻机的工件台和掩模台的发展状况,并对套刻精度和整机精度进行了分析。     

投影光刻中相位光栅对准信号计算的新模型

对分步重复投影半导体光刻机相位光栅对准信号作详细的分析,提出了更加合理精确的计算模型,并与其他论文中的实验数据作了初步比较,模型与实验更加接近,本文所提供的方法也适用于有减反膜的光刻工艺对准信号的分析。     

大面积循环扫描投影光刻对准系统设计和分析

设计了大面积循环扫描投影光刻的高精度对准系统,由CCD传感器、图像识别软件和共焦显微镜组成的光学测量系统和对掩模和基片的相对位置作二维和角度及时修正的精密定位系统两部分组成.标记图像的二维方向扫描分别借助光刻平台的移动和振镜的高频振动来完成.理论分析了标记位矢对准、共焦成像和CCD信号相关双采样关键技术.根据掩模和基片对应位矢的夹角余弦值大小控制基片的旋转和平动,对准更方便快捷;由共焦成像系统二维响应函数的推算,针孔滤波对提高成像分辨率很重要;对CCD像元电荷包实时准确地采样,是排除噪声干扰的关键.     

基于UNPOF和ECPSDF的复合匹配滤波器设计研究

根据UNPOF算法和ECPSDF算法的特性分析,综合得出了基于上述两种算法的复合匹配滤波器算法.模拟和试验结果表明该算法能实现UNPOF和ECPSDF算法的相互补偿,进一步改善匹配滤波器畸变容限.     

纯相位二值化匹配滤波器的优化设计

通过采用神经网络中的Clipping方法和MonteCarlo修改学习算法,对用于光学模式识别的纯相位二值化匹配滤波器进行了优化设计。计算机模拟结果表明,和传统的纯相位匹配滤波器的相关输出结果相比,其识别输出的信噪比和信号相关峰值得到了明显的提高,从而为今后的光学实现奠定了良好的基础。     

灰阶纯位相匹配滤波器编码方法研究

根据空间光调制器的相位调制作用,提出了一种灰阶纯位相匹配滤波器编码方法.计算机仿真和光学实验结果均表明该方法在相关峰值、信噪比和峰相关能量比等方面比二元纯位相编码方法均有较大提高.另外还给出了相关峰的位置变化规律,有利于对目标的定位.     

识别复杂背景目标的匹配滤波器

介绍了一种对自然背景下目标进行相关识别的匹配滤波器。由于自然背景的存在，相关点淹没在背景噪声中，使相关器的识别性能迅速下降，甚至完全丧失了识别能力。采用的方法是将包含目标的输入场景及其背景分别编码。然后将背景从输入场景中剔除，只留下目标的频谱成分作为编码信息来制作匹配滤波器。达到抑制噪声、识别目标的目的。     

识别复杂背景目标的匹配滤波器

介绍了一种对自然背景下目标进行相关识别的匹配滤波器。由于自然背景的存在,相关点淹没在背景噪声中,使相关器的识别性能迅速下降,甚至完全丧失了识别能力。采用的方法是将包含目标的输入场景及其背景分别编码,然后将背景从输入场景中剔除,只留下目标的频谱成分作为编码信息来制作匹配滤波器,达到抑制噪声、识别目标的目的。     

纳米光刻对准方法及其原理

对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。经过分析,从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度,而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。因此,基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。     

Time-delay estimation of multiple targets with wavelet based phase-only matched filter

As a well-known variation of the conventional matched filter (MF), the phase-only matched filter (POMF) shows superior range resolution over the MF and thus is widely used in image and radar signal processing. However, performance of the POMF degrades considerably if the input signal-to-noise ratio falls below a certain threshold value. In this paper, a novel time-delay estimator, wavelet based phase-only matched filter (WPOMF) is proposed to provide accurate time-delay estimation for narrow-band radar systems in the presence of multiple targets and high-level noise. Both the theoretical analysis and simulation results illustrate that the proposed method yields superior performance in terms of the estimation accuracy of multiple targets over the conventional or modified MF based time-delay estimators. The simulation results also illustrate that the proposed method has a low computational cost and low SNR threshold close to the estimation accuracy of the maximum-likelihood method.     

近期光刻用ArF准分子激光技术发展

193 nm ArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90 nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45 nm节点量产阶段。双图形光刻（DPL）技术被业界认为是下一代光刻32 nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32 nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术：主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构,主动光谱带宽稳定技术,先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。     

光路自动准直中的全自动化控制算法

基于光路准直的基本原理,借助反射镜伺服系统的精密调节和计算机的自动控制,提出了全新的光路自动准直控制算法。在此基础上,建立了光路自动准直单元,编制了控制程序,对光路自动准直算法进行了实验验证。结果表明,采用该算法的光路自动准直单元完全实现了光路的自动准直,具有良好的通用性。提出了几种提高光路自动准直效率的方法。     

新型光刻技术研究进展

集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表,支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点,在研发新型光电子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些年来涌现的多种新型光刻技术,分析了各自的特征及在新型纳米电子、光子器件、能源、传感等领域中的应用。对未来光刻技术的发展方向进行了展望。