高纯锗单晶质量对核辐射探测器的影响

本文阐述高纯锗材料的各项参数对探测器性能的影响,这些参数是导电类型、晶向、浅能级和深能级杂质、迁移率、位错密度及其分布和平底坑等。文中给出了几种材料制成探测器后测出的结果。提出了试制优质探测器对锗材料的具体要求。     

高纯硅单晶断面寿命的不均匀性及其对核辐射探测器的影响

硅单晶断面少子寿命分布均匀与否的问题,以前提及得很少。本文基于大量测试数据讨论了N 型区熔高纯硅单晶断面寿命的不均匀性及其对面垒型核辐射探测器性能的影响。     

锗雪崩光电二极管(Ge-APD)用的单晶锗

为了适应光纤通讯的发展,上海市科委组织了上海交通大学、上海冶金所和上海冶炼厂联合研制长波长探测器——锗雪崩二极管(Ge-APD),上海冶炼厂提供锗单晶材料。锗雪崩二极管对锗单晶材料的要求是高纯度、低补偿和高完整性的结构。该厂采用了“分次提纯”法来提高单晶原材料的纯度,并采取措施,严格防止拉晶过程中的杂质沾污,以保证单晶的纯度及低补偿度,通过改革拉晶工艺条件及采用无位错工艺提高了锗单晶晶体结构的完整性,使材料达到雪崩二极管的技术要求,获市科技新产品三等奖。     

Ge(Li)探测器级锗单晶的生长与评价

对锗单晶的锂可漂性和陷阱效应进行了研究。结果表明,锂漂移迁移率和有效载流子寿命是评价单晶的主要参数。     

用锂沉淀法测定探测器级单晶锗中氧含量

Ge(Li)-γ射线探测器具有很高的能量分辨率,它对锗材料的质量要求较严,其中氧含量就是一个重要参数。一方面氧与锂形成相对不可动的LiO~ 络合物,大大降低锂的漂移率;另一方面,如果含氧Ge中同时存在足够量的Si,则Si与氧形成SiO_2颗粒。此颗粒用化学腐蚀可显示出平底坑,属空穴     

探测器级锗单晶的制备工艺

简要叙述了探测器锗单晶的制备工艺和各种主要的材料提纯以及晶体生长的条件。定性的讨论各种参数与多晶纯度,晶体完整性的关系和现行工艺所达到的水平以及产品质量。对影响分辨率的各种陷阱中心作了评述并指出了消除陷井的方法。特别对深、浅杂质的来源与控制;各种中性杂质和络合物的形成、性质、位错、空位对探测器性能的影响也进行了扼要的讨论。     

高纯钛的特性

目前,工业规模生产的钛仍是以克罗尔法还原的海绵钛为原料进行熔炼的,至少含有万分之几以上的氧,与其它金属材料相比氧含量很高,这是由于工业纯钛的α晶、β晶的氧固溶限高的原因。工业纯钛及钛合金中的氧,由于固溶强化,其强度增高,而疲劳性能、冷加工性能、成形性下降。因此,对钛也像纯铁和纯铝一样,只有将所含的杂     

硅单晶质量对半导体核辐射探测器性能的影响

本文根据实验结果讨论了原始硅单晶的不同生长气氛、电阻率均匀度、杂质补偿度,载流子寿命、位错、含氧量等对半导体核辐射探测器性能的影响,对于用不同参数的高阻P型和N型硅单晶制成的探测器进行了比较和分析。文中也谈到了对探测器级硅单晶的基本要求和今后展望。     

高纯Al(OH)_3

随着我国石油工业和化肥生产的蓬勃发展,对催化剂和催化载体的需用量日益增多,带用的催化载体有高纯Al(OH)_3,过去一直是依靠进口。遵照毛主席关于“独立自主,自力更生”的教导,为了支援农业,支援其它工业部门,我们利用本厂原料进行了高纯Al(OH)_3的试制工作。     

高纯二氧化锗生产中砷含量控制的研究

研究在高纯二氧化锗生产过程各工序中砷的脱除率，指出控制粗四氧化锗中砷含量和提高水解工序岗位空气质量是提高产品含砷合格率的途径．     

高纯Ta(OH)_5的生产

从纯的粗钽制取高纯Ta_2O_5的工艺为:(a)用含HF的酸性溶液(Ⅰ)以Ta-F络合物形式溶解粗钽;(b)以水不溶的有机溶剂(Ⅱa)和水不溶的季胺化合物(Ⅱb)的混合物(Ⅱ)从(a)溶液中萃取祖;(c)用至少合一种无机酸和(或)氨盐的水溶液(Ⅲ)洗涤有机相,以除去被萃取的杂     

探测器级高纯硅单晶电阻率的四探针测试条件

本文讨论用四探针方法测试高纯硅单晶电阻率的测准条件。一般认为,用四探针方法测量硅单晶电阻率的上限是3千欧姆厘米。实际上四探针技术的原理和国内外实践表明,用该方法测试更高的电阻率是完全可能的。关键是要严格遵循必要的测试条件。本文通过实验,分析了数千乃至上万欧姆厘米的高纯硅单晶电阻率测准条件,其中主要有1.表面处理;2.测试电流;3.探针直径;4.输入电阻,5.环境条件等。     

稀散金属——锗(下)

(二)四氯化锗的制取和提纯由第一阶段所得到的锗的富集物中制造二氧化锗的方法很多,较好的方法是在盐酸溶液中使其形成GeCl_4,而蒸馏提取。因为在锗的化合物中,GeCl_4为低沸点液体(常温下为液体常压下沸点为83℃),故容易提纯。目前世界各国的提炼工厂,无论从那种     

稀散金属——锗(上)

在十九世紀末用光譜分析法由硫銀锗矿中发现锗以后,沒有得到实际应用,只是作为科学研究的稀罕物;这是由于锗存在很分散,因而妨碍了它的制取以及对它的科学研究。直至1920年,在西南非洲楚麦勃(Tsumeb)矿山的銅铅鋅矿石中发现了锗石,同时在美国的密苏里和威斯康星两州所产的閃鋅矿中,以及英国的煤炭中均发现锗,以后,这样才为开展锗的研究提供了物質基础,並开始研究锗及其化合物的性质,大力尋找其資源,制定从原料中提取锗的工业方法,以及研究它的应用范围。在第二次世界大战以后,世界各国都先后組織並进行了锗的工业生产。近年來,锗不仅在許多工业部门得到应用,並且随着对     

光谱分析用高纯标准溶液的研制

为了满足核工业系统核燃料生产质量控制和科研的要求 ,我单位继续开展单元素光谱标准溶液的研制工作。所研制的单元素光谱标准溶液均采用经典的化学分析方法——重量法定值 ,由国家一级标准物质或基准物质作为一次或二次量值传递 ;各元素溶液的质量浓度为1 0 0 0 mg/ L,总不确定度小于 2 % ;溶液的均匀性采用 F检验法检验 ,其 F值均小于 Fα 临界值 ;稳定性用 t检验法评价。该系列标准溶液至少可稳定 1 a　以上 ;标准溶液的单个指定杂质元素质量浓度经 ICP MS测定均小于 1 mg/ L。以上各项测定结果表明 ,所研制的 1 4种单元素光谱标准溶液均达国家二级标准物质指标。这些标准溶液可作为发射光谱、ICP光谱、原子吸收光谱、质谱、荧光光谱及化学分析等各个领域使用。     

高纯钽(铌)氯化物制备技术的研究

以钽(铌)氧化物为原料配以适量的还原剂或直接用钽(铌)碳化物,在系统密闭的反应器中,控制一定的反应温度,通入氯气进行氯化,经过蒸镏提纯得到高纯度的五氯化钽(铌)产品.     

MBE用高纯钼部件的研制

探讨了用Mol粉,经过2次电子束熔炼后,再用最佳EBFZM工艺制取高纯钼的工艺和用Φ16mm×100mm高纯钼条重溶化大锭制取Φ90mm×3mmMBE用高纯钼底垫的可行性,从而成功地制取了大尺寸高纯钼部件。并成功地将纯度大于4N的高纯钼部件应用于MBE—Ⅲ、Ⅳ型设备上制作出了μ_(77K)=1.52×10~5cm~2/v·s的AlGaAs/GaAs材料。本工艺的探索成功为今后用小尺寸高纯原料制取常规尺寸高纯部件开辟了道路。     

钽电容器用高纯硝酸锰的制备

研究了用硝酸溶解电解锰粉制备钽电容器用高纯硝酸锰。考察了分析纯硝酸和工业级硝酸的溶解特性,确定了硝酸锰溶液的浓缩方式。试验结果表明,用15％的分析纯硝酸溶解电解锰粉可以获得高纯硝酸锰溶液,溶液经浓缩、过滤,最终获得合格的钽电容器用高纯硝酸锰。     

锗酸锶晶体纳米线光催化降解龙胆紫的研究

采用水热法制备锗酸锶晶体纳米线,并研究了其对龙胆紫的光催化性能。结果表明:随着光催化时间的延长和锗酸锶纳米线用量的增加,龙胆紫的降解率均呈上升趋势;但随着龙胆紫溶液初始浓度的增加,其降解率逐步降低。在光催化时间4h、锗酸锶纳米线用量10mg、龙胆紫溶液初始浓度10mg/L的条件下,锗酸锶纳米线光催化降解龙胆紫的效果最好,龙胆紫的降解率可达89.59%。