具有超低弯曲损耗的高带宽聚偏二氟乙烯包层渐变折射率塑料光纤

日本Keio大学的科研人员提出一种聚偏二氟乙烯（PVDF）包层渐变折射率（GI）塑料光纤（POF）,该光纤具有优异的机械强度和低的弯曲损耗。与普通聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）基GIPOF相比,对于PVDF包层GIPOF,人们关注的主要问题是由其特殊的波导结构引起的带宽减小。他们设计出在限制模注入（RML）条件下能保持高带宽的PVDF包层GIPOF的折射率分布。然而,当PVDF包层GIPOF中存在模式耦合时,带宽可能被减小。因此,针对高带宽性能．研究了一种减弱PVDF包层GIPOF中模式耦合的方法。他们发现,光纤数值孔径（NA）是控制模式耦合的一个关键因素。通过将GI纤芯区域的数值孔径（NA）调整到0．17,PVDF包层GIPOF可以实现100m距离大于2MHz的带宽。此外还研究了优化PVDF包层GIPOF的传播模性能．尤其是光纤静态弯曲时的性能,因为这种弯曲会增强模式耦合。他们还发现,如果GI纤芯区域具有0.17的NA,即使在恶劣的弯曲条件下,PVDF包层GIPOF也仍能保持高带宽性能。     

氘化渐变折射率聚合物光纤的制造工艺和光学性能

日本横滨Keio大学的科研人员提出一种将两步界面凝胶聚合工艺用于氚化聚合物材料、使其能在短距离网络中进行千兆比特以上数据传输的渐变折射率聚合物光纤（GI—POF）。采用这种工艺可以获得几乎最佳的折射率分布，具有良好的重复性。叙述了采用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）包层制备氚化聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA—d8）基GI—POF的情况。这表示，低损耗PM—MA-d8材料仅用于纤芯。因为包层仅传输一小部分的光功率，不需要用低损耗材料。已经证实．即使包层由氢化PMMA组成，PMMA-d8仍具有低的衰减。因此。采用PMMA—d8纤芯和PMMA包层的GI—POF能实现300m以上千兆比特数据传输，而这是普通PMMA基GI—POF无法实现的。     

纳米β-Ni(OH)2与球型Ni(OH)2的热性能比较研究

用配位沉淀法合成出纳米级Ni（OH）2，并对其进行XRD，TEM，DSC分析，分析结果表明，所得纳米β-Ni（OH）2为可用作电极材料的β-Ni（OH）2，粒径为30－40nm，且热分解温度比普通球镍低10℃左右，摩尔分解热比普通球镍低4－7kJ，从理论上分析了产生此现象的原因。     

MPEG-2的节目流和传输流

音频、视频及数字信号经过MPEG-2标准压缩和编码后，各自形成的基本码流（ES）并不能直接存储和传输，还要经过几个特设的子系统，形成打包基本码流（PES）后，再形成节目流（Ps）和传输流（TS），然后利用时分复用方式组合成单一的码流进行传输和存储。本文主要介绍打包基本码流（PES）、节目流（Ps）和传输流（Ts）的结构，并简要介绍它们的解码和重放。     

Cr2O3改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研究了Ｃｒ２Ｏ３作为改性添加剂对（ＰｂＳｍ）（ＴｉＭｎ）Ｏ３系压电陶瓷介电及压电性能的影响．实验表明，添加适量的Ｃｒ２Ｏ３能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料，其ｋｔ＝４５％～５０％，ｋｔ／ｋｐ＝１５～１８，ＴＣｆｔ３＝－０．８～－６ｐｐｍ／℃．因此，在研究、开发高性能压电材料过程中，Ｃｒ２Ｏ３不失为一种优良的改性材料．     

UWB低功耗无线视频网络的构建

超宽带（UWB）通信技术与其它无线通信技术相比有很大区别,它具有低功耗、数据传输速率高、信号功率谱密度低、安全性高等优点．尤其适用于短距离便携设备的高速视频传输。本文介绍了UWB的技术要点．发展现状和应用于视频传输的优势．并构建了基于UWB技术的低功耗无线视频传输网络的基本模型。     

InAs基InAs/Ga（As）Sb II类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究

开展了InAs基InAs/Ga（As）Sb II类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga（As）Sb II类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用优化的磷酸系腐蚀液对InAs/Ga（As）Sb II类超晶格进行腐蚀,获得的腐蚀表面粗糙度仅为1 nm.然后使用改进的工艺制备了50 ％截止波长为12 μm的超晶格长波单元器件,实验结果表明磷酸系腐蚀液可以获得低暗电流密度的InAs基InAs/Ga（As）Sb II类超晶格长波红外探测器.另外,在81 K下,该探测器的表面电阻率（ρ_Surface）为4.4 × 10³ Ωcm.     

高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用

叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１４７００，在２８ＧＨｚ测得Ｑ值约为４８００。这种材料具有高Ｑ值，特别适用于Ｘ以上波段作为振荡器电路中频率稳定元件。用这种介质谐振器已研制出８ｍｍ介质稳频微带耿氏振荡器，频率稳定度小于１０×１０－６／℃，最大输出功率达１８０ｍＷ。     

Yarbo新品USB3．0系列线材

Yarbo（雅堡）近期现推出了最新版本的USB3．0线材．选用镀银铜导体发烧级设计．长度分别有1m、1．5m、1．8m和2m四种选择,提供精确的高保真传输效果。Yarbo新的USB3．0系列线材在保持与USB2．0的兼容性的同时．比2．0版本的多74根内部线,从而增强了功能：USB3．0可在内存限定的存储速率下传输大容量文件（如高清电影、大图片或音乐文件）。     

Ni（OH）1.4（SO4）0.3纳米带和相关的结构演变

氢氧化镍作为碱性蓄电池的正极活性物质，广泛应用于镍氢、镍镉和镍锌等电池。＋2价氢氧化镍主要有α和β两种晶型。β-Ni（OH）2属于六角晶系（单胞参数为：a=0．313nm，c=0．463nm），其中OH^-为六角密积形成等间距层状结构，氢氧键平行于c轴，Ni^2＋处于层间八面体位置。α-Ni（OH）2晶化程度相对较差，其结构仍属于六角晶系（单胞参数为：a=0．31nm，c=2．268nm），β-Ni（OH）2的层状结构在此仍然保留，但层间却无序的插有水分子及酸根离子，插入酸根离子的种类取决于母溶液。     

适用于光纤放大器的Er3 -Yb3 共掺双包层光纤

研制出一种适用于光纤放大器的Er^3＋-Yb^3＋共掺双包层光纤（EYDCF），它在980nm和1530nm的吸收分别达到16．8dB／m和20．6dB／m，980nm吸收带半高宽达到200nm。在波长为980nm、泵浦功率为2w的条件下，可以得到28．8dBm（760mW）的输出，相比掺Er^3＋光纤（EDF），EYDCF的增益高，所需光纤长度短，所以非线性效应的发生得到抑制。     

Nd~(3+)∶NaY(WO_4)_2晶体的激光性能研究

本文报道一种新型的激光晶体Nd~（3+）∶NaY（WO_4）2．测定了它的结构、荧光光谱、吸收光谱。用φ3mm×25mm2的小型脉冲觎灯泵浦φ3mm×5．95mm2的激光棒，获得22．5mJ的激光能量输出，物化性能好，是一种有良好应用前景的激光晶体．     

有机无机复合膜发光器件的研究

针对聚合物电致发光（EL）材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状，采用无机电子型半导体材料ZnO：Zn与空穴型聚合物材料poly（2，5bis（dodecyloxy）-phenylenevinylene）（PDDOPV）成功制备了结构为ITO／PDDOPV／ZnO：Zn／Al的有机／无机复合膜双层器件。复合膜器件的发光效率与亮度比单层器件提高了1个数量级以上，而复合膜的电流是单层器件的0．5倍。而且，聚合物／无机物复合膜器件的发光颜色随电压的增加而蓝移，其光致发光（PL）光谱也随激发波长的改变而改变，有可能形成了新的发光基团。     

O2（1∑g^＋）和O2（1Δg）的碰撞发射谱

利用微波激励高纯O2观测到了峰值波长分别为450.8nm、565.9nm的2个新谱带。实验研究和动力学过程分析证明，这2个新谱带是O2的激发态O2（1∑g^ )和O2（1Δg）碰撞反应发射的。     

新一代高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板材料

随着PCB的发展,CCL的要求越来越高,主要表现为耐热性和可靠性,特别在高多层板中的密集BGA孔的爆孔：厚铜多层以及HDI应用中发生的爆板问题,这些问题在无铅化时代表现的更为严重。文章研究了一种高耐热性、高模量．低CTE覆铜箔层压板及粘结片材料,该材料的特点为您（DMA）〉220℃,见（5％loss）〉355℃,Z轴热膨胀系数α1：50．2μm／m℃,α2：170．6μm／m。另外,材料在高温（200℃）下的模量保持率为普通高绝材料的3倍。通过材料的优化设计,达到性能的平衡。     

MOCVD生长高反射率AIN／GaN分布布拉格反射镜

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N／GaN分布布拉格反射镜（DBR）。利用分光光度计测量,在418nm附近最大反射率达到99％。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3．3nm左右。样品的截面扫描电镜（SEM）照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的要求。     

HfO2／Si（001）界面层的TEM研究

随着微电子技术的迅猛发展，集成电路的集成度不断增大，器件的尺寸不断缩小。当MOSFET尺寸缩小到0．1nm的尺度以下时，栅氧化层的等效厚度（在保持栅电容值不变的条件下，以相对介电常数为3．9的SiO2作为标准得到的栅介质层厚度）需要小于3nm。如仍采用传统的氧化硅作为栅氧化层介质，电子的直接隧穿效应和栅介质层所承受的电场将变得很大，由此引起栅介质的漏电流增大和可靠性下降等严重问题，严重阻碍了MOS器件的进一步发展。因此，人们提出了采用高介电常数的栅介质（通常称为高K栅介质）替代传统氧化硅的解决方法。利用高K介质材料替代传统氧化硅作为栅介质，可以在保持等效厚度不变的条件下，增加介质层的物理厚度，因而可大大减小直接隧穿效应和栅介质层承受的电场强度。新型高K栅介质研究已成为国际微电子领域的热门研究课题之一。     

新一代高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板材料

随着PCB的发展,对CCL的要求越来越高,主要表现为耐热性,可靠性,特别在高多层板中的密集BGA孔的爆孔,厚铜多层以及HDI应用中发生的爆板问题,这些问题在无铅化时代表现的更为产童,本文研究了一种高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板及粘结片材料,该材料的特点为Tg（DMA）〉220℃,Td（5％loss）〉355℃,Z轴热膨胀系数α1：50．2μm／m℃,α2：170．6μm／m,另外,材料在高温（200℃）下的模量保持率为普通高Tg材料的3倍。通过材料的优化设计,达到性能的平衡。     

(ZnSe)_n/(Ge_2)_n(110)超晶格的电子结构和光学性质

用线性Muffin－Tin轨道（LMTO）能带计算方法对匹配超晶格（Znse）n／（Ge2）n（n=2－5）系统进行超元胞自洽计算。在此基础上，用冻结势方法计算该超晶格系统的价带带阶（bandoff－set）；用四面体方法计算了该系统的联合态密度，由此计算了该系统的光学介电函数应部ε2（ω）。计算结果表明，该超晶格系统的价带带阶约为1．44eV。（Znse）n／（Ge）n（110）超晶格的光吸收峰结合了体材料Znse和Ge光吸收峰的特点。     

AIN三维MCM技术研究

三维多芯片组件（3D MCM）是在2D MCM技术基础上发展起来的高级多芯片组件，可以进一步提高组件的组装密度，实现更小的体积和更多的功能；同时，为了改善3D MCM的散热性，提高可靠性，采用高导热率、热膨胀系数与Si匹配的AIN作为共烧多层基板材料。本研究通过将二者的优点结合起来，成功地制作出了AIN 3D MCM样品，并对其应用进行了初步探讨，取得了一定的成果。