中温BaTiO3基PTC热敏陶瓷的研究

通过阻湿特性２方法，着重研究了中温加热用ＰＴＣ热敏陶瓷材料的成份，烧结工艺与性能之间的关系，从理论上进行了探讨，同时选出各种成分分配比的最佳烧结工艺。     

二氧化硅对液相合成（SrPb）TiO3其陶瓷热敏特性的影响

研究了二氧化硅对陶瓷材料阻温特性和烧结特性的影响，实验结果表明：烧结助剂二氧化硅的加入可以使材料的烧结温度降低，改善材料的Ｖ型ＰＴＣ复合热敏性能。在１１５０℃烧结时，其最佳加入量ｗｓｉｏ２为５％，材料的最低电阻率为３．１×１０＾２Ω·ｃｍ。     

低阻高温BaTiO3基PTC热敏陶瓷预烧制度的研究

ＰＴＣ材料性能对预烧制度十分敏感,通过大量实验,研究了预烧工艺条件对低阻ＰＴＣ热敏陶瓷性能的影响．实验结果表明,控制预烧条件可以获得低阻高性能ＰＴＣ材料所希望的良好显微结构,有利于实现ＰＴＣ热敏陶瓷的低阻化     

微波烧结PTC BaTiO3陶瓷的工艺与性能研究

利用微波烧结这种新技术，进行了微波烧结ＰＴＣ ＢａＴｉＯ３陶瓷的研究，分析了烧结工艺性能的影响，并给出了实验结果和结论。     

石油焦制备RBSC的烧结特性及工艺初探

采用石油焦碳粉为原料，代替ＳｉＣ－Ｃ粉的混合配料，制备反应烧结ＳｉＣ陶瓷（ＲＢＳＣ）。考察了渗入反应烧结ＳｉＣ高致密化烧结机理，发现使用超细碳粉成坯，通过采取一定的工艺措施，控制生坯的碳和气孔的分布状况，可以制备与常规ＲＢＳＣ性能一致的材料。     

烧成温度对PTC陶瓷性能的影响

本文通过 Ｂａ０８０ Ｐｂ０．２０）Ｔｉ１．０１Ｏ３＋０．１５ａｔ％Ｎｂ２Ｏ５＋０．１５ａｔ％Ｌａ２Ｏ３＋ｘＦｅ２Ｏ３＋ｙＭｎＯ２形成中的受主物质含量（ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％）的变化做了烧结实验研究,分别讨论了烧成温度对单。双受主掺杂配方的ＰＴＣ陶瓷性能的影响。实验结果表明：在受主掺杂ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％的范围内存在最佳烧成温度１１５５℃～１１６５℃,使ＰＴＣ陶瓷具有较好的性能。     

LDPE／炭黑复合导电材料PTC／NTC效应形成机理的探讨

本文从ＬＤＰＥ／炭黑复合导电材料的结晶性能出发，探讨了复合材料电阻率的正温度系数（ＰａｓｈｉｖｅＴｅｍｐｅｒａｔａｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ，简称ＰＴＣ）效应和负温度系数（ＮＴＣ）效应的形成机理，认为ＰＴＣ效应是由聚合物熔融时发生的晶相向非晶相的转变以及由此而产生的热膨胀共同引起，ＮＴＣ效应主要与炭黑粒子的附聚效应有关。     

有机复合PTC热敏电阻的研制

复合材料和复合技术是当今材料科学发展的热点，文中介绍了有机复合ＰＴＣ热敏材料的设计基础及工艺，详细讨论了工艺因素对ＰＴＣ热敏材料性能的影响，给出了获得良好有机复合ＰＴＣ热敏材料的工艺条件。     

堇青石红外辐射导电陶瓷的制备研究

根据材料复合的构想，以传统的固相烧结工艺制备出了堇青石红外辐射导电陶瓷，并进行了相关性能的测试，得出最佳配方及最佳工艺条件。     

石墨造孔PTCR性能和结构的研究

对采用规模工业级原料取得的石墨造孔ＰＴＣＲ的工艺技术、性能和微观结构进行了全面的研究和探讨。当石的质量分数为１．０％时，采用快速升温、自然冷却的方法，可得到室温电阻率低、升阻比高、温度系数大的热敏电阻；通过对样品微观结构的分析，提出了多孔ＰＴＣ效应主要起因子晶界氧的吸附，而晶粒细小并非是必需的条件的观点，并借助Ｈｅｙｗａｎｙ模型作了进一步的理论解释。     

碳粉注浆成型初探

通过对碳粉料浆性能与ｐＨ、分散剂加入量及Ｚｅｔａ电位关系的研究，确定了料浆制备的最佳工艺条件，获得了能满足用全碳质材料渗硅，制备反应烧结碳化硅的料浆，样品烧结密度和抗弯强度分别达２．９５ｇ／ｃｍ＾３和２２５ＭＰａ。     

二次烧结对KNN-LS-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相烧结法和二次烧结工艺制备了xBi(Mg0.5Ti0.5)O3-0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3(xBMT-KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了二次烧结工艺对xBMT-KNN-LS陶瓷性能的影响。结果表明:采用传统的陶瓷烧结工艺所得到的性能为压电常数d33=220 pC/N、平面机电耦合系数kp=39.6%、介电损耗tanδ=6.38%。而采用二次陶瓷烧结工艺得到的最佳性能为d33=254 pC/N、kp=37.8%、tanδ=4.81%,因此,二次烧结对该体系的压电性能有显著的影响。     

堇青石红外辐射导电陶瓷的制备研究

根据材料复合的构想,以传统的固相烧结工艺制备出了堇青石红外辐射导电陶瓷,并进行了相关性能的测试,得出最佳配方及最佳工艺条件.     

Cr_2O_3、Al_2O_3掺杂V_2O_3系PTC陶瓷的制备与特性

本文在还原性气氛（Ｈ２）中制备出Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３掺杂的Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷。测量了材料的电阻率、采用ＸＲＤ、ＳＥＭ分析了材料的结构。并初步讨论了液氮淬冷对Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的结构及ＰＴＣ性能的影响。     

烧结Fe基—TiCp复合材料研究

分析了Ｆｅ基与Ｔｉ－Ｃ直接反应制备Ｆｅ－ＴｉＣｐ复合材料的工艺复合强化机制,初步优化了工艺参数。结果表明,一定的ＴｉＣｐ含量有其对应的最佳烧结温度;而烧结保温时间对材料的性能无显著影响。流传火处理后能显著提高Ｆｅ基－Ｔ复合材料的硬度及耐磨性。     

三氧化二钒—聚合物导电复合材料电阻热敏特性的研究

Ｖ２Ｏ３粉末为填料聚乙烯（ＰＥ）及环氧树脂（ＥＰＯＸＹ）为基体的复合型导电高分子材料电阻随温度的变化具有低温（－１００℃）ＮＴＣ效应和高温ＰＴＣ效应．低温ＮＴＣ源于Ｖ２Ｏ３相变导致的电阻下降，高温ＰＴＣ源于填料和基体的复合效应：即基体膨胀引起填料导电网络开断．ＰＴＣ转变温度接近基体熔点（Ｔｍ）或玻璃化温度（Ｔｇ）．填料体积分数略大于临界体积分数时，ＰＴＣ转变温度较远地低于Ｔｍ或Ｔｇ，更换基体能改变ＰＴＣ转变温度．ＰＴＣ转变后出现高温ＮＴＣ，它产生于高温基体软化填料导电网络的自修复．     

不同TiO2晶型对PTCR启动元件恢复特性的影响

分析了国产及日本产ＰＴＣＲ（热敏电阻）元件作为电冰箱压缩启动器时,其恢复时间差异的原因。实验时分别取日本产金红石结构和国产锐钛矿结构的ＴｉＯ２为原料,与同种国产ＢａＣＯ３粉末反应,采用同样的电子陶瓷烧结工艺制备ＰＴＣＲ样品。分析启动元件电阻－温度特性曲线发现：国产ＰＴＣＲ元件高温时的温度系数αＴ低于日产样品,国产启动器恢复时间较长是由于制备国产样品的主要原料ＴｉＯ２是锐钛矿结构,而日产样品则是金红     

烧结氮化硅陶瓷的显微结构

通过透射电子显微分析和能谱分析，深入仔细地研究了烧结Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＯ－ＣｅＯ２陶瓷的微观结构及其性能的关系，发现当烧结温度为１８００℃时，ＭｇＯ在烧结过程中会自动析晶，烧结体的玻璃相只有铈硅酸盐而几乎没有ＭｇＯ，当烧结温度高于１８５０℃时，容易产生异常长大的二次Ｓｉ３Ｎ４晶粒，从而使烧结Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的性能下降。并观察到了其中的亚晶粒、晶界及位错等微观结构。     

PTCR半导瓷银镍电极的研究

本文对ＰＴＣＲ半导瓷元件的银镍电极进行了研究，并测试了其电阻值，电阻温度特性、耐电压性能。使ＰＴＣＲ半导瓷元件与银镍电极形成理想的欧姆接触，延长了ＰＴＣＲ半导瓷元件的使用寿命。     

β—Ca3（PO4）2陶瓷人工骨的组成与结构特征

通过对人体骨盐成分及骨显微结构的分析，选择磷酸盐系统的β－Ｃａ３（ＰＯ４）２陶瓷作为人工骨材料，采用合适的粘粘剂，成孔剂和烧结工艺，结合对材料的显微结构分析，制备出了多孔块状材料，体外溶解实验发现β－ＴＣＰ陶瓷的溶解性能， 依据材料的结构和成分发生变化，从而为临床应用和材料制备提供了依据。