综述：无声放电臭氧发生器的研究进展

臭氧在水处理，空气净化，器具消毒等多方面具有广泛应用。而工业上应用最为广泛的具合成方法是无声放电法。     

交流无声放电暂态过程的理论分析

根据交流无声放电机理的物理模型,提出分析其暂态过程的数学模型。然后由其解析解计算这种无声放电的着火特性和放电电流密度对时间的依赖关系,并与实验结果相比较。最后简要地讨论了计算结果与实验结果间的差距。     

无声放电辅助激励CO2激光器的研究

用具有扁平放电截面的等离子体管设计一种新颖的 CO2 激光器 ,并用纵向辉光放电和横向无声放电同时激励。阐述了这种激光器的设计原理 ,理论上讨论了激光管内电子浓度的横向分布 ,实验研究了它的工作特性 ,并与仅用辉光放电激励的情况进行比较。实验表明 ,由于横向无声放电的作用使这种激光器的激光功率、工作气压和工作气体中氮的比例有明显的提高 ,激光效率也有所提高 ,而且放电电流能兼顾最大激光输出功率和最佳效率。     

电磁波在气体放电快速产生的等离子体中传播

本文根据气体放电的平均电流密度表达式，通过解麦克斯韦和波关方程，求得了电磁波与气体放电快速产生的等离子体工作用时场的表达式。并对圆极化平面电磁波进行了讨论，得到场的表达式、反射和传输系数。     

等离子体显示技术

本文详细介绍了等离子体显示技术的基本原理，性能特点，关键技术及彩色显示技术的最近进展。     

介质阻挡无声放电中电子温度和电子能量分布的探极诊断

用对称双探极和非对称双探极分别诊断氖气中介质阻挡无声放电的电子温度和电子能量分布.本文概述其诊断技术的原理、装置和实验结果,并分析讨论了实验结果.实验表明,这种放电的电子温度随着气压的增加而减少,并明显高于相应气压下的直流放电电子温度,而且,其电子能量分布明显偏离Maxwellian能量分布.     

微放电阵列构成的直流平板等离子体显示技术

设计了一种新颖的放电结构,它是由“微空心阴极放电”与“封闭微空心阴极放电”串联,然后并联构成的微放电阵列。它产生的高气压高电流密度辉光放电等离子体能够用来制作平面等离子体显示或光源。利用该放电结构进行了空气直流放电实验,在2.7~66.7kPa的气压范围都能够产生稳定的直流放电。测量了气压p=27kPa时的伏安特性和电流I=9mA时的放电图。测得的伏安特性曲线在整个放电区域都具有正的微分电阻特性。估算的电流密度为63.7A/cm3;功率密度为3.44×103W/cm3;电子密度在1013cm-3量级。实验结果表明该结构能够用于直流平板等离子体显示。     

电弧涂层螺旋电极无声共振放电二氧化碳激光器

研制成功了共振逆变器激励无声放电快速轴流二氧化碳激光器，其电极是以电弧涂层法制作，覆盖于石英放电管的外壁。电极几何形状采用了平行和螺旋等方式，实验证明螺旋电极比平行电极的放电更为均匀，输出也较高。此激光器以ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝１：１７：２的混合气比及５ｋＰａ的氧压操作，输出２２５Ｗ功率时能量转换效率８％。     

基于软质放电管的等离子体线型天线

用等离子体代替金属制作天线进行信号发射与接收,其应用范围十分广泛,但常规等离子体天线采用硬质玻璃管或石英管构建,易受损且难以改变形状。文中提出采用常用软质真空管结合气体放电,激励电源、馈电、屏蔽、耦合装置等构建等离子体线天线。改变放电功率和天线形状,可使天线的通信频带范围从100 MHz 调节到300 MHz,3 dB 增益带宽最大达100 MHz以上,与相同形状的常规等离子体天线相比,性能相差不大。同时,该天线不仅可以实现阻抗、方向性的动态重构,也能够满足左旋圆极化、右旋圆极化转化的需求。该研究可以为实现与优化可重构等离子体天线、以及在航空、航海等军民融合领域的应用做参考。     

微空心阴极放电与高压辉光放电等离子体源

首先综述了微空心阴极放电的基本原理,然后详细论述了微空心阴极维持的辉光放电(MCSD)以及MCSD的放电参数对产生大体积高压辉光放电等离子体源的影响,最后论述了MCSD运行方式对产生高压辉光放电等离子体源的影响。     

辉光放电等离子体鞘层的计算机模拟

本文利用蒙特卡罗方法,模拟了氩气辉光放电鞘层内离子的运动过程,得到了不同气压和不同放电电压下离子入射阴极的能量分布和角度分布。模拟基于离子与中性原子的电荷转移碰撞和弹性散射两种物理过程,并且分别考虑了碰撞截面与能量相关和不相关两种情况。同时较为系统地研究了放电参数对离子能量分布和角度分布的影响。     

介质材料对等离子体激励器放电特性的影响

选取不同组织结构的4种绝缘介质材料:陶瓷(含氧化铝99％,Al2O3)、聚四氟乙烯(氟塑料)、有机玻璃、环氧树脂,在相同外加激励作用下,研究不同介质材料和不同厚度的同一介质对放电特性的影响.结果表明,不同绝缘介质材料和不同厚度的同一介质阻挡层对介质阻挡放电特性都有明显差异,介电常数较大(陶瓷)、厚度较薄的绝缘介质材料易产生强烈均匀的放电,并解释了试验结果的合理性.     

CF4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用

键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合.再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合.硅片键合强度达到了体硅的强度.实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果.     

DP-9型512×256线交流等离子体显示板

本文主要叙述了交流等离子体显示板结构、工作机理、结构参数设计、材料选择及主要技术关键,并介绍了研制结果。