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以功率晶体管BU406管芯为例采用背面多层电极工艺,大大提高了器件的抗热疲劳性、稳定性和可靠性。产品合格率和间歇工作寿命均达到了国内外同类产品的先进水平。 相似文献
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分析了无焊料焊接工艺对芯片背面金属化的要求,以及几种典型的无焊料焊接芯片背面金属化结构及其基本工艺方法。 相似文献
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本文给出了高压台面功率晶体管工艺分析,不仅为器件的工艺设计提供了依据,而且明确地指出了影响器件制造成品率的主要因素。 相似文献
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本文概述了金刚石的材料特性、金刚石晶体管的结构和工艺。预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下,连续输出功率200W,在100GHz下,连续输出1W。 相似文献
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晶圆超薄磨片工艺是为减小功率开关管导通电阻,工艺中存在超薄晶圆磨片后转运过程中破片及超薄晶圆背面蒸镀金属等问题.现有的晶圆磨片的一般厚度为200μm,超薄磨片的目标是100μm.本研究采用同一批次晶圆,分批,2片超薄研磨,其他采用正常工艺减薄,封装测试条件相同.对比封装测试完毕的器件的导通电阻,超薄研磨器件的导通电阻减小约10%. 相似文献
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功率半导体器件芯片背面多层金属层技术 总被引:1,自引:1,他引:0
本文阐述了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座间电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。 相似文献
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首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 RCA器件直流增益的温度特性的影响及对微波性能的影响 相似文献
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论述了RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点,从与双极晶体管相比较的角度,讨论了这种器件的优异性能,对其发展动态和应用情况作了介绍。 相似文献
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本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。 相似文献
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多层片式瓷介电容器贱金属电极的制造方法 总被引:8,自引:2,他引:6
为了满足多层片式瓷介电容器MLCC小型化、大容量和低成本方向发展的要求,基于国内外对多层片式瓷介电容器以贱金属取代钯银体系作为电极的研究及应用,研究了以Ni为内外电极的BME-MLCC 的制作工艺,对工艺中排胶、烧成、烧端等关键工艺作了机理性探讨。通过选取电极材料、气氛控制和温度控制等,对以Ni为内外电极的多层片式瓷介电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证。 相似文献