共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命.结果表明,Si3N4/SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命,这说明Si3N4/SiO2叠层栅介质有更高的可靠性. 相似文献
4.
槽栅MOS器件的研究与进展 总被引:3,自引:1,他引:2
随产丰VLSIK器件尺寸越来越小,槽栅MOS器件被作为在深亚微9米及亚0.1范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景,论述了槽栅MOS器件的结构与特点,并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结。 相似文献
5.
——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构. 相似文献
6.
本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。 相似文献
7.
8.
9.
10.
以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命.结果表明,Si3N4/SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命,这说明Si3N4/SiO2叠层栅介质有更高的可靠性. 相似文献
11.
低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20 μm/2 μm)跨导可达45 mS/mm(300 K), 阈值电压为1.2 V;在700 °C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L=52 μm/4.5 μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300 K),阈值电压为0.4 V. 相似文献
12.
阐述了SiGe器件的主要研究方向以及国内外对SiGe材料和器件的研究情况,并对SiGe器件与Si器件和GaAs器件的发展前景进行了比较。 相似文献
13.
研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化 10 nm薄栅 Si O2 的特性 .实验证明氮化后的薄 Si O2 栅具有明显的抗硼穿透能力 ,它在 FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向 FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降 ,氮化栅介质的击穿电荷 (Qbd)比常规栅介质提高了 2 0 % .栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅 Si O2 中引进的 N+离子形成了更稳定的键所致 相似文献
14.
15.
PECVD SiO2 薄膜内应力研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了等离子体增强化学气相淀积(PWCVD)法生长SiO2薄膜的内应力.借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响.同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值. 相似文献
16.
The major purpose of this paper is to find an alternative configuration that not only minimizes the limitations of single-gate (SG) MOSFETs but also provides the better replacement for future technology. In this paper, the electrical characteristics of SiGe double-gate N-MOSFET are demonstrated and compared with electrical characteristics of Si double-gate N-MOSFET. Furthermore, in this paper the electrical characteristics of Si double-gate N-MOSFET are demonstrated and compared with electrical characteristics of Si single-gate N-MOSFET. The simulations are carried out for the device at different operational voltages using Cogenda Visual TCAD tool. Moreover, we have designed its structure and studied both Id-Vg characteristics for different voltages namely 0.05, 0.1, 0.5, 0.8, 1 and 1.5 V and Id-Vd characteristics for different voltages namely 0.1, 0.5, 1 and 1.5 V at work functions 4.5, 4.6 and 4.8 eV for this structure. The performance parameters investigated in this paper are threshold voltage, DIBL, subthreshold slope, GIDL, volume inversion and MMCR. 相似文献
17.
18.
19.
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值. 相似文献