采用分子束外延生长的高性能Si／SiGe异质结双极晶体管

采用分子束外延生长的高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质结双极晶体管＝Ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＳｉ／ＳｉＧｅｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｇｒｏｗｎｂｙｍｏｌｅｃｕ－ｌａｒ－ｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ［刊，英］／Ｇｒｕｈｌｅ...     

双基极Si／Si_（1－x）Ge_x／Si异质结双极晶体管的电特性

双基极Ｓｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉ异质结双极晶体管的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｄｏｕｂｌｅ－ｂａｓｅＳｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓ－ｔｏｒｓ［刊...     

用含氟等离子反应离子刻蚀SiGe合金

用含氟等离子反应离子刻蚀ＳｉＧｅ合金＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＧｅａｌｌｏｙｓｕｓｉｎｇｆｌｕｏｒｉｎｅ－ｃｏｎ－ｔａｉｎｉｎｇｐｌａｓｍａ［刊，英］／Ｚｈａｎｇ，Ｙ，…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ．Ｖａｃ，ｓｕｒｆ，Ｆ...     

Si／Ge_xSi_（1－x）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤

Ｓｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤＝Ｈｉｇｈ－ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｄａｍａｇｅｅｆｆｅｃｔｓｉｎｔｈｅＳｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｙｓｔｅｍ［刊，英］／Ｃｈｅ－ｕｎｇ．Ｒ．…...     

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中SiO_2和SiO_2－Si界面的损伤

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中ＳｉＯ＿２和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ界面的损伤＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｉｎｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅｔｏＳｉＯ＿２ａｎｄＳｉＯ＿２－ＳｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｎｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｏｖｅｒｅｔｃｈ［刊，英...     

用于特大规模集成器件的浅槽隔离

用于特大规模集成器件的浅槽隔离＝Ｓｈａｌｌｏｗｔｒｅｎｃｈｉｓｏｌａｔｉｏｎｆｏｒｕｌｔｒａ－ｌａｒｇｅ－ｓｃａｌｅｉｎｔｅ－ｇｒａｔｅｄｄｅｖｉｃｅｓ［刊，英］／Ｂｌｕｍｅｎｓｔｏｃｋ，Ｋ…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．，Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ，Ｍｉｃｒｏｅｌ...     

热氮化对SiO_2／Si界面辐照加固强度的影响

热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...     

用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上SiC薄膜的厚度

用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上ＳｉＣ薄膜的厚度＝Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｄｅｔｅｒｍｉｎａ－ｔｉｏｎｏｆＳｉＣ－ｏｎ－Ｓｉｔｈｉｎｆｉｌｍｓｂｙａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｗｅｔｅｔｃ...     

μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池中i层的设计分析

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层中Ｎ型或Ｐ型掺杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（＞８００ｎｍ）载流子收集效率，从而增大电池的短路电流     

μc—Si：H p—i—n薄膜太阳能电池中i层的设计分析

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ：Ｈ ｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层或Ｐ型择杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－ＳｉＨ：ｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（〉８００ｎｍ）载流子收集效率，从而增大电池的短路电流。     

硅化物／变形Si_（1－x）Ge_x肖特基势垒红外检波器

硅化物／变形Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ肖特基势垒红外检波器＝Ｓｉｌｉｃｉｄｅ／ｓｔｒａｉｎｅｄＳｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘｓｃｈｏｔｔｋｙ－ｂａｒｒｉｅｒｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［刊，英］／Ｘｉａｏ，Ｘ，…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃ...     

只有两个外部元件的BiCMOS话音电路

只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...     

Electron Mobility of Doped Strained Si_(1-x)Ge_x Alloys Grown on Si(100) Substrate

ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｂｉｌｉｔｙｏｆＤｏｐｅｄＳｔｒａｉｎｅｄＳｉ１－ｘＧｅｘＡｌｏｙｓＧｒｏｗｎｏｎＳｉ（１００）Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ①②ＬＩＢａｏｊｕｎ，ＬＩＧｕｏｚｈｅｎｇ，ＬＩＵＥｎｋｅ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ...     

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光SiO_2／p－Si结构中硅衬底的电特性

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光ＳｉＯ＿２／ｐ－Ｓｉ结构中硅衬底的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒ－ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｎｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｅｎ－ｈａｎｃｅｄｏｒｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｒｆａｃｔｉｖｅ...     

饱和状态下的异质结双极晶体管关断瞬态分析

饱和状态下的异质结双极晶体管关断瞬态分析＝Ｓｗｉｔｃｈ－ｏｆｆｔｒａｎｓｉｅｎｔａｎａｌｙｓｉｓｆｏｒｈｅｔｅｒｏ－ｊｕｎｃｔｉｏｎｔｒａｎｓｉｔｏｒｉｎｓａｔｕｒａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｙｕａｎ．Ｊ．ＳＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎ．－１９９...     

Efficiency analysis of a-SiC:H thin film light emitting diodes

Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙａｎａｌｙｓｉｓｏｆａ－ＳｉＣ：ＨｔｈｉｎｆｉｌｍｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓＺＨＯＵＹａｘｕｎ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＮｉｎｇｂｏＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎｉｎｇｂｏ３１５２１１，Ｚｈｅｊｉａｎｇ，ＣＨＮ）Ａｂｓ...     

Ce_xSi_（1－x）应变层的电和光带隙

Ｃｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）应变层的电和光带隙＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｏｆＣｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒｓ［刊，英］／Ｊａｉｎ，Ｓ．Ｃ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．－１９９３，４０（１２）...     

侧壁基极注入对双极晶体管交流基极电阻的影响

侧壁基极注入对双极晶体管交流基极电阻的影响＝ＴｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｓｉｄｅｗａｌｌｂａｓｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎｏｎｔｈｅＡＣｂａｓｅｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｒａｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ［刊，英］／Ｓａｄｏｖｎｉｋｏｖ，Ａ，Ｄ，…／／Ｓｏｌｉｄ－...     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

反应离子刻蚀引起的SiO_2电特性辐射损伤评估

反应离子刻蚀引起的ＳｉＯ＿２电特性辐射损伤评估＝Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎｄａｍａｇｅｏｎｅｌｅｃ－ｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＯ＿２ｄｕｅｔｏｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｔｓｕａｋａｍｏｔｏ...