复合相变材料的制备方法与应用

本文简述了相变材料的特点与分类情况,对复合相变材料的三种复合方法一直接浸泡法、多孔无机载体和微胶囊复合法进行了详细说明和对比,最后指出复合相变材料的应用以及发展前景。     

原位聚合法制备石蜡微胶囊相变材料

以尿素、甲醛、三聚氰胺共聚物为壁材,以石蜡为微胶囊芯材,采用原位聚合法制备微胶囊结构的相变控温材料,采用SEM、DSC等分析手段对样品的结构和性能进行表征,从而获得影响微胶囊性能的主要因素,以及优化的制备工艺条件。     

相变微胶囊与热红外隐身

在论述了相变微胶囊(PCM)的特点及应用于热红外隐身技术(TIS)的可能性基础上,指出了TIS对PCM的要求、应用条件及困难,首次提出了热反射/温度自适应红外隐身复合涂层(TTC),并对其设计指导思想、涂层结构、涂层功能、实验结果以及在热红外隐身中的应用可能进行了分析.复合涂层面层为降温作用为主的热反射隔热层.中间层为调节温度为主的相变涂层,底层为耐蚀涂层,分析及初步试验结果表明:热反射/温度自适应红外隐身复合涂层在一定温度范围内,具有明显的降温及温度自适应功能,有利于实现目标与背景的红外融合,为对抗双波段红外热像仪反隐身技术提供可能.     

石蜡基复合相变材料制备及低红外辐射表征

以石蜡为相变材料,A1粉为填料,制备出在红外波段具有较低辐射能量的复合相变材料,并对复合相变材料的结构、热性能和红外发射率进行了表征.结果表明:添加40%A1粉的石蜡基复合相变材料的红外发射率可低至0.2,此材料的相变温度是49.8℃,其相变潜热是121.47J/g.采用试板法测试了相变材料石蜡控温效果,并将控温结果与理论计算相结合.计算结果表明,添加40%的A1粉得到的复合石蜡相变材料可以在理论上使其辐射能量至少降低85%.     

相变随机存储器材料与结构设计最新进展

介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等.分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考.     

太阳电池热控相变材料的制备及应用研究

为控制太阳电池工作温度，提高工作效率，根据月硅酸(LA) －硬脂酸(SA)二元复合材料相图和太阳电池的温度特点，制备了SA质量分数分别为30％、75％及90％ 3种LA-SA复合相变材料，并采用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、差示扫描量热(DSC)分析、热失重和步冷曲线法表征了复合材料的热物特性，制备的复合材料具有较好的热稳定性，适合太阳电池的热控 要求。另外，利用5种容量不同封装铝盒设计了相变太阳电池热控系统，并对3种热控系统特性进了实验测试，太阳电池温度降低约6℃ ，测试结果为相变材料与太阳电池的优化配置提供了实验支撑。     

石蜡微胶囊化及其红外伪装隐身性能研究

用石蜡和脲醛树脂制备微胶囊相变材料,测试了微胶囊的各种性能,并对其在红外伪装隐身上的应用进行了研究．结果表明微胶囊相变材料既能够有效地模拟真目标的红外热特征,也能有效地遮蔽目标的红外热特征,具有红外隐真—示假的双重功能．     

高温环境下封装有相变材料的热沉结构优化

高温环境下工作的封装有相变材料的热沉,一方面利用固液相变潜热存储系统吸收电子器件散发的热量,另一方面还要吸收从高温环境传递过来的热量。热沉结构的几何外形是影响上述两个热量传递的关键因素。以热沉总体尺寸、边界条件、热沉和相变材料为约束条件,热沉基部最高温度到达临界温度的最大时间为优化目标,通过数值模拟,获得了热沉翅片高度和宽度、热沉基部宽度和厚度的优化值,优化值兼顾了热沉传热效率和蓄热能力两个方面,并对优化过程中的热沉进行了传热分析。     

钢铁材料的激光表面相变硬化

激光表面相变硬化技术的钢铁工业中的应用具有十分广阔的前景。本文拟对其上前的现状进行探讨，旨在加速将激光表面相变硬化技术应用于工业生产的步伐。     

相变储能材料现状和应用研究

本文主要论述了相变储能材料的分类、性能要求以及应用方面的新进展，并提出了未来的研究发展方向。     

硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜相变速度及电学输运性质研究

利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜.原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变.由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge2Sb2T...     

左手媒质的阻抗边界条件

从Maxwell方程出发,研究了平面波入射到空气和左手媒质的分界面上时,界面附近的电磁场,并将电场和磁场的关系表示为阻抗边界条件表达式,然后与右手媒质的阻抗边界条件进行对比,指出其形式上的统一和计算公式的区别。在此基础上,对多层媒质引用传输线法进行分析,并采用其给出的多层媒质的反射系数计算公式,计算了多层媒质内包含左手媒质时的表面反射系数,并对多层媒质包含左手媒质和右手媒质的情形进行了对比,研究了其反射系数幅度和相位的异同。最后将边界条件应用到阻抗半平面的散射场的计算中,探讨了平面波入射到单面涂敷左手媒质的阻抗半平面上时的散射场,并对场的计算公式作了简单分析。     

初始化条件对Ge2Sb2Te5相变光盘反射率和载噪比的影响

Ge2 Sb2 Te5相变光盘的反射率对比度和载噪比受初始化条件影响很大。研究表明 ,反射率对比度在转速比较低时随功率增加而增大 ,而转速较高时随功率增加而减小 ;反射率对比度基本随转速增加而减小 ,不同波长处的反射率对比度相差比较大 ;载噪比随初始化功率和转速的增加都是先增大后减小 ;最佳初始化条件为 :功率为 110 0～ 130 0mW ,转速为 3 0～ 4 2m s。     

Thermo—analysis of Preparation Process for Electron Trapping Materials

The heated process of raw materials for electron trapping maerials(EMT) is investigated by thermo-analysis method.The temperature range of raw materials experienced some physical and chemical change processes,such as dehydration,organic solvent removal,crystal sulphur burning,oxidation of alkaline earth sulfides and solid phase reaction(rare earth doped)and so on,are obtained.The experimental results also show thaat the presence of oxygen in shielded gas is very harmful to prepare the ETM.The raw material thermo-analysis results provide very important experimental reference for optimizing the ETM preparation techniques.     

Study of Martensitic Phase Transformation in a NiTiCu Thin‐Film Shape‐Memory Alloy Using Photoelectron Emission Microscopy

Thermally induced martensitic phase transformation in a polycrystalline NiTiCu thin‐film shape‐memory alloy is probed using photoelectron emission microscopy (PEEM). In situ PEEM images reveal distinct changes in microstructure and photoemission intensity at the phase‐transition temperatures. In particular, images of the low‐temperature, martensite phase are brighter than that of the high‐temperature, austenite phase, because of the lower work function of the martensite. UV photoelectron spectroscopy shows that the effective work‐function changes by about 0.16 eV during thermal cycling. In situ PEEM images also show that the network of trenches observed on the room‐temperature film disappears suddenly during heating and reappears suddenly during subsequent cooling. These trenches are also characterized using atomic force microscopy at selected temperatures. The implications of these observations with respect to the spatial distribution of phases during thermal cycling in this thin‐film shape‐memory alloy are discussed.     

高介电常数HfO_2栅介质的制备及性能

氧化铪(Hf02)介质材料是目前用来取代Si02的最有前途材料之一.介绍了Hf02的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点.比较了Hf02介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了Hf02介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备Hf02介质材料的最好方法之一.     

Synthesis of Nearly Monodisperse Iron Oxide and Oxyhydroxide Nanocrystals

Uniform magnetite, hematite, and goethite nanocrystals were prepared through an attractive method based on an oleic acid/alcohol/water system. By adjusting the synthetic parameters (base concentration, alcohol content, categories of alcohols, etc.), the controlled synthesis of uniform magnetite, hematite, and goethite nanocrystals can be easily achieved. Detailed investigations on the effect of the experimental parameters on the morphology of the final products and the phase transitions among the magnetite, hematite, and goethite phases were carried out. Finally, a method of doping other metal ions into magnetite was developed and the magnetic properties of magnetite doped with different metal elements were studied.     

溶胶-凝胶法制备无机纳米材料的研究现状

简述了溶胶鄄凝胶法制备无机纳米材料的工艺过程以及溶胶鄄凝胶法在无机纳米材料制备中的应用,尤其是在纳米微粒、纳米薄膜的制备及粉体的表面包覆等方面的应用。分析了溶胶鄄凝胶工艺中的各种影响因素,并指出了今后溶胶鄄凝胶法的研究方向。