共查询到20条相似文献，搜索用时 343 毫秒
1.
《红外与激光工程》1976,(4)
电荷耦合的概念简单而又极其实用,是以电荷包在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的转移为基础的。将简单的电荷耦合器件(CCD)与各种模拟形式结合起来,可以发展成多样化的器件,在红外探测和成象方面,采用电荷耦合器件及其有关的器件,最初引入大面积的探测器阵列是显著改进灵敏度和分辨率的关键。此外,通过这种改进,可以降低电、热损耗,减小体积和重量等。本文评述红外敏感的电荷耦合器件(即IRCCD)的物理特性及工作原理。IRCCD可分为单片器件和混合器件两大类。单片器件的红外敏感衬底可以是窄带半导体,也可以是有适宜杂质电离能级的非本征半导体;混合器件则由选取的各种红外探测器耦合硅标准CCD而 相似文献
2.
红外多元探测器是红外技术重要发展方向之一,国外自六十年代开始研制,十余年来获得迅速发展。在此期间,半导体集成电路臻于成熟,红外多元技术沿用半导体集成电路工艺,使阵列元件尺寸减小、密度提高、一致性改善、成本降低;采用单片非本征硅制造电荷耦合器件,使红外多元探测器和硅半导体集成电路几乎融合成一体。随着红外 相似文献
3.
本文为圣塔巴巴拉研究中心(SBRC)的多元红外探测器阵列工艺的综述。文内探讨了铅盐、锑化铟、碲锡铅、碲镉汞、非本征锗和硅探测器阵列。文内给出了这些探测器材料的各种现有阵列的例子。介绍了两种不同的探测器/电荷耦合器件阵列混合结构:一种是采用垫铟互连的InSb/电荷耦合器件多层结构,一种是采用蒸发互连的HgCdTe/电荷耦合器件多层结构。这些技术提供了低功率、高密度和在焦平面上作低成本时间延迟和积分的优点。 相似文献
4.
引言对红外前视、侦察和跟踪等不同用途来说,都对两维红外探测器阵列非常感兴趣。这种镶嵌阵列因采用电荷耦合器件而发展起来,电荷耦合器件使上述探测器阵列可能实现电子扫描。为了实现上述阵列,通常的办法是采用倒装工艺。在这种工艺中,不同规模的探测器阵列与电荷耦合器件分别制作,而最终的阵列通过将.上述一个探测器阵列背面的接触对准衬底下的接触来实现,许多这样的阵列片子镶嵌成一个大的混合阵列。近四年以来,新英格兰研究中心在格努曼宇航公司的支持下从事开发研 相似文献
5.
国外当前红外材料的研究着重于窄禁带三元半导体和半金属以及非本征硅材料,以制取高灵敏度、快响应速度和高工作温度的器件。近年来,用一系列半导体工艺,在制取高纯材料和制造多元集成器件方面取得一定进展。多元器件一致性和密度有提高,红外电荷耦合器件的研究将对多元阵列的发展 相似文献
6.
电荷耦合器件是一种较新的器件,国外在一九七○年开始公开报导。这类器件的出现,主要影响了电子学的以下领域:探测与成象、模拟延迟、信号处理、滤波及存储。在探测与成象领域内,电荷耦合器件可用在可见、微光和红外三方面。本文首先简单介绍探测与成象用一般硅电荷耦合器件的基本情况,在此基础上叙述探测和成象用红外电荷耦合器件的一些国外研制近况。文中指出,红外探测器阵列与硅电荷耦合器件的混合集成,是近期目标;用红外材料研制单片红外电荷耦合器件,则是其较远期目标。 相似文献
7.
使用致冷红外探测器的热象仪,在军事、医学和工业方面很引人注意。这种仪器用机械转镜扫描,使探测器线列扫过图象。可以使用两种扫描方式:并联扫描——每一个探测器在景物中同时扫一条线;串联扫描——各个探测器依次扫过景物的一个单元。电荷耦合器件在并联扫描中,可供阵列作多路传输用;在串联扫描中,则可进行时间延迟和积分。供可见光用的两维自扫描电荷耦合器件阵列的最近发展,引起人们对起同样作用的红外电荷耦合器件的兴趣。这样就可制出无转动部件的小型轻便价廉的系统。下面讨论红外电荷耦合器件的可能制造途径。 相似文献
8.
本文评述HgCdTe红外探测器焦平面工艺的进展,并对其最大潜力作了估价。 HgCdTe是可调禁带的合金半导体材料,可作成波段在2～14微米内的红外探测器。光导HgCdTe探测器阵列现在已被许多红外系统所采用。霍尼威尔公司和其他一些地方正进一步提高HgCdTe光电二极管的工艺水平,而成结技术对复杂的多元焦平面特别适合。本文小结了2～14微米光谱范围内红外焦平面工艺的进展及其可获得的最佳性能。文中评述了HgCdTe光电二极管与硅电荷耦合器件集成多元两维镶嵌阵列焦平面的方案和进展。最后,对HgCdTe红外电荷传输镶嵌焦平面的潜力作了评价。 相似文献
9.
10.
本文简要介绍由带光腔结构的肖特基势垒红外探测器(SBIRD)和埋沟型曲沟 CCD(BMCCD)、带电荷扫描器件(CSD)红外信号处理器组成的金属硅化物肖特基势垒红外电荷耦合成象器件(MSSBIRCCID)焦平面阵列的结构、制备方法及其进展。 相似文献
11.
电荷转移器件在红外探测器镶嵌列阵信号读出和处理中的应用,使我们能够预见一代新的传感器,其敏感元数将大大增加。在各种可能选择的方法中,确定研究在低“能隙”半导体材料蹄镉汞上制备的单片器件。碲镉汞特别适合于3～5微米和8～14微米波段的红外探测,这是众所周知的。达到这些目的的关键是在光谱窗口、半导体材料的类型、工作温度、寻址和读出方式、信号处理等限制条件中作最佳选择。本文第一部分叙述通过电荷转移进行读出的矩阵的基本结构模型。这种MIS元件探测红外辐射并积分产生的电荷。要实现这两种功能,必须改进红外系统的设计。根据研究这种模型的结果,可以预计这些器件的性能。第二部分叙述二维矩阵的寻址和读出方式。比较电荷注入器件和电荷耦合器件,根据工艺和材料性质,择优选取。参照上述结果,讨论实现这样一个矩阵所作的可能择选。最后介绍实现8×8元矩阵的方案。 相似文献
12.
硅红外探测器阵列常由肖特基势垒探测器单元组成,这些单元通过转移栅和常规电荷耦合器件(CCD)的移位寄存器相连接。描述的新型器件结构是把探测功能和移位寄存器功能合并入一个肖特基单元,其优点是大大增加了探测器占空系数,及在给定尺寸的芯片上构成更大型探测器阵列的可能性。 相似文献
13.
几十年前研制了冷却式红外(IR)探测器阵列。与电荷耦合器件(CCD)阵列类似的是,最初的设计是用于空间探测;与CCD不同的是现在发现,从消费品如视频摄像机到医用和工业用机器人视觉系统,每样东西都用到冷却式红外探测器阵列。但是,IR阵列非军事市场的增长一直受到限制,主要原因是装置的费用高和IR探测器系统复杂。最近研制成功一种新型的微小硅基热敏电阻探测器阵列,不需要冷却。微小热敏电阻探测器阵列在性能应用方面显著地不同于传统IR 相似文献
14.
15.
本文评述了红外电荷转移器件可能的系统应用.文章表明,掺杂硅器件工艺将会给系统应用带来巨大的影响.对硅探测器的量子效率,量子输出,频率响应,光电导增益,工作温度,噪声以及纵向与横向编压之间的差别进行了数学分析。列出了硅探测器的性能表。试验了将探测器耦合到电荷转移器件分路器的互连线路方法.给出了低背景和高背景条件下红外电荷转移器件的实例。 相似文献
16.
本文着重介绍金属硅化物肖特基势垒红外探测器阵列（MSSBIRDA），碲汞电荷注入器件（HgCdTeCID)，电荷成像矩阵（CIM），锑化铟电荷注入器件（InSbCID)以及砷化镓／砷铝镓（GaAs/GaAlAs)多量子阱单片式红外焦平面阵列的现状。 相似文献
17.
18.
红外摄像用的红外探测器固体扫描式红外摄像器件和可见光电荷耦合器件一样,基本上由信号探测部分(红外探测器)和扫描结构(电荷耦合器MOS移位寄存器)构成。因此,二者的基本差别只在辐射输入的信号探测部分。而如后面所 相似文献
19.
本文评述了红外电荷传输器件应用到系统的可能性。文章表明,器件工艺将给系统带来很大的影响。计算了量子效率、量子增益、频率响应、光电导增益、工作温度、噪声以及在硅探测器上加纵向与横向偏压之间的差别。列出了硅探测器性能表。研究了将探测器耦合到电荷传输多路传输器互连电路的方法,并给出了在低背景和高背景条件下,红外电荷传输器件探测器列阵的实例。 相似文献
20.
一、引言在直接注入的红外CCD中,光生电荷是直接引入CCD移位寄存器的。因为这实际上是个直流耦合系统,而CCD处理电荷的容量有限,所以,只有直流电很小的探测器(即光伏本征探测器)可以与CCD耦合。直接注入红外CCD的关键参数是注入效率,它的定义是引入CCD的电荷与探测器产生的总电荷之比。本文证明,注入效率与频率 相似文献