硅的反应离子刻蚀工艺参数研究

对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.     

镀镍液中金属杂质掩蔽剂的研究

提出一种抗金属杂质添加剂的方法──掩蔽法,使杂质金属离子与镍离子产生共沉积,从而消除了杂质金属离子的积累,并获得了优良的镀层．实验证明GT掩蔽剂能消除镀镍溶液中杂质金属高于Zn2 、Fe3 、Al3 、Cu2 等的不良影响,并能同时消除四种杂质的影响．与美国产品Oxyfin999除铜杂质掩蔽剂进行了对比．     

感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN

采用Cl₂/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al_0.27Ga_0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl₂/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O₂对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al_0.27Ga_0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al_0.27Ga_0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大．     

用SF6/O2气体ICP刻蚀硅深槽基片温度对刻蚀速率的影响

以SF6/O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si,当功率为500W,偏压为250V,气体流量45mL/min,压力分别为2.7Pa6、.7 Pa、11Pa时,基片温度的改变对其刻蚀速率的影响。实验结果表明:进行室温刻蚀(≥0℃)和低温刻蚀(≤0℃)时,其刻蚀机理不尽相同,当基片温度为0℃~80℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向同性的化学反应刻蚀。当基片温度为-120℃~0℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向异性的物理刻蚀,可以获得理想的尺寸和形貌。     

掩蔽声系统的研究与开发

针对综合办公室的敞开式布局,使相邻工作单元之间存在着相互干扰和谈话保密性差等问题,依据声掩蔽效应理论和产生伪随机信号的递椎理论,提出了利用单片机和微电子技术开发新的掩蔽声源及其系统的方法．结果表明,该掩蔽声系统可消除噪声干扰,达到语音保密的目的．     

半刚性基层沥青路面透层材料的合理选择与应用

沥青路面透层的合理选择与应用对于维持沥青路面整体强度及使用性能具有重要意义.文中探讨了沥青路面透层的概念、功能,对半刚性基层沥青路面透层材料的选择进行了说明,提出了透层沥青的技术要求与控制方法.     

CFRP层合材料拉伸力学行为及材料参数研究

土木工程领域常采用外贴FRP加固混凝土结构,尤其在施工受限的空间环境,湿糊FRP层合材料的材料参数取值,成为FRP加固混凝土结构的核心问题与关键问题。按照现行相关规范和加固安装流程,制作了湿糊CFRP层合样条和拉伸试样,通过拉伸试验,研究了CFRP层合材料的拉伸力学行为;试验结果显示,在单调加载情况下,层合试样拉伸呈现良好的线弹性特征,试样的极限断裂应变小于CF布的极限断裂应变和树脂基的拉伸屈服应变,试样的极限拉伸强度与弹性模量随纤维层数的增加呈非线性衰减;基于不同层数层合试样的拉伸试验数据,提出了CFRP层合材料的修正混合法模型,弥补了现行规范在相关方面的疏漏与不足,提高了CFRP加固工程结构分析的科学性和可靠性。     

产品设计中材料选择的新思路

通过对传统设计中产品材料选择的主要因素及其不足之处的分析 ,从环保角度提出了产品设计中材料选择的新思路 ,强调了材料在加工、制备、使用和废弃、回收过程中与环境的相容性和协调性 ,并提出了绿色材料选择的准则     

空气渗透对房屋围护结构多孔材料层湿度的影响

研究了空气渗透作用下房屋围护材料层的湿性态，导出了材料层中水蒸汽分压力的分布，说明了由于空气对材料层的渗透，使得水蒸汽分压力的分出现了偏差，这种偏差能够解释自然通风状态下外墙的燥湿现象，从而弥补了现有理论的不足。     

基于碳纳米管的双电层电容器

碳纳米管由于具有良好的导电性、较高的比表面积、优良的化学稳定性。因而被认为是超级电容器的理想电极材料，本文制备了基于碳纳米管的双电层电容器，其比容量为21F/g，等效电阻为2Ω，漏电流为1.5mA，同活性炭相比，碳纳米管电极因为独特的孔隙结构而具有高的比表面积利用率和低的等效电阻，在高功率大容量电容器方面有着广阔的应用前景。     

Experimental Study on Wax Protective Coating for Wet Deep Silicon Etching Processes

Inthefabricationofsilicon basedMEMSde vices,3Dstructuresneedtobeformedbymeansof anisotropicetchingprocesses,inwhichcavities,can tilevers,diaphragmsandahostofotherstructuresare carvedoutofamonolithicsiliconsubstrate.Anisotropicwetetchingprocesseswithconcen…     

硅各向异性腐蚀的计算机模拟

介绍了硅各向异性腐蚀的特点和采用的模型,分析影响硅各向异性腐蚀速率的因素,然后借助计算机MEMS CAD软件ACES和IMEE对硅在KOH溶液情况下各向异性腐蚀情况进行了模拟,其模拟结果对硅各向异性腐蚀速率的研究有一定的参考价值.     

硅各向异性腐蚀的计算机模拟

介绍了硅各向异性腐蚀的特点和采用的模型，分析影响硅各向异性腐蚀速率的因素，然后借助计算机MEMSCAD软件ACES和IMEE对硅在KOH溶液情况下各向异性腐蚀情况进行了模拟，其模拟结果对硅各向异性腐蚀速率的研究有一定的参考价值．     

808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究

为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除＂燕尾＂结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。     

硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨

本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验.对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析.通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵.其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术.     

逆常规选择性阳离子交换树脂的合成及性能研究

聚苯乙烯氯球经Ｆｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ后交联反应以后再磺化,合成一类具有较高交联度和较低交换容量的阳离子交换树脂。经测定其对Ａｇ＋及其它贱金属离子的交换性能,研究了树脂交换容量对其选择性的影响。结果表明该类树脂对Ａｇ＋的选择性明显高于普通阳树脂。     

暂态电流保护选择性的研究(Ⅰ)--故障暂态过程分析

针对保护出口处发生金属性或小电阻短路故障时，暂态电流保护完全失去选择性的严重缺陷，利用时域分析方法，进行了详细的故障暂态分析和仿真研究。研究结果表明，线路出口故障时暂态电流保护完全失去选择性的根本原因是，在给定的采样频率的限制下，难以捕捉到过渡过程中极其短暂的母线分布电容中的暂态电流，从而故障线路与非故障线路暂态电流波形的奇异性相近，根据故障线路和非故障线路的暂态保护判据计算结果不能正确识别故障线路。     

彩色金相技术在焊接金相中的应用

采用彩色金相的方法研究了焊接接头金相组织,通过对普通低合金钢,奥氏体/铁素体异种钢焊接接头的研究表明,用彩色金相方法可以很清晰地显示黑白金相无法显示的组织。无论是对焊缝还是对热影响区组织,用彩色金相方法显示,都可以提高组织衬度及分辨率。彩色金相分析技术有助于焊接接头组织的研究,很值得推广。