一种新型涂丝钙离子场效应敏感器件

自从1970年P.Bergveld首先发现将MoS场效应管(MoSFET)的金属栅去掉,直接让绝缘栅(SiO_2或Si_3N_4)与溶液接触,能对H~ ,Na~ 产生Nernst响应,研制成功了H~ 、Na~ 场效应敏感器件(ISFET)。1978年,P.Mcbride等利用P—(1、1、3、4—四甲基丁基苯基)磷酸制成了Ca~(2 )场效应敏感器件。本文研制了以二一(二异辛基苯基磷酸)钙为电活性物质制成离子敏感膜,涂层于MOSFET栅极引出线(Pt丝)上,制成涂丝Ca~(2 )—ISFET。并测定了它的性能。     

一种新型的PVC涂丝氢离子场效应敏感器件

P.Bergvld在1970年发现将Mos场效应管的绝缘层栅siO_2或Si_3N_4与溶液相接触,能对H~+产生Nernst响应。随后到1975年S.D.Moos利用PVC膜离子选择敏感材料涂层于上述场效应管绝缘层栅上,制备成功了各种类型的离子选择性场效应管敏感器件(总称ISFET)。近年来国外许多学者研制PVC膜pH电极获得较宽线性范围和较好的选择性。     

涂丝钾离子和钙离子场效应敏感器件在生物学研究中的应用(Ⅵ)

一、引言近年来离子敏感场效应传感器(简称ISFET)发展十分迅速,成为半导体传感器的重要组成部分。ISFET是一种测量溶液中离子活度的微型固态电化学敏感器件。它是由离子选择电极敏感膜与半导体场效应管(简称MOSFET)相结合起来的一种特殊离子探针。ISFET具有输入阻抗高,输出阻抗低,结构紧凑,体积小,响应快,多功能,集成化等优点。1970年P.Bergvld研制了氢,钠离子的ISEET,并用于生物医学究研中的     

一种新型的涂丝场效应离子敏感器钾,钙微电极的研制

近年来离子敏感场效应传感器(简称 ISFET)发展十分迅速,成为半导体传感器的重要组成部分。ISFET 是一种测量溶液中离子活度的微型固态电化学敏感器件。它是由离子选择电极敏感膜与半导体场效应管(简称 MOSFET)相结合起来的一种特殊离子探针。ISFET 具有输入阻抗高,输出阻抗低,结构紧凑,体积小,响应快,多功能,     

一种新型的药物(麻黄素)场效应敏感器件(Ⅴ)

麻黄碱是一种从麻黄科植物草麻黄中提取出来的一种生物碱,是一种拟肾上腺素药。目前麻黄素碱常用紫外分光光度法薄层色谱高效液相色谱核磁共振等方法测量。但一般需要昂贵仪器设备和麻烦的测试手段。1975年深町和美报导了PVC膜的麻黄素碱选择电极作者使用邻苯二甲酸二丁酯为溶剂,四苯硼盐为沉淀剂研制成麻黄素场效应敏感器件(简称麻黄素—FET),测定了性能参数,并应用麻黄素—FET测定了样品滴鼻剂的麻黄素含量。     

一种新型测温器件

正温度系数温敏二极管系利用特定结构下半导体内载流子产生及其散射机构的热效应而制成的一种新颖测温器件.文中介绍了该器件的工作原理、结构、制造和主要性能特点.     

一种新型光耦器件

介绍一种光耦器《又称电流—电阻变换器)的结构、工作原理及特点,给出了一例实际特性曲线,还介绍了该器件可以应用的几个方面.     

条状晶体管—一种新型器件

新型条状晶体管如图1和2所示,虽然它是专为补充二投管矩障部件,做为逻辑组件(Bipcot)的组成部分而设计的,其实还有很多其他应用,这种条状晶体管通常有一个公共发射极,其最大电流增益为50倍。     

一种新型FPGA器件延时计算方法

在深亚微米工艺条件下,被广泛使用的Elmore模型明显高估FPGA互连线延时;通过对RC电路冲激响应的研究,提出了采用前3阶矩确立主极点模型来计算FPGA连线延时的方法;该方法实现了计算精度和计算复杂性的折中,理论上证明该方法适用于任何结构RC电路,并且小于Elmore延时;实验表明,该方法对于远端节点估计的延时值和Spice仿真值相差不到1％;应用于商用FPGA,计算所得互连线延时的平均误差小于Elmore模型的三分之一。     

一种适合离子敏感场效应晶体管的流动注射分析装置的研制

本文介绍了一种适合离子敏感场效应晶体管(简称 ISFET)的流动注射分析装置的设计及制做,该装置采用一体化的设计,具有结构简单、流动性能好,分析精度高、响应速度快、样品量少、操作简便等优点,可适合各种离子敏感场效应晶体管的流动测量,对离子敏感场效应晶体管的实用化起到一定推动作用。     

衬底型离子敏感场效应晶体管

衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏感膜的活性区与测试溶液接触,引起漏源电流变化。本文从理论上推导出了衬底型器件漏源电流的计算式。     

氯离子敏场效应器件的研制

本文介绍以AgCl难溶盐镀层作为电极第一层,以双酚A型环氧树脂、氯化十八烷基二甲基苯甲胺和聚酰胺的混合物作为电极第二层而制出的一种新型涂丝氯离子敏场效应器件(C1-ISFET)。该器件在Cl~-浓度5×10~(-5)～1×10~(-1)M范围内具有较好的Nernstian响应。本文也讨论了器件的选择性、pH范围及稳定性。     

脱落酸敏感场效应传感器的研制

脱落酸是一种植物抑制型的植物激素。它在植物组织中的水平与植物活跃生长成负相关。了解植物内源脱落酸的动态变化,以及在不同情况下,分别与赤霉素、生长素、细胞分裂素的拮抗作用。这对揭示植物激素如何调节和控制植物的生长、发育有着重要的意义。脱落酸在植物体内含量甚微,长期以来采用化学方法萃取,然后再用旋光色散,紫外分光,气液相色谱,生物鉴定等多种方法测定,这些方法都存在提取分离步骤繁多,专一性低,精确度差等缺点。1970年 P.Bergreld 首先报道研制成 H~+,Na~+—ISFET。随后在1975年 Moss 和 Janata 等     

声表面波敏感元件——一种新型敏感器

一、前言 敏感技术是近代科学技术中带有方向性的学科,它与自动化技术是一对孪生的姐妹。前一段时间,国外由于敏感技术与计算机技术没有协调发展,出现了“大脑(计算机)发达,五官(敏感元件)迟钝”的局面。 日本“日经事业”人员对30位著名高级技术人士调查指出,今后十年中值     

一种新型三维敏感气体传感器的研究

在平面微电极式结构的基础上,提出了一种新型薄膜气体传感器,其主要结构引用了离散阵列的概念,将传统的长方体型薄膜改进为由多条小长方体有间隔的并行排列的离散结构,使敏感薄膜具有了三维敏感效应。根据半导体气敏薄膜的扩散响应理论,对传感器的响应时间和灵敏度特性进行了理论分析,证明新型传感器具有响应时间更短、灵敏度更高的优点;并分析了薄膜厚度对传感器响应时间的影响。     

半导体温度敏感器件

<正> 本文就半导体温度敏感器件的原理、特性及应用等作一阐述。 六十年代初,美国为了适应低温及超导技术发展的需要,首先研制和生产了砷化镓温敏二极管,之后,又研制和生产了硅温敏二极管。 在一定模式的工作电流下,二极管的正向电压与温度之间具有良好的线性关系,温敏二极管就是利用这一特性工作的。     

敏感陶瓷材料和器件

<正> 本文对敏感陶瓷材料及其器件应用作了概述。敏感陶瓷是指对信息感受和功能变换具有敏感特性的多晶无机材料,它属功能陶瓷的一个重要组成部分。特别是近年来,随着计算技术的迅速发展和对敏感器件的迫切要求,敏感陶瓷及其器件应用等方面的研究开发正不断扩     

非晶硅敏感器件研究进展

非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α-Si:H膜通过掺杂能够形成PN结,即能够实现价电子的控制.因此,本世纪70年代后期围绕α-Si:H的应