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加速寿命试验是为缩短试验时间,在不改变故障模式和故障机理的条件下,用加大应力的方法进行的试验。随着元器件水平的迅速提高,高可靠、长寿命的产品越来越多,在正常应力水平下进行寿命试验来评定产品的可靠性已不能满足实际需要,代价很高,不现实,目前广泛采用了加速寿命试验。本文介绍了加速寿命试验方法及评估,并给出了案例。 相似文献
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本文以CO传感器为例,提供了一种气体传感器加速寿命试验方法,根据该方法得到的实验结果,我们可以对采用了气体传感器的装置在某技术指标范围内估计气体传感器的可靠性。 相似文献
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基于退化轨迹的评估方法是退化型产品进行可靠性评估的主要方法,适合于对具有退化失效机理的高可靠长寿命产品进行可靠性评估;基于退化轨迹的可靠性评估方法首先选取合适的退化轨迹模型,利用退化数据对退化轨迹进行模型拟合得到模型参数,然后根据退化轨迹外推得到伪失效寿命,最后基于伪失效寿命利用最小二乘法进行统计分析确定产品的失效分布,并通过假设检验的方法选择拟合度最优的分布;本文以大功率开关的加速退化试验数据为例进行了分析和说明. 相似文献
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介绍了产品寿命服从威布尔分布的恒定应力加速寿命试验的图估计法的应用,并具体进行了试验方案的确定、可靠性数据分析以及产品寿命的评估。 相似文献
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加速试验中产品寿命分布和参数估计的计算机分析 总被引:1,自引:0,他引:1
加速试验是长寿命产品可靠性试验中最有效的方法之一,但数据分析复杂。本文介绍利用计算机对加速试验数据进行处理和分析,确定在正常工作应力下的寿命分布参数、可靠性特征量的方法。 相似文献
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加速寿命试验是为了缩短试验时间,在不改变产品失效机理的条件下,用加大应力(如温度应力、电压应力等)的方法对产品进行的寿命试验。通过加大应力水平,加快产品失效,获得失效数据,运用加速寿命模型外推产品在正常应力水平下的可靠性特性。本文主要介绍恒定应力加速寿命试验的组织实施方法,以及其试验数据统计分析软件。 相似文献
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由于数控装置的使用周期长、故障次数少、分布模型不确定等特点,使得可靠性测试与评估工作难以实施.针对该问题,本文引入了基于数理统计的方法,根据已知的产品故障失效时间,通过假设检验确定产品寿命分布模型.本文以该模型为基础,通过引入加速寿命试验的方法,在保证失效机理不变的情况下,极大缩短了可靠性试验时间,完成了数控装置可靠性试验和定量计算,从而使得数控装置的可靠性测试与评估工作变得切实可行. 相似文献
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恒定应力加速寿命试验模型及应用——威布尔分布 总被引:2,自引:0,他引:2
加速寿命试验是可靠性试验技术的基本方法之一。检验加速寿命试验中的数据是否服从威布尔分布,进而得出加速系数和加速寿命方程,用在不同应力水平下试验得到的数据,运用威布尔分布模型,并对其中的待估参数进行点估计和区间估计,最终得出产品在正常应力水平下的各项可靠性特征量的估计。 相似文献
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本次研制的开关电源主要应用NCP1200芯片,来构成PWM电路。该电路可抑制各种感性负载切换或各种瞬间噪声在电路板中产生的浪涌电压和空间电磁场的干扰。 相似文献
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本文介绍了开关电源的基本原理,以及变频器里开关电源的特点。比较详细地分析了作为开关电源里核心部件的集成振荡心片的结构和原理。最后介绍了一个在变频器里具体应用的实例。 相似文献
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基于传统PWM方式开关电源在开关损耗和开关噪声方面存在的一些问题,本文认为,通过采用软件开关方式,可以解决开关损耗这一问题。 相似文献
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本系统是以降压控制器LM5117芯片和CSD18532KCS MOS管为核心器件,以MSP430F5529单片机作为系统主控单元,来实现具有输出电压精确稳定的降压型直流开关稳压电源.用单片机内置A/D模块测量输出电压值并使显示器显示,用DAC8501将单片机数据送给LM358构成的PI电路,PI电路比例积分处理后的信号送到LM5117的FB端,最终得到稳定的直流电压.电压调整率和负载调整率低于0.5%,开关稳压电源的效率达85%以上,具有灵敏的过流保护功能以及负载识别功能. 相似文献
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开关电源电路的PSPICE仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
采用通用电路分析软件PSPICE在保证模拟电路精度的情况下建立实时电路仿真模型,进而对开关电源闭环控制系统进行计算机仿真分析。为应用PSPICE软件对电力电子电路进行计算机仿真提供了参考。 相似文献
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本文提出了存储用电量的双存储单元法、单存储单元法和循环法,并研究了各种方法可记录的最大用电量。实验证明,以8081为CPU、93C46为数据存储器的用电控制器采用循环法存储用电数据,可保证记录最大用电量的要求。 相似文献
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功率器件MOSFET作为开关电源主电路的一个重要组成部分,其可靠性备受关注。研究表明,在开关电源电路元器件失效率统计中,MOSFET失效率达31%。而MOSFET失效主要表现为导通电阻参数漂移,为了对MOSFET导通电阻参数进行在线辨识,以Buck电路为例,基于混杂系统理论构建Buck电路混杂系统模型,采用递推最小二乘法对模型中MOSFET导通电阻参数进行辨识,并在Simulink环境下进行仿真实验。实验结果表明,该方法对MOSFET导通电阻进行了有效的在线辨识,辨识相对误差小于5%,为MOSFET参数性故障的分析提供了理论依据和方法。 相似文献
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以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代,开关电源的工作频率得以大大提高,一些新技术的应用更是进一步提升了开关电源的性能。开关电源拥有更广阔的发展空间和应用前景。 相似文献