选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响

研究了合金元素Ｗ、Ｃｏ的加入对ＣｕＣｒ触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化ＣｕＣｒ材料的Ｃｒ相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Ｃｕ相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备ＣｕＣｒ系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Ｃｒ相。     

两种新的Cu-Cr合金触头材料

介绍两种新的触头材料──真空熔铸的Ｃｕ—２５Ｃｒ合金材料和激光熔凝的Ｃｕ—５０Ｃｒ表面合金。用这两种材料做触头的真空灭弧室在３８ｋＶ、２５ｋＡ和３１．５ｋＡ下的开断性能优异。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金,首次穿相为Ｃｒ相,而对ＧｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金,首次击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提     

真空开关触头材料的开发现状与发展

本文综述了真空开关触头材料的开发现状，并对其发展作了论述。指出：１。Ｃｕ－Ｗ触头较普遍应用于真空接触器与负荷开关；２．Ｃｕ－Ｃｒ触头因具较多的优良特性已成为当前真空断路器的最佳触头；３．为弥补Ｃｕ－Ｃｒ材料的不足开发了添加其它元素的Ｃｕ－Ｃｒ系触头。然而为全面满足真空开关电器的发展，开发出高性能的触头材料则是触头研究者迫切需要进一步探索的问题。     

真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

根据微放电现象的研究评评真空灭弧触头材料的性能

本文研究了真空灭弧室用ＣｕＣｒ２５、ＣｕＣｒ５０、ＷＣｕ３０烧触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪的多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象－微放电现胆进行了研究,结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。     

深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下,其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出,使得微观组织分布更加均匀,Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。     

Cu—Cr二元合金状态图与Cu—Cr触头的工艺探索

本文从Ｃｕ－Ｃｒ二元合金平衡状态图的基本结构出发，分析了典型成份下的Ｃｕ－Ｃｒ合金平衡结晶的过程及其常温下合金的组织结构。结合渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ５０触头材料的合金化特点，分析了产生组织的原因和消除这些缺陷的方法，从而使熔渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ触头的生产工艺和产品质量提高到一个新的水平。     

真空灭弧室CuCoTa触头材料研究

介绍了国内首次研制的铜钴钽（ＧｕＣｏＴａ）触头材料的制备及其试验测试。试验结果表明,在相同的试验条件上,ＣｕＣｏＴａ触头材料较ＣｕＣｒ５０触头材料提高分断能力２４％。     

采用全武合金触头材料真空断路器灭弧室的绝缘特性

真空绝缘性能决定着真空灭弧室的设计及成本,在真空断路器向高电压等级发展的背景下真空绝缘性能研究显得尤为重要。触头材料是影响真空绝缘性能的重要因素之一,因此新型触头材料真空绝缘性能的研究成为真空绝缘研究领域的热点。基于以上分析,研究了一种新型触头材料—全武合金的真空绝缘性能,并将它与真空灭弧室常用触头材料CuCr25和CuCr50的绝缘性能进行了对比。首先对3种触头材料的真空灭弧室试品用升降法进行了雷电冲击试验,结果表明3种触头材料击穿电压的概率分布均符合Weibull分布,在触头开距为2～10mm范围内其50%击穿电压的关系为CuCr50>全武合金>CuCr25;然后对3种触头材料用升压法进行了工频击穿试验,结果表明当开距为1m,升压速度为3kV/s时,3种触头材料绝缘强度的关系为CuCr50≈全武合金≈Cu-Cr25;最后对比了工频升压速度对全武合金绝缘特性的影响,结果表明当升压速度从3kV/s降为1.5kV/s时,击穿电压升高了1.6倍。     

合金元素对CuCr触头材料不同温度下真空耐电压强度的影响

研究了合金元素W、Co对真空中CuCr触头材料在不同温度下的真空耐电压强度的影响。研究结果表明,高温时CuCr材料的耐电压能力比室温耐电压能力有所降低,合金元素W、Co通过弥散强化、固溶强化和增大了CuCr的表面张力而提高了CuCr材料室温及高温时的耐电压能力。     

电弧重熔法制造铜铬合金触头材料

本文首先分析了ＣｕＣｒ触头材料的结构特点，详细评述了目前制备ＣｕＣｒ触头材料的常用方法，然后介绍了电弧重熔法的设备组成和工艺特点。初步的试验结果表明，电弧重熔法工艺较简单，成本较低，可以获得比传统的粉末冶金法更为细密的组织结构。     

CuCr触头材料微观特性对其宏观性能的影响

本文总结和分析了ＣｕＣｒ真空开关触头材料的含气量、晶粒尺寸、致密度及成分均匀分布等微观特性对其分断能力、耐压性能、截流值等宏现性能的影响,并简要分析了现有的一些工艺方法,为真空开关ＣｕＣｒ触头材料的研究开发和应用提供参考。     

高性能触头材料WCu10的研究

对真空负荷开关触头用 ＷＣｕ１０材料的几种制造工艺进行了研究分析，表明采用氢气保护预烧钨骨架、真空渗铜工艺能使ＷＣｕ１０触头获得较佳的综合性能。     

合金材料在真空中的电击穿行为

测试了纯铜、铬青铜及４０Ｃｒ铁基合金在真空间隙中的耐电压强度,研究了合金元素及显微组织对合金材料电击穿行为的影响。认为对于合金材料不能根据材料硬度作为评价电极间隙耐电压强度的标准,而应该考虑成分、组织状态、材料缺陷等一系列显微组织参数的综合作用。     

西门子公司的真空断路器及其发展

德国西门子公司１９９５年开发出技术指标先进的３ＡＨ系列真空断路器，归功于新一代真空灭弧室和先进的加工工艺。该文除了介绍３ＡＨ系列产品的主要技术性能外，着重介绍了真空灭弧室采用ＣｕＣｒ触头材料的优点、触头制造工艺、形成的真空电弧形态，封排工艺以及真空度等；还指出了满足免维护（每操作１万次仅加一次油）的要求，提出了加工精度、改进关键件材质和工艺、采用长效润滑油脂和先进的ＣＡＴ检测装置、加强绝缘等。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响扫描电了触头烧损后的组织结构。阐述了电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ路器上，通过了全部开关试验。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响，用扫描电观察了触头烧损后的组织结构。阐述了电子电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ断路器上，通过了全部开关试验。     

真空负荷开关用WCu10触头材料研究

本文详细介绍了真空负荷开关用ＷＣｕ１０触头材料的过程及材料特性。     

碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

本文对铜含量２０Ｗｔ％的Ｃｕ－ＣＷ基真空接触器用触头材料残存气体的来源，存在状态进行了分析和推测，提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Ｃｕ－ＷＣ触材料（ＣＷ－２型）。６ｋＶ等级的真空灭弧室改用ＣＷ－２型触头后，其短路分断电流由２５００－３２００Ａ提高到５０００Ａ以上。