（Ba0.5Pb0.5）O.La2O3.4TiO2—（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合系统的微波介 …

研究了（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２－（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４复合系统的微波介电性能,烧结性能和微观结构,发现复合系统由（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘＴｉ１８Ｏ４．Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４和（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４３相组成,而（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２除了（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ３Ｔｉ１８Ｏ５４和常数,频率温度系数,Ｑ因子主要与其中的相组     

影响（Ba_（0．65）Pb_（0．35））TiO_3系PTC陶瓷电阻率的因素

在合成的（Ｂａ０．６５Ｐｂ０．３５）ＴｉＯ３中分别掺入了Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｌａ２Ｏ３，ＭｎＯ２和ＴｉＯ２．讨论了每种掺杂物与烧成气氛和升温制度对常温电阻率的影响，找出了ＰＴＣ陶瓷的最佳组成；１ｍｏｌ（Ｂａ０．６５Ｐｂ０．３５）ＴｉＯ３，０．００２ｍｏｌＡｌ２Ｏ３，０．００４ｍｏｌＳｉＯ２，０．０１ｍｏｌＴｉＯ２，０．００３ｍｏｌＬａ２Ｏ３，０．０００２ｍｏｌＭｎＯ２．这种ＰＴＣ陶瓷的表面温度为２７０℃，常温电阻率为５～８×１０３Ω·ｃｍ，时任性为２４０ｖ／ｍｍ．     

TiO2含量对BaO-SiO2-B2O3-TiO2系统玻璃性能的影响

分析了３０ＢａＯ（６２－ｘ）ＳｉＯ２－８Ｂ２Ｏ３－ｘＴｉＯ２（ｘ＝０－４０）系统玻璃ＴｉＯ２含量对热膨胀系数α,转变温度Ｔｇ,软化温度Ｔｓ,密度ρ和折射率ｎ的影响,由于Ｔｉ＾４＋配位数的变化,当ＴｉＯ２的摩尔分数约为２０％时,在α,Ｔｇ和Ｔｓ性能曲线上出现极值点,这一现象称之为“钛反常”。研究了３０ＢａＯ－（７０－ｘ－ｙ）ＳｉＯ２－ｘＢ２Ｏ３－ｙＴｉＯ２（ｙ＝０－４０）系统玻璃的密度ρ随ＴｉＯ２和     

先驱体法合成三元系Pb（Sc1／2Ta1／2）O3—PbZrO3—PbTiO3钙钛矿铁电陶瓷粉末

本文研究了采用不用先驱体ＳｃＴａＯ４＋Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３（ＳＴ＋ＺＴ）和（Ｓｃ１２Ｔａ１２）０．２０Ｚｒ０．３８５Ｔｉ０．４１５Ｏ２（ＳＴＺＴ）以及采用ＳＴ＋ＺｒＯ２＋ＴｉＯ２与ＰｂＯ进行固相反应合成三元系Ｐｂ（Ｓｃ１２Ｔａ１２）０．２０－Ｚｒ０．３８５Ｔｉ０．４１５Ｏ３钙钛矿陶瓷粉末的合成机理。实验表明，两种先驱体均能与ＰｂＯ反应制得单相钙钛矿材料，合成过程中未发现焦绿石相。实验中发现，以ＳＴ＋ＺＴ为先驱体比ＳＴＺＴ先驱体更容易得到单相钙钛矿材料，其原因是ＺＴ先驱体对材料钙钛矿形成具有一定的促进作用。实验过程中发现试样随合成温度的变化有程度不同的膨胀现象，这种膨胀是采用先驱体法合成的钙钛矿粉末具有超细晶粒尺寸的主要原因。     

名义组成2SrO.3Al2O3∶Eu2+高效磷光体基质的相组成和结构研究

从材料物理化学角度,研究了名义组成２ＳｒＯ·３Ａｌ２Ｏ３∶Ｅｕ２＋ 磷光体基质的固相反应历程及其成相规律,探明了３ＳｒＯ·Ａｌ２Ｏ３ 相铝酸锶化合物首先约于１ ０００ ℃生成,随着烧成温度逐渐升高至１ ３００ ℃,依序由富锶相向富铝相转变,即依３ＳｒＯ·Ａｌ２Ｏ３ ,ＳｒＯ·Ａｌ２Ｏ３,４ＳｒＯ·７Ａｌ２Ｏ３ 顺序形成,而在１ ３００～１ ４２０ ℃间稳定存在相不是一个单相,而是ＳｒＯ·Ａｌ２Ｏ３ 和４ＳｒＯ·７Ａｌ２Ｏ３ 的复合相;用Ｒｉｅｔｖｅｌｄ 分析法精确测定了复合相的结构及其相对含量,确定ＳｒＯ·Ａｌ２Ｏ３ 相属单斜晶系,Ｐ２１ 空间群,晶胞参数ａ＝ ８．４３６ １ ?,ｂ＝ ８ ．８１４ ２ ?,ｃ＝ ５．１５４ １ ?,β＝ ９３ ．４１１°,其质量分数占（２４．８４ ±０．２１） ％ ;４ＳｒＯ·７Ａｌ２Ｏ３ 相属斜方晶系,Ｐｍ ｍａ 空间群,晶胞参数ａ ＝２４．７５６ ２ ?,ｂ＝ ８ ．４７６ ０ ?,ｃ＝ ４．８８１ ８ ?,其质量分数占（７５．１６ ±０．３９） ％ ．     

La3+取代Bi3+的 Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷的结构与介电性能

研究了Ｌａ２Ｏ３取代的Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）基陶瓷Ｂｉ１．５－ｘＬａｘＺｎ０．５（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７的结构和介电性能。采用固相反应法制备陶瓷样品,用Ｘ射线衍射技术分析样品的相结构,未用Ｌａ２Ｏ３取代的纯ＢＺＮ陶瓷的晶体结构为立方焦绿石单相;当Ｌａ２Ｏ３取代量较少时,样品的结构仍然保持立方焦绿石单相结构,但出现了超晶格衍射线（２１１）;当Ｌａ２Ｏ３取代量继续增加。样品的晶体     

ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低     

SnO2-TiO2复合颗粒的形态结构及其光催化降解染料溶液的研究

采用均匀沉淀法在超细ＴｉＯ２表面包覆ＳｎＯ２,制备ＳｎＯ２－ＴｉＯ２复合颗粒,利用ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ、ＢＥＴ比表面积等电点（ｐＨ２ｐｃ）测试等手段颗粒进行表征,结果表明复合颗粒由锐钛相ＴｉＯ２和四方晶系ＳｎＯ２组成,复合颗粒粒度为２５－３５ｎｍ、ＳｎＯ２包覆尺寸为０．５－１０ｎｍ,颗粒ＢＥＴ比表面积为４５．７ｍ＾２．ｇ＾－１、ｐＨｚｐｃ为６．３。以该复合颗粒为催化剂,光催化降解偶氮染料活性艳红Ｘ－３Ｂ溶液,研究了染料初始浓度、催化剂浓度、氧气流量,ＰＨ值等对染料脱色率的影响。     

SrTiO_3一Bi_2O_3·2TiO_2系高压电容器瓷组分对显微结构与性能

观察在ＳｒＴｉＯ＿３一Ｂｉ＿２Ｏ＿３·２ＴｉＯ＿２系中Ｂｉ＿２Ｏ＿３·２ＴｉＯ＿２含量对瓷体显微结构和电性能的影响。发现随ＢｉＯ＿３·２ＴｉＯ＿２含量增加，晶粒形貌由颗粒状向柱状发展。高频１ＭＨｚ下损耗增加至无穷大。当Ｂｉ＿２Ｏ＿３·２ＴｉＯ＿２含量小于０．３０ｍｏｌ晶粒呈粒状，高频损耗ｔｇδ降至５×１０￣４．耐交流电压达６０００Ｖ／ｍｍ．产品可靠性达９９．６％．获得了该系统合理配方原则和控制烧成最佳制度。     

Si_3N_4－ZrO_2陶瓷中ZrN的生成及其对性能的影响

研究了ＺｒＮ在Ｓｉ＿３Ｎ＿４－ＺｒＯ＿２复相陶瓷中的形成及其对材料性能的影响，结果表明：在１．５ＭＰａＮ２气压烧结条件下，ＺｒＮ的形成温度约为１６００℃，提高Ｎ＿２的压力有利于抑制ＺｒＮ的生成，以稳定的ｔ－ＺｒＯ＿２加Ｓｉ＿３Ｎ＿４基体中，对抑制ＺｒＮ的生成有明显作用。当复相陶瓷中生成一定量的ＺｒＮ时，力学性能明显下降，而ＺｒＯ＿２分布均匀且以ｔ－ＺｒＯ＿２，ｃ－ＺｒＯ＿２形式存在时，复相陶瓷具有较高的强度（７４０ＭＰａ）和断裂韧性（８．８ＭＰａ·ｍ￣（１／２））。     

Ba(Zr_(0.055)Ti_(0.945))O_3含量对[(Na_(0.80)K_(0.16)Li_(0.04))_(0.5)Bi_(0.5)]TiO_3陶瓷性能的影响

系统研究(1-y)[(Na0.80K0.16Li0.04)0.5Bi0.5]TiO3-yBa(Zr0.055Ti0.945)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数高达185pC/N的0.94[(Na0.80K0.16Li0.04)0.5Bi0.5]-TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。样品的晶体结构为三方相、四方相共存,处于准同型相界(morphotropic phase boundary,MPB)附近。该类陶瓷室温MPB的摩尔(下同)含量为0.050y0.065。样品y=0.060在40°左右的(003)、(021)双峰与46.5°左右的(002)、(200)双峰分裂最明显。随着Ba(Zr0.055Ti0.945)O3含量的增加,铁电相-反铁电相相变温度(θd)升高、反铁电相-顺电相相变温度(θm)降低;θd和θm的温差越来越小,材料的弛豫性逐渐降低。     

锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷的铁电性能

通过电滞回线测试,探讨了xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]陶瓷的铁电性能及铁电相变特性.同时研究了Ba2 取代Pb2 对材料铁电性能的影响.结果表明;三方相含量较高的0.2PMnS-0.8PZN陶瓷具有较高的矫顽场和较大的剩余极化强度;四方相含量较高的0.5PMnS-0.5PZN和0.6PMnS-0.4PZN陶瓷具有较低的矫顽场和较小的剩余极化强度,Ba2 取代使三方相含量增加,铁电性能明显提高.     

La_2O_3掺杂(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3陶瓷的介电和压电性能的研究

用固相反应法制备La2O3掺杂的铁电陶瓷(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(BNBT6)。X射线衍射曲线表明掺杂0-0.6wt%La2O3的BNBT6为钙钛结构。研究了La2O3掺杂对BNBT6陶瓷介电性能和压电性能的影响。结果表明La2O3掺杂量为0.3wt%的BNBT6陶瓷综合性能最佳,其中介电常数为1981.4,介电损耗为0.0625和压电常数为145pc/N。SEM图象表明La2O3掺杂提高了陶瓷的致密度。     

超声压电马达用陶瓷材料的研究

研究了钡锶锑锰等离子掺杂对锆钛酸铅(PZT)系压电陶瓷的介电、压电性能和体积密度的影响。实验结果表明:对于Pb0.95Ba0.03Sr0.02(Zr1-yTiy)O3+xwt%MnSb2O6(PBSZTMS),在x=1.5、Zr/Ti=52/48附近获得了优越的压电活性。对于Pb0.95Ba0.03Sr0.02(MnSb2O6)x/3(Zr54Ti46)1-xO3(PBSMSZT),综合性能较好的组成点出现在x=0.05处。对于PbaBabSrc(MnSb2O6)x/3(Zr1-yTiy)1-xO3+zwt%MnSb2O6系列配方,发现Sr2+和Ba2+的共同添加会使样品致密度降低,介电常数、介质损耗和压电常数增加;当a=1,b=0,c=0,x=0.03,y=0.48,z=0.76时,获得了综合性能较好的陶瓷材料,有望应用于大功率超声压电马达器件领域。     

Ba1-3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷的微波介电性能

采用固相合成法制备了Ba1-3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3陶瓷,研究了La掺杂对钽镁酸钡的结构和微波介电性能的影响.结果表明:A位取代能改进其烧结性能.在x≤0.02时,烧结样品为单相的钙钛矿结构,B位离子1:2有序;当x>0.02时出现第二相Ba0.5TaO3.B位离子有序度随着x的增大先增加后减小,在x=0.04时出现最大值.x≤0.02时介电常数变化较小,而后其值逐渐增大.品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时取得最大值;谐振频率温度系数(τf)值随着x增大而增大.     

Pb(Zr,Sn,Ti)O3中组份变化对反铁电-铁电相变的影响

探讨了掺铌Ｐｂ（Ｚｒ,Ｓｎ,Ｔｉ）Ｏ３反铁电陶瓷中,组份变化对晶体结构及电场诱导反铁电－铁电相变性能的影响,分析结果表明;在Ｐｂ０．９９Ｎｂ０．０２〖（Ｚｒ１－ｘＳｎｘ）１－７Ｔｉｙ〗０．９８Ｏ３反铁电陶瓷中,ｙ增加,反铁电四方相晶轴比减小,增加晶胞体积,诱导反铁电－铁电相变的开关电场强度降低,ｘ增加,反铁电四放相的晶轴比ａ／ｃ铁电相变的反铁电相区。     

复相陶瓷(0.5BaO0.5SrO)[(1-y)TiO2yNb2O5]的介电性能研究

通过对组成进行一定的过量控制，利用传统陶瓷工艺，成功制备了具有钙钛矿相钛酸锶钡固溶体和钨青铜相铌酸锶钡固溶体两相稳定共存的(0.5BaO0.5SrO)[(1-y)TiO2yNb2O5](BSTN)复相陶瓷.用Riguaku D/max-2400型X射线衍射仪和KEITHLEY 3330阻抗分析仪对所得样品的相结构状态及介电性能进行了测试.结果表明：Y值在0.1～0.7之间的BSTN复相陶瓷为钙钛矿相和钨青铜相两相稳定共存的复合相；在该范围以外，则为单一相的钛酸锶钡与Nb或铌酸锶钡与Ti的固溶体.复相陶瓷的介电性能取决于钙钛矿相和钨青铜相的相对含量及其固溶度，当组成y约为0.7时，介电常数达到最大值；随测试频率的提高，介电常数和损耗降低.复相陶瓷中钨青铜相的铁电/顺电相转变温度与钨青铜相中固溶TiO2量相关，随固溶量增加，转变温度降低.同时，受复相陶瓷中钙钛矿相的影响，随钙钛矿相相对含量的增加，转变温度升高；钨青铜相的最低铁电/顺电相转变温度出现在约110℃，比Sr0.5Ba0.5Nb2O6下降约240℃.     

过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响

采用电性能测定和微观结构分析等方法研究了过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响.结果表明:对于Ba0.998La0.002TiO3陶瓷在有液相参与烧结的晶粒溶解-淀析过程中,晶粒生长的必要条件是不仅要有液相的形成,而且BaTiO3晶粒必须在液相中有一定的溶解度.由于BaTiO3晶粒在Ba6Ti17O40和Ba2TiSi2O8液相中有足够的溶解度,促进了晶粒的生长,同时旌主掺杂离子进入晶格而释放氧,形成半导性的陶瓷,而BaTiO3晶粒不能溶解于Ba2Ti2SiP2O13液相中,抑制了晶粒的生长.     

Ba3 Ti5+xNb6-x O28-x/2陶瓷微波介电性能

＝28419 GHz、τf＝-12 ppm/℃(x=0.1).