（Ba0.5Pb0.5）O.La2O3.4TiO2—（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合系统的微波介 …

研究了（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２－（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４复合系统的微波介电性能,烧结性能和微观结构,发现复合系统由（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘＴｉ１８Ｏ４．Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４和（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４３相组成,而（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２除了（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ３Ｔｉ１８Ｏ５４和常数,频率温度系数,Ｑ因子主要与其中的相组     

(Zr0.8Sn0.2)TiO4(ZST)微波介质陶瓷微波烧成工艺研究

分别采用传统的电热烧结和微波烧结制备了ZST微波介质陶瓷,研究了烧结温度对介质陶瓷烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能的影响。结果表明:与传统电热烧结相比,在所得材料密度近似的情况下,微波烧结能降低烧结温度约70℃、缩短烧结时间2.5h,所获材料密度分布的标准差大大减小;微波烧结后材料由(Zr0.8Sn0.2)TiO4斜方晶单一晶相组成,随温度升高,无新相产生;微波烧结所得材料的晶粒尺寸均匀、结构致密;材料的介电常数和品质因数随着微波烧结温度的提高而增大,对应数值分别比传统烧结方式提高17.5%和14.3%左右。     

Ba3 Ti5+xNb6-x O28-x/2陶瓷微波介电性能

＝28419 GHz、τf＝-12 ppm/℃(x=0.1).     

复合添加剂对(Zr0.8Sn0.2)TiO4介质材料介电性能的影响

讨论在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主晶相系统中,不同的添加剂对介电性能的影响,固定添加1%ZnO,用单因素法,探讨这种添加剂CuO、CuO-V2O5、G1玻璃和G2玻璃的量与(Zr0.8Sn0.2)TiO4材料介电性能的关系。找出一种既能有效改善主晶相又低成本的添加剂,用X射线衍射仪对其进行物相分析。研究结果表明,当G2玻璃的添加量等于2%时,得到了介质损耗tgδ最小、烧成温度为1320℃的材料,有望用作微波陶瓷。     

Pb0.45Ca0.55(Fe0.5Nb0.5)0.9(Sn1-xZrx)O3微波陶瓷介电性能的研究

研究了B位Zr、Sn共掺杂对PCFN微波陶瓷相组成及介电性能的影响.发现总掺杂量为10mol%、Zr/Sn为11时,样品中出现了未知第二相.当Zr/Sn＜1时,样品的Q×f值随Zr含量的增加而降低,谐振频率温度系数随Zr含量的增加而增大;当Zr/Sn＞1时,样品的Q×f值随Zr含量的增加而增大,谐振频率温度系数随Zr含量的增加而降低.     

BaO-TiO2-Nd2O3微波陶瓷材料介电性能的改善研究

研究了影响BaO -TiO2 -Nd2 O3微波陶瓷材料介电性能的机理 ,通过用Pb和Bi对BaO -TiO2 -Nd2 O3微波介质材料进行掺杂改性 ,得到了一种工艺稳定 ,品质因素Q值高 ,τf(谐振频率温度系数 )低 ,烧结温度较低 (12 70℃ )的微波陶瓷材料。该材料可用于制作介质滤波器及分米波通信设备用的小型、轻量的片式元器件     

Ti4+取代对Ca[(Li1/3 Nb2/3)0.95 Zr0.15-x Tix]O3+δ陶瓷微波介电特性及晶体结构的影响

研究了B位Ti4+取代对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15-xTix]O3+δ(0.0≤x≤0.15,CLNZT)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.当0≤x≤15 mol%时,体系为单一钙钛矿相,随Ti4+含量的增加,谐振频率温度系数由-9.4 ppm /℃减小到-15.8 ppm/℃,而品质因素先增大,x=0.1时,开始下降.分析了谐振频率温度系数(τf)随容忍因子(t)的变化关系.当Ti4+含量为10 mol%时,陶瓷微波介电性能为:εr=32.8, Qf=16570 GHz ,τf =-13.6 ppm/℃.     

Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xZr3x]O3-δ陶瓷微波介电特性

研究了B位Zr4+取代对Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xZr3x]O3-δ(O.02≤x≤0.1.CLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.当0.02≤x≤10mol%时,体系为单一钙钛矿相.随Zr4+含量的增加,品质因素下降,谐振频率温度系数由-16.3ppm/℃增加到-7.5ppm/℃,而品质因素下降.分析了谐振频率温度系数(τf)随容忍因子(t)的变化关系.当Zr4+含量为5mol%时,陶瓷微波介电性能最佳:εr=31.6,Qf=13100GHz,τf=-9.4ppms/℃.     

(Mg1-xCox)TiO3基微波陶瓷介电性能研究

以MgO,Co2O3和TiO2为原料,用固相反应法制备了(Mg1-xCox)TiO3(MCT)系陶瓷.研究了CoTiO3含量对其微观结构和微波介电性能的影响.结果表明:添加适量的CoTiO3,可以适当降低烧结温度,调整烧结温度范围.当掺入量为10 mol%,烧结温度为1350 ℃时,MCT陶瓷具有优良微波介电性能:εr=18.99;Q×f=154000 GHz,τf=-45 ppm/℃.     

Al2O3陶瓷微波介电性能的研究与进展

近年来随着微波通讯技术与微波集成电路(microwave integrate circuits,MICs)的发展,用于移动通讯、智能运输系统(Intelligent transport system,ITS)、GPS天线的低介电常数低介电损耗的微波介质陶瓷引起了广泛的关注,其中最具代表性的即为Al2O3陶瓷.本文总结了近几年Al2O3陶瓷微波介电性能的研究情况,系统介绍了Al2O3陶瓷微波介电性能的影响因素和目前研究的Al2O3陶瓷体系,希望对于研究Al2O3陶瓷的微波介电性能提供有益的参考,使其在微波通讯等方面得到更广泛的应用.     

(Zr,Sn)TiO4系微波介质陶瓷的研究进展

本文从晶体结构、固溶体性质、组成改性、制备、性能等方面对(Zr,Sn)TiO4系微波陶瓷的发展现状进行了详细介绍,并指出了研究和应用前景。     

CeO2添加对(PbCa)(FeNb)O3介质陶瓷微观结构及微波性能的影响

研究了CeO2添加量对(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3微观结构及介电性能的影响.研究表明当Ce4+含量≤2.2%(摩尔分数,下同)时,样品为单一钙钛矿相,并且Ce4+进入A位造成样品晶胞的收缩,而Ce4+进入B位造成样品晶胞的膨胀.当Ce4+含量＞2.2%时,样品中会出现未知相.样品介电常数随Ce4+含量的增加先增大,后减小,介电常数的增大是由于晶胞体积的收缩以及相对密度的增大;减小则是由于Ce4+的半径(0.087 nm)大于(Fe3++Nb5+)的平均半径(0.064 nm)以及体系中未知相的出现.此外,由于Ce4+的取代造成氧空位消除、相对密度增大以及晶粒尺寸增大,从而当Ce4+的含量超过一定值时,样品的品质因数得到提高.样品谐振频率温度系数随Ce4+取代量的增加先迅速下降,然后又逐步增加.这是由于Ce4+的取代使得B位键价增加,谐振频率温度系数τf下降;但当样品中出现未知相时,τf又增加.当Ce4+的含量为2.2%时,τf达到最小值3.5×10-6/℃,且此时样品介电常数εr及品质因数谐振频率的积Qf值分别为93.7,6 770 GHz.研究了CeO2添加(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3样品中晶体结构与介电性能之间的关系.     

Synergistic modification of properties in Ba[(Zn0.8Mg0.2)1/3Nb2/3]O3 ceramics through ordered domain engineering

The ordered domain engineering was investigated for Ba[(Zn_0.8Mg_0.2)_1/3Nb_2/3]O₃ microwave dielectric ceramics to synergistically modify the physical properties especially the temperature coefficient of resonant frequency τ_f and quality factor Q value together with the thermal conductivity. The ordered domain structure could be tailored and controlled by the post-densification annealing, and the fine ordered domain structures with high ordering degree and low-energy domain boundary were obtained in the present ceramics annealed around 1400°C for 24 h, where the Qf value was improved from 51 000 to 118 000 GHz, τ_f was suppressed from 30 to 25.5 ppm/°C. Moreover, the thermal conductivity at room temperature was increased from 3.79 to 4.30 W m⁻¹ K⁻¹, and the Young's modulus was improved from 98 to 214 GPa. The present work provided a promising approach for synergistic modification of physical properties in Ba-based complex perovskite microwave dielectric ceramics.     

(1-x)Ba4Sm9.33Ti18O54-xCa0.61Nd0.26TiO3系微波介质陶瓷

采用固相合成法制备了(1-x)Ba4Sm9.33Ti18O54-xCa0.61Nd0.26TiO3[(1-x)BST-xCNT]系微波介质陶瓷.探讨了组成、烧结温度对微波介质陶瓷结构、介电性能的影响.x＜0.6时,(1-x)BST-xCNT陶瓷为正交结构的新型钨青铜单相.x≥0.6时,相继出现了第二相Sm2Ti2O7和钙钛矿相,最终形成钙钛矿单相.微波介质陶瓷的介电常数ε随x的增大持续升高,品质因子Qf值则先增大后迅速减小再急剧增大.1 325～1 350 ℃烧结样品的微波介电性能达到最佳:x=0时,ε=75,Qf=8985GHz,谐振频率温度系数τf=-8.2×10-6/℃;x=0.2时,ε=75,Qf=9 552GHz,τf=-14.4×10-6/℃;x=1时,ε=108.9,Qf=14919GHz,τf=236.2×10-6/℃.     

CaLa4Ti4O15微波介电陶瓷的制备和性能

采用固相法制备了Cata4Ti4O15系微波介质陶瓷.研究了不同预烧温度对CaLa4Ti4O15陶瓷烧结特性和微波介电性能的影响.在1 200℃预烧caLa4Ti4O15粉末.除CaLa4Ti4O15主相外,还存在部分CaTiO3,La2Ti2O7和La2TiO5混合相.在1 300℃和1 400℃预烧后.获得了六方类钙钛矿CaLa4Ti4O15单相.CaLa4Ti4O15粉末预烧后可饶结成高致密陶瓷(相对密度约97%),同时具有高机械品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值和近零谐振频率温度系数(Tf).1 550℃烧结的CaLa4Ti4O15陶瓷具有优异的微波介电性能:相对介电常数εr=45.1,Q×f=46087GHz,tf=-14.1 × 10-6/℃(预烧温度1 200℃);εr=-45.9,Q×f=48871GHz,tf=-14.4 ×10-6/℃(预烧温度1 300℃).     

(Zr1-xSnx)TiO4(ZST)微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展

本文介绍了ZST微波介质陶瓷的性能、微观结构，总结了近年来有关ZST微波介质陶瓷制备技术及其应用的研究进展，主要包括粉末制备、烧结、后处理以及性能预测等方面，指出了ZST介质陶瓷的发展方向。     

MnO2掺杂对[(Pb,Ca)La](Fe,Nb)O3介质陶瓷结构及微波性能的影响

摘要:研究了MnO2 掺杂量对[(Pb0.5Ca0.5)0.92La0.08](Fe0.5Nb0.5)O3 陶瓷结构及介电性能的影响。研究表明MnO2 是良 好的烧结助剂，可降低体系的烧结温度60 ～1 0 0℃，同时提高陶瓷体密度。X R D 图谱证明当M n O2 的质量分数≤ 2% 时，陶瓷为钙钛矿相及焦绿石相，表明M n 4 进入主相晶格。随M n O2 的增加体系介电常数先增加后减小，同 时造成品质因数及谐振频率温度系数的单调下降。     

(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-xBaSnO3陶瓷的微波介电性能

用传统陶瓷制备方法制备了(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-xBaSnO3[0.0≤x≤0.3,(1-x)BMN-xBS]体系微波介质陶瓷,研究了该陶瓷的微观结构和微波介电性能.用X射线衍射仪研究陶瓷的晶体结构.用扫描电镜观察陶瓷的显微结构.用网络分析仪测试陶瓷的微波介电性能.结果表明:晶格常数c和a均随x值的增加而增加;晶格常数比(c/a)随x值的增加而减小.当x≥0.1时,1∶2有序衍射峰消失.陶瓷的平均晶粒尺寸在0.7～2 μm之间.随x值的增加,陶瓷的相对介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τr)呈线性减小;品质因数与谐振频率的乘积(Qf)呈非线性变化.当x=0.15时,Qf达到最大值,为86 200 GHz.当x=0.3时,在此体系中可以获得τf接近零的微波介质陶瓷Ba(Sn0.3Mg0.233Nb0.467)O3,其微波介电性能如下:εr=26.1;Qf=42 500GHz;τr=4.3×10-6/℃.