L-半胱氨酸辅助溶剂热法合成CZTS微球（英文）

通过简单的L-半胱氨酸辅助溶剂热法成功制备了Cu_2ZnSnS_4(CZTS)纳米晶。实验使用CuCl_2,SnCl_2·H_2O,ZnCl_2.2H_2O作金属前体,L-半胱氨酸作硫源和模板剂。并对不同温度对产物的大小和形貌进行研究。所得的样品使用X-射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),能量色散谱仪(EDS),高分辨透射电子显微镜(HHRTEM)进行测试表征。结果表明所得产物为纯相锌黄锡矿CZTS纳米晶:FESEM结果表明样品由大量微球构成;且随着温度的增加颗粒尺寸逐渐增大。     

反应时间对溶剂热法制备Bi_2Se_3纳米片的影响

以BiCl3和Se粉为原料,二甘醇(DEG)作为溶剂,Na2SO3作为还原剂,碱性条件,在160℃的反应温度下,利用溶剂热法成功地合成Bi2Se3纳米片,并研究不同反应时间(20,22,24h)作用下所得产物结构形貌的变化。利用XRD和SEM对所合成产物的晶相结构及表面形貌进行表征。结果显示:在不同反应时间下所合成的粉体均为纯物相(均为六方晶相)的纳米片状Bi2Se3,且反应22h条件下所得产物形貌为大小均一、分散性良好的六边形片状结构,其厚度为10～50nm。并分析片状结构Bi2Se3的形成机制。     

溶剂热合成Bi2Te3基合金的结构与电学性能

用溶剂热法合成了二元Bi2Te3和三元Bi1.3Sn0.7Te3合金纳米粉末,并采用热压技术制备了块状热电材料.XRD分析结果表明:Bi-Sn-Te三元固溶体合金可以直接通过溶剂热合成获得单相产物,而非掺杂Bi2Te3合金需要通过热压等后热处理来实现产物的单一化;热压过程有助于促进反应的完全和晶型的完整,但会导致晶粒的长大.对试样电导率σ和Seebeck系数α的测量结果显示,Bi-Sn-Te三元固溶体合金比二元Bi-Te合金具有更好的电学性能.     

L-半胱氨酸分子辅助溶剂热合成铜铟硫光伏材料

以CuCl2·2H2O为铜源,InCl3·4H2O为铟源,L-半胱氨酸为硫源,N,N二甲基甲酰胺(N,N-dimethylformamide,DMF)为溶剂,在180℃下反应16h合成了CuInS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电子显微镜对产物的结构、形貌、相组分进行表征。结果表明产物是由厚度为10～50nm纳米片组成的球状CuInS2微晶。并对由纳米片组成的球状CuInS2微晶的形成机理进行了简单探讨。     

以L胱氨酸为硫源的溶剂热方法生长Sb_2S_3纳米带(英文)

用L光氨酸作为一种新型硫源,以乙二醇和去离子水的混合溶液作为溶剂在180℃,24h的条件下成功地生长出Sb2S3纳米带。该纳米带长度在十几个微米,宽度在100～300nm。该纳米带为立方结构,通过分析提出了一种合理的生长机理。该纳米带的微观结构通过XRD和FESEM进行了表征。     

含金属Bi和Bi_2S_3纳米晶玻璃的溶胶-凝胶法制备和微结构研究（英文）

用溶胶-凝胶法制备了含金属Bi和Bi_2S_3纳米晶的钠硼硅玻璃。利用差示扫描量热-失重法、X射线粉末衍射仪、透射电子显微镜详细表征了该玻璃的形成机制和微结构。结果显示,该玻璃的转变温度T_g大约为510 C,这意味着在600℃的热处理温度下可以形成玻璃。微结构分析揭示金属Bi和Bi_2S_5晶相结构已经在玻璃先驱体中形成,并且这些纳米晶的的尺寸通常在5~30 nm之间。     

CeO_2:Eu~(3+)纳米晶的溶剂热合成及其发光性能

采用溶剂热技术成功合成晶粒小于100 nm的CeO_2-Eu~(3+)和CeO_2纳米晶,其中CeO_2-Eu~(3+)样品在紫外光激发下发出明亮的橙红色光.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、傅立叶红外(FT-IR)、紫外漫反射(UV-vis)和光致发光(PL)等手段对产品的结构和性能进行分析和表征.结果表明:CeO_2-Eu~(3+)是纯立方萤石结构的单晶粉末;Eu~(3+)已成功掺入CeO_2晶格中,纳米级的CeO_2-Eu~(3+)和CeO_2的带隙能量分别是2.831和2.925 eV;CeO_2-Eu~(3+)纳米晶在593、612、632 nm处具有较强的发射峰(橙红光),而且较高的退火温度有利于提高样品的晶化度和荧光强度.     

Bi2Te3纳米颗粒和纳米线的溶剂热合成及组织特征

分别以吡啶、无水乙醇为反应介质,以NaBH4为还原剂,采用溶剂热合成方法,在150℃下反应24 h制备了平均晶粒尺寸为15～20 nm的Bi2Te3纳米粒子.采用相同的合成方法,以去离子水为反应介质,合成了直径为30～80 nm,长径比大于100的Bi2Te3纳米线.XRD和TEM分析表明,随着溶剂介电常数和极性增加,所生成产物的物相纯度、结晶度增高,晶粒尺寸增大.     

退火对高压烧结Gd掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)纳米晶热电性能的影响

以Bi粉、Te粉、Se粉、Sb I3粉、Gd粉为原料,用高压烧结法制备了Gd掺杂的n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料,对制备的样品分别在573、603、633 K真空退火36 h。用粉末XRD和FE-SEM研究了样品的物相及显微形貌;在298~473K范围内测定了样品的热电性能。建立了Bi2Te3基材料的禁带宽度与压力和体积的近似关系式,利用此关系式较好解释了高压烧结样品在退火前后热电性能的变化特性。研究结果表明制备的样品在退火前后均为纳米结构。高压烧结和Gd掺杂使样品晶胞尺寸变大,禁带宽度减小。退火使高压烧结样品的电导率提高,塞贝克系数增大,热导率降低。样品于633 K退火36 h后具有较好的热电性能,在423 K时其ZT达到最大值为0.74。     

溶液燃烧合成制备Ni-Y_2O_3纳米复合粉末(英文)

采用溶液燃烧合成和氢气还原两步法制备具有超细Y2O3弥散相的Ni-Y2O3纳米复合粉末。通过DTA-TG分析探讨燃烧机理,使用场发射扫描电镜、透射电镜和X射线衍射分析技术表征燃烧得到的粉末形貌和Ni-Y2O3纳米复合粉末的形貌和物相。详细讨论原料中硝酸镍与尿素配比对燃烧得到的粉末形貌、物相和比表面积的影响。高分辨透射形貌分析结果显示合成得到的Ni-Y2O3纳米复合粉末中均匀分布的Y2O3弥散相的尺寸在10 nm左右,并且在放电等离子烧结致密化后并未明显长大。     

Preparation and characterization of nanostructured Bi_2Se_3 and Sn_(0.5)-Bi_2Se_3

Nanostructured Bi2Se3 and Sn0.5·Bi2Se3 were successfully synthesized by hydrothermal coreduction from SnCl2-H2O and the oxides of Bi and Se. The products were characterized by X-ray diffraction (XRD),transmission electron microscopy (TEM),and field emission scanning electron microscope (FESEM). Bi2Se3 powders obtained at 180°C and 150°C consist of hexagonal flakes of 50-150 nm in side length and nanorods of 30-100 nm in diameter and more than 1 μm in length. The product obtained at 120°C is composed of thin...     

Bi2O3-MoO3复合掺杂对高磁导率MnZn铁氧体磁特性的影响

研究了Bi2O3-MoO3复合掺杂对高磁导率MnZn铁氧体磁特性及微观结构的影响。研究结果表明适当配比的Bi2O3-MoO3复合掺杂有利于促进晶粒均匀致密化,提高样品的起始磁导率。在配方中,当掺杂总量为0．08％（质量）、Bi2O3：MoO3=4：6时,晶粒均匀,材料起始磁导率达到12039,可以用于制备需要具有较大晶粒、高磁导率的材料。     

DETERMINATION OF HEAT EFFECT OF ANODIC PROCESS OF Ni_3S_2

ＤＥＴＥＲＭＩＮＡＴＩＯＮＯＦＨＥＡＴＥＦＦＥＣＴＯＦＡＮＯＤＩＣＰＲＯＣＥＳＳＯＦＮｉ＿３Ｓ＿２ＤＥＴＥＲＭＩＮＡＴＩＯＮＯＦＨＥＡＴＥＦＦＥＣＴＯＦＡＮＯＤＩＣＰＲＯＣＥＳＳＯＦＮｉ＿３Ｓ＿２￥Ｚｈａｎｇ，Ｈｅｎｇｚｈｏｎｇ；Ｆａｎｇ，Ｚｈｅｎｇ...     

纳米晶Bi2Se3-Sb2Se3薄膜的SILAR法制备及表征

采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态.结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm.     

纳米晶Bi2Se3-Sb2Se3薄膜的SILAR法制备及表征

采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态.结果表明薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm.     

Bi2-xSbxTe3热电薄膜的电化学沉积及表征

采用电化学沉积法,在ITO导电玻璃及钛片上沉积Bi2-xSbxTe3热电薄膜。采用循环伏安、SEM、XRD、EDX等技术分别对电化学沉积过程和薄膜的形貌、相结构、组成进行研究,并对其室温时的热电性能进行测试。结果表明,在含有Bi3＋、HTeO2+和SbO+的硝酸溶液中,采用控电位沉积模式,可以实现铋、锑、碲三元共沉积,得到Bi2-xSbxTe3薄膜。薄膜热处理前用冷等静压处理可以提高薄膜的密实度和平整度,并有利于热电性能的提高。     

Bi2Te3片式阵列的制备及生成机理

以Bi（NO3）3和Te为反应物，在乙二胺四乙酸二钠（EDTA-2Na）、N，N-二甲基甲酰胺（DMF）与乙醇组成的混合溶剂以及过量强碱KOH的作用下，通过溶剂热反应，制得Bi2Te3热电材料的片式阵列纳米结构。利用XRD、SEM、EDX对产物的物相、形貌及成分进行了表征和研究。通过实验研究推断这种BizTe，片式阵列的形成过程可能是一个络合-成核-生长-脱离-组装的过程。