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讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法,利用自行设计、建立的KrF准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究,给出了实验结果,并与传统光刻方法作了比较。 相似文献
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采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术 总被引:1,自引:1,他引:0
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光 X方向、-X方向、 Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。 相似文献
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激光在微电子器件制造中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文比较系统地介绍了激光在半导体微电子器件制造中的应用。对准分子激光器与光刻技术、激光图形发生,全息掩模与硅片检测、掩模缺陷激光修补与激光化学气相沉积,以及其它方面的一些激光应用作了比较详细的叙述。 相似文献
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激光全息干涉层析技术测量温度场的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了一种激光全息干涉层析技术来测量温度场的方法,具体包括光学质量、数学重建及可视化处理三个方面,并给出了应用实例,对该研究的实际应用给予了验证,结果良好。 相似文献
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薄膜晶体管光刻制程中,光刻胶光刻平面位置是决定光刻图形质量的关键因素。为了在光刻机最小分辨率条件下改善光刻图形质量,本文从光刻胶内反射光线的反射特点出发,以减小光刻胶内反射光线对非光刻区域的光刻光强及增加光刻区域的光刻胶底部光刻光强为基础,推导出光刻光线倾斜入射光刻胶平面时,光刻胶光刻平面位置调整量的计算公式,并以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面进行调整。结果表明:对于最小分辨率为3.0 μm的投影光刻机,进行线间距为2.2 μm的产品光刻时,以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面调整后,较未调整前,光刻图形坡度角提升了13.3%,光刻胶线宽或线间距宽度(DICD)均一性改善了14.7%,光刻图形光刻胶残留得到解决。 相似文献
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大面积平行光幕弹着点测试系统 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了基于平行激光幕大面积弹着点坐标测试方法.以半导体激光线发生器为光源,用长焦距消球差的柱面菲涅耳透镜形成平行激光幕单元,通过多个平行激光幕单元的无缝拼接可形成大面积靶面.由于平行激光幕单元内沿宽度方向通量密度呈高斯分布,一定直径的弹丸通过光幕的不同横向位置时探测器获取信号不同,因此可根据信号的幅值来细分平行激光幕单元宽度范围内弹着点的位置.通过口径为7.62mm的实弹射击试验验证了细分方法的可行性.结果表明了该系统有足够的灵敏度能获取小目标的过靶信号;在10 m长靶面的试验系统中测量坐标值与弹孔测量坐标值差值的标准差为5.16 mm. 相似文献