低温烧结高磁导率高直流叠加NiCuZn铁氧体材料

以NiCuZn材料为基础,改进传统的制粉工艺,制备出超细铁氧体粉料。添加V_2O_5,MoO_3,Bi_2O_3等组合助熔剂,实现了材料的低温烧结和高磁导率。在此基础上采用流延工艺制备出生磁膜带,在900℃烧结,研究了不同添加剂在烧结过程中的析出物状况,找到了既能实现材料高磁导率、又在烧结后没有析出物的组合添加剂。通过离子取代和晶粒细化获得了低损耗,并使材料满足了抗直流叠加的要求。分析了掺杂对材料损耗、直流叠加特性的作用机理。研究工作为开发此类高频、低功耗、高直流叠加材料提供参考。     

预烧温度对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响

为从工艺上进一步提高高磁导率NiCuZn铁氧体材料的综合性能,研究了预烧工艺对该类材料主要电磁性能的影响.结果表明,适宜的预烧温度可较大程度地提升材料的起始磁导率,且品质因数及频率特性也能得到改善,而过高或过低的预烧温度都会对材料的起始磁导率及品质因数造成不良影响.不同预烧温度引起粉料活性及收缩率的差异是其影响材料电磁性能的主要原因.     

NiCuZn铁氧体材料的应用与开发

近年来NiCuZn铁氧体材料在电子和通信领域的应用越来越广泛,对材料性能也提出了更高的要求.针对应用和市场需求,近年来我们对不同类型的NiCuZn铁氧体材料开展了系统研究.主要采用氧化物法研制了高磁导率NiCuZn铁氧体(NCN-H系列)、高Q值NiCuZn抗EMI材料(NCN-Q系列),采用Sol-Gel法制备了高磁导率纳米NiCuZn铁氧体材料.部分材料性能达到甚至超过了国外同类材料水平.本文概括介绍了所研制的这几类材料的性能.     

应用于近场通信的高磁导率NiCuZn铁氧体材料

针对近场通信(NFC)应用,通过改变材料中的Bi2O3含量和二磨后粉体活性,开发了一种高性能的Ni Cu Zn铁氧体材料。使用流延法制备长宽为125×125mm、厚度为100μm的铁氧体薄片。观察、测试了铁氧体材料的微观形貌、磁导率频谱以及铁氧体薄片的可读写距离。结果表明,铁氧体薄片的使用性能与铁氧体材料在13.56MHz时磁导率实部μ'、虚部μ"的值有关。通过改变材料中Bi2O3含量以及二磨后粉体活性,可获得致密度高、晶粒细小均匀,低频下μ'较高、μ"较低的铁氧体材料。在13.56MHz时磁导率实部μ'高于150,虚部μ"低于5。插入该铁氧体薄片后RFID天线紧贴金属的情况下可读写距离可以恢复到原始读写距离的80%。     

高截止频率高磁导率软磁铁氧体材料的开发

通过对已有的高磁导率材料进行烧结实验,确定了高截止频率高磁导率材料的较为合适的烧结方法;用此方法烧结配制的新材料,试制成功了R15kHF和R18kHF两种新材料,其性能均达到相应指标;证明了合适的烧结方法和降低材料的损耗是高截止频率高磁导率材料的开发研究途径之一.     

氧化物法NiCuZn铁氧体的低温烧结特性、磁导率及显微结构

用固相反应法(氧化物法)制备了成分为Ni1-a-xZnxCuaFe2-(O4(0.15≤a＜0.25,0.1≤x≤0.65)的 NiCuZn铁氧体超细粉.研究了材料的烧结特性,给出了烧结样品的起始磁导率μi、品质因数Q、表观密度d、预烧、烧结收缩率η等随烧结温度的变化.由收缩率、相对比饱和磁化强度σsp/σs的烧结温度曲线讨论了致密化过程与固相反应的关系.由烧结样品形貌分析SEM照片讨论了起始磁导率与晶粒尺寸等显微结构因素的关系,以及细晶粒和异常晶粒的生长过程.获得了在870±10℃烧结温度下μi＞835±10%、Q＞140、比温度系数α＜1×10-6/℃、居里温度TC＝130℃、电阻率ρ＞1012Ω·cm、比损耗因子tgδ/μ＜8.4×10-6的良好性能.其μQ=12.3×104,是Sol-Gel法的2倍.     

较高磁导率高饱和磁通密度HN120B NiCuZn材料的研制

根据平板显示器对软磁铁氧体材料性能的要求,通过优化配方组成,采用TiO2-V2O5、Bi2O3等复合添加剂,针对不同原材料粉体采取的不同工艺处理技术,研制了在常温下起始磁导率(μi)为1200、饱和磁通密度(Bs)大于360mT、居里温度(TC)高于160℃以及具有较高电阻率的NiCuZn铁氧体材料,并已实现小批量生产.     

高磁导率铁氧体材料的力敏效应

简要地介绍了高磁导率铁氧体材料的另一大特点－“力敏”效应及这种材料可能出现的新应用，并试图就这种效应定性地进行了机理分析和讨论。     

高磁导率Mn—Zn铁氧体材料的试制

本文介绍了磁导率为10000的高μMn—Zn 铁氧体材料试制概况,并扼要说明了高μMn-Zn材料的烧结工艺。     

高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料TH13的开发

研究了预烧工艺对高磁导率MnZn铁氧体材料主要电磁性能的影响。结果表明,适宜的预烧温度可明显缓和该材料的磁导率与品质因数之间的矛盾,同时获得较高磁导率和较高的品质因数,即具有较低的比损耗因子和磁滞常数,同时其它参数也得到一定的改善。     

高性能低温烧结NiCuZn材料ZL500的开发

介绍了一种应用于MHz下的高磁导率(μi=500)、高Q值(在1MHz下超过120)、低烧结温度(880℃)NiCuZn材料的开发。研究表明,引入适量的CuO并掺杂适量的V2O5和Co2O3可以促进晶粒的生长,从而降低烧结温度,并且可以获得高Q值;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺获得了优良的材料性能。     

Sol-Gel法NiCuZn铁氧体的磁导率、烧结特性及晶粒生长

用溶胶-凝胶法制备了Ni1-a-xZnxCuaFe2O4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)铁氧体超细粉。研究了材料的烧结特性,给出了烧结样品的起始磁导率μi、表观密度d、收缩率η、比饱和磁化强度σs等随烧结温度的变化。由烧结样品形貌分析SEM照片讨论了起始磁导率与晶粒尺寸等显微结构因素的关系,以及细晶粒和异常晶粒的生长过程。获得了在880±20℃烧结温度下μi>1000的良好性能。     

NiO活性对高频低磁导率NiCuZn铁氧体Q值的影响

以不同工艺生产的NiO为原材料,制备了高频低磁导率NiCuZn铁氧体.用扫描电镜(SEM)分析原材料NiO的微观形态的差异,用X射线衍射(XRD)研究预烧后固相反应的进行状况,考察了不同NiO材料对低温烧结材料高频Q值的影响.研究发现,低温烧结条件下,高活性的NiO原材料能有效提高低磁导率NiCuZn铁氧体的高频Q值.     

V_2O_5/MoO_3掺杂对NiCuZn铁氧体结构和性能的影响

采用固相反应法制备了NiCuZn铁氧体,研究了V2O5/MoO3不同掺杂量对材料电磁性能的影响以及V2O5/MoO3这两种物质掺杂效果的对比。结果表明,在900℃烧结条件下,随V2O5/MoO3掺杂量的增多,样品起始磁导率呈现出先增大后减小的规律(掺杂0.25wt%V2O5/0.5wt%MoO3时出现磁导率峰值)。对比两种掺杂物质,发现掺MoO3样品的起始磁导率和饱和磁化强度略好于掺V2O5的样品;掺V2O5样品的品质因数和矫顽力好于掺MoO3的样品。     

通讯变压器用高磁导率低损耗MnZn铁氧体 TH10材料的开发

介绍了一种=10000的高磁导率低损耗MnZn铁氧体TH10材料的性能特点及其烧结、掺杂技术.这种材料适用于低功率信号传输变压器(如ADSL 变压器),可以降低变压器谐波失真,提高传输速率.     

低温烧结NiCuZn铁氧体的软磁特性

用溶胶-凝胶法制备了NiCuZn铁氧体.给出了Ni0.75-xZnxCu0.25Fe2O4的磁导率频谱曲线及μi、fr、Ms、Hc、TC随Zn含量x的变化.获得了在860~875℃的烧结温度下(100kHz下)起始磁导率μi = 610~300、比损耗因子tanδ/μi=(1.1~4.6)×10-6,和在880℃下烧结μi > 1000的良好性能.     

溶胶-凝胶法制备的高性能纳米NiCuZn铁氧体材料

采用溶胶-凝胶法制备了高性能的NiCuZn铁氧体纳米粉末.研究表明,反应体系的最佳pH值为3.8～4.4,最佳反应温度是70～80℃,并且在正硅酸乙酯催化下,形成凝胶的时间大为缩短.添加10?TiO3所得复合材料具有可调控的电磁性能,其起始磁导率为10～25,介电常数为40～100,截止频率高于1.0GHz,该材料可用于高频多层片式电感.