透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池

一种透明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和／或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和／或氧化钼粉末成形，然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W Mo)／In为0．0040～0．0470的钨和／或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，     

一种铟钼金属镶嵌靶

本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟（IMO）透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99．99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钼丝构成,具体结构是,铟靶上有直径为2．5～3．5mm的小孔,小孔内镶嵌钼丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。     

信息

专利名称:一种用于由乙烯和丁烯反歧化制丙烯反应用催化剂专利申请号:02124835.4公开号:CN1465434申请日:2002.06.20公开日:2004.01.07申请人:中国科学院大连化学物理研究所一种用于由乙烯和丁烯反歧化制丙烯反应用催化剂,由活性组份/助剂/载体组成,活性组份为钼、钨或铼的氧化物中的至少一种,其重量担载量为0·5%~20%;助剂为稀土金属元素,其重量担载量为0·1%~15%;载体主要组份为分子筛,其重量含量至少为50%,还可以添加氧化铝、氧化硅及粘土中的一种或几种。该催化剂的制备方法为:将含有分子筛的混合物载体制成颗粒状,然后分别用提供稀土…     

制备MoO2粉末的方法、由MoO2粉末制备的产品、MoO2薄膜的沉积以及使用这种材料的方法

本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2粉末。将通过压制／烧结、热压和／或HIP进行的粉末固结用来制备圆盘、厚块或板，该圆盘、厚块或板用作溅射靶。使用适宜的溅射方法或其他物理方式将该MoO2圆盘、厚块或板形式溅射在基底上，从而提供具有期望膜厚的薄膜。就透射率、导电率、功函数、均匀性以及表面糙度而言，该薄膜具有与氧化铟锡（ITO）和掺锌ITO可比或优于其的性能如电的、光的、表面粗糙度以及均匀性。可将该MoO2和含该MoO2的薄膜用在有机发光二极管（OLED）、液晶显示器（LCD）、等离子体显示板（PDP）、场致发射显示器（FED）、薄膜太阳能电池、低电阻率欧姆接触以及其他电子和半导体器件中。     

专利技术

专利名称：一种含镧的钨或钼复合材料的制造方法专利申请号：CN200910092801.4公开号：CN101660066申请日：2009.09.08公开日：2010.03.03申请人：北京天龙钨钼科技有限公司本发明涉及一种含镧的钨或钼复合材料的制造方法。具体的,本发明涉及含有镧的复合材料的制造方法,其中所述复合材料为含有钨或钼的复合材料,该方法包括如下步骤：     

从钼氧化物中去除钨的新方法

日本一家公司研究出一种从三氧化钼中分离钨 ,制取高纯钼粉的新方法 ,以满足钼溅射靶对原料纯度越来越高的要求。在一般的纯钼粉中 ,含有10 0～ 2 0 0ｍｇ/ｋｇ的钨 ,这种钼原料中钨的去除非常困难 ,虽然实验室中有一些净化方法 ,但未能用于工业生产。新方法容易分离三氧化钼中的钨 ,并能进一步清除其它杂质。这种新方法是 :用无机酸调节含钨的钼酸铵溶液至酸性 (ｐＨ值为 2 .5～ 4 .5 ) ,使钼酸铵结晶首先析出 ,与氧化钼的钨分离。采用这种方法 ,能使钼氧化物中钨的含量降至 10ｍｇ/ｋｇ以下 ,其它杂质的含量也大大减少 ,从而提高钼粉的质…     

一种复合导电钼浆及应用其制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的方法

正专利申请号:CN201310420090.5公开号:CN103489501A申请日:2013.09.13公开日:2014.01.01申请人:厦门大学;厦门虹鹭钨钼工业有限公司本发明公开了一种复合导电钼浆及应用其制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的方法,该复合导电钼浆包括如下重量份的组分:钼粉50~80重量份、玻璃粉5~15重量份、有机载体10~25重量份     

钼-铜／钨-铜复合粉末、其制备方法和应用

本发明涉及一种通过含金属-复合粉末、粘合剂和任选的陶瓷组分的体系经粉末注塑而制备金属和金属-陶瓷复合部件的方法，其中将所用的金属-复合粉末与粘合剂混合并在惰性气氛中与保护液体混合。本发明还涉及钼-铜复合粉末和钨-铜复合粉末，该粉末的一次颗粒的粒度基本上〈2μm，其氧含量〈0．8％（质量分数），并任选含陶瓷组分，     

专利名称:一种保护电极基体耐高温熔体侵蚀的陶瓷涂层及其制备方法

专利申请号:03118423.5公开号:1425794申请人:武汉理工大学一种保护电极基体耐高温熔体侵蚀的陶瓷涂层及制备方法。本发明的陶瓷涂层为硅酸锆或高纯度锆英石微粉制的团聚型复合陶瓷粉末涂层,或者加有二硅化钼底层,或者用硅酸锆或高纯度锆英石微粉制的团聚型复合陶瓷粉末材料作为面层,以硅酸锆或高纯度锆英石微粉为主要成分加以二硅化钼作为配料制备成不同组份的团聚球型复合粉末作为中间过渡层。采用热喷涂工艺,在一种钼合金或其它高温合金制成的电极基体表面制备耐高温熔体侵蚀涂层。涂层厚度小于0.7mm,采用该涂层结构的钼电极具有高温自封…     

铜钼复合板材

日本东芝公司研制成一种新型的钼钨合金材料．它具有极佳的电阻率、良好的加工性和很强的抗腐蚀性。可用作液晶显示的靶和薄膜，能大大提高液晶显示的灵敏度和可靠性。这种合金材料是用80％的钼和20％的钨采用粉末冶金法和热处理等工序制成的。     

石墨烯银纳米线透明导电薄膜的制备进展

透明导电薄膜是触摸器件以及液晶显示器等的重要组成部分,制备透明导电薄膜的材料主要有金属氧化物、导电聚合物、碳材料、金属材料和复合材料等。其中,一维银纳米线和二维石墨烯材料制备透明导电薄膜具有光电性能优异、化学性能稳定和柔韧性好等特点,有望应用于柔性电子设备中。介绍了石墨烯银纳米线透明导电薄膜常用的制备方法:旋涂法、真空抽滤法、棒涂法、喷涂法、滴涂法等5种以及各种制备方法的优缺点;总结了石墨烯银纳米线复合薄膜的应用领域;展望了石墨烯银纳米线透明导电薄膜的发展前景。     

影响钨钼双金属压制的因素分析

通过对国内外钼基靶制备方法的分析,本文就钼基钨靶研究提出了粉末冶金的方法,对影响复合压制的一些因素进行了研究和探讨。其中,对粉末性能、压制压力和润滑剂的选取标准及要求做了详细的说明,同时为了保证复合压制界面的平整和有机结合,也对复合压制钨、钼压坯密度提出了要求。     

溅射电压和铝掺杂对透明导电氧化锌薄膜性能的影响

研究了用微波ＥＣＲ等离子体反应溅射制备透明导电氧化锌薄膜靶压及铝的掺入对薄膜电阻率和透光率的影响。制香电阻率为１０＾－５Ω．ｍ数量级,可见光平均透光率大于８０％的透明导电ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ）膜。     

电阻率和加工性好的钨钼合金材料

日本东芝公司研制成一种新型的钨钼合金材料 ,它具有极佳的电阻率、良好的加工性和很强的抗腐蚀性 ,可用作液晶显示的靶和薄膜 ,能大大提高液晶显示的灵敏度和可靠性。这种合金材料是用80 %的钼和 2 0 %的钨采用粉末冶金法和热处理等工序制成的电阻率和加工性好的钨钼合金材料@李惠萍     

专利名称:铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极及其制备方法

专利申请号:CN201810934638公开号:CN109119494A申请日:2018.08.16公开日:2019.01.01申请人:蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成;采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备;在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层,杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散;硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层的稳定性。     

高性能银纳米线离子液体凝胶复合柔性透明电极研究获新进展

正柔性透明电极在电子与光电子产业的发展中占有举足轻重的地位,是制备众多电子与光电子元器件不可缺少的光电功能材料。目前,柔性透明电极主要是在透明有机聚合物基底上,采用溶胶-凝胶、化学气相沉积、真空蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光沉积等方法引入氧化铟锡(ITO)导电薄膜。但是,该方法存在致命弱点:(1)金属铟面临资源枯竭;(2)制备工艺昂贵且需要高温,对透明有机聚合     

专利

专利名称：一种去除水中钨和钼污染的方法 本发明公开了一种去除水中钨和钼污染的方法，具体步骤为：（1）合成针铁矿吸附剂；（2）在室温下蒸馏水中老化；（3）在含有钼或钨的水中加入一定量的针铁矿吸附剂；（4）投加强酸溶液，至pH值下降到4．0±0．5；（5）吸附剂在溶液中作用2～7h；（6）静置一段时间，使针铁矿吸附剂颗粒沉淀下来，从而去除水溶液中的钨或钼。本发明为水中钨和钼污染的提供了一种去除方法，使水中的主要元素钨和钼的去除率达到100％，为净化地下水以及地下污泥奠定基础，具有良好的经济、社会效益。     

金属基复合透明导电膜的研究

透明导电薄膜作为一种新型的光电材料显示出多种优异的光电性能和具有广泛的应用背景。综述了金属基复合透明导电膜的发展历程与研究现状，重点讨论了电介质，金属，电介质（D/M/D）和透明导电氧化物，金属，透明导电氧化物（TCO/M/TCO）这两种类型的多层复合膜，分析了其设计原理和存在问题，并指出了控制金属层的厚度和界面扩散是制备高性能光电薄膜的重要方面，最后介绍了金属基复合膜应用，并对其研究进行了展望。     

用溶剂萃取和X-射线荧光光谱法(XRF)测定岩石与矿物中的微量钼与钨

业已用溶剂萃取分离,继之用X-射线荧光光谱法测定岩石与矿物中的钼与钨。采用与氢氟酸和过氯酸混合物一起加热或用焦硫酸钾熔融的办法分解试样,再用N-苯酰苯胲甲苯溶液从4～5M硫酸介质中萃取钼与钨。把萃取物收集在大量的纤维素粉末上,于真空中干燥,全部彻底混合,并压成片,进行XRF测定。该法全部无基质效应,并无需进行元素间影响的数学校准,本法适于测定地质材料低至ppm级的钼与钨,精密度与准确度较好。     

耐高温涂钨钼材

日本一家金属公司生产了一种涂钨钼材 ,它具有极好的耐高温性能 ,可用作坩埚和热电偶管等。这种金属材料是这样制成的 :将钼或钼基合金压制成各类形状产品 ,用化学气相沉积法涂覆上钨 ,再加热至 16 0 0～ 2 0 0 0℃ ,结果在基材钼和涂层之间形成 5 μｍ左右厚的钼钨固熔层耐高温涂钨钼材@李惠萍