片状固态扩散源在磷扩散工艺中的应用

本文介绍了采用国产的片状固态磷扩散源所进行的磷扩散工艺实验及其结果。有效成分为偏磷酸铝和焦磷酸硅的磷源片具有无毒、贮运方便等优点,固态源扩散的系统简单,操作容易。实验的结果表明,扩散结深、扩散薄层电阻、结的击穿电压等参数均能满足常规硅平面工艺的要求,扩散的均匀性也是令人满足的。     

采用片状氮化硼扩散源提高TTL电路质量

硅固态平面扩散源是七十年代出现的一种新的扩散技术,由于它具有均匀的扩散浓度,好的重复性和大大提高劳动生产率的优点,特别是随着硅片直径的增大、浅结扩散的采用促使氮化硼平面源的应用得到推广。我厂自76年年底开始采用片状氮化硼后使TTL电路的质量得到了一定程度的提高,最近四机部在上海召开了片状氮化硼扩散源经验交流会,使氮化硼的应用又取得了进展。     

硼微晶玻璃在硼扩散工艺中的应用

一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散源也得到不断改进,出现了不少新的扩散源,如固态片状BN源、固态片状磷源、硼微晶玻璃片状扩散源等等。就P型掺杂剂的硼扩散源来说,初期普遍使用硼酸三甲脂、硼酸正丙脂液态源和BN粉末源,后来逐渐为BN片状扩散源所代替。近年来,随着硼微晶玻璃片状扩散源(PWB)的出现,受到了很多用户的欢迎,实践证明,PWB源比片状BN扩散源具有更好的工艺优越性。     

片状扩散源在硅的磷扩散中的应用

向硅中进行杂质扩散,除了采用液态或气态杂质源外,还可以采用固体片状杂质源。已经证明,采用片状氮化硼能够进行稳定的B扩散(特别是大面积Si片,效果更为显著)。 我们以前曾经报道过采用片状氮化磷进行磷扩散的方法。本文再报道一种较稳定的扩散方法,采用含P_2O_5的片状扩散材料做为扩散源。     

磷陶瓷片状扩散源在CMOSIC中的试用

固态片状扩散源有扩散均匀性,重复性好,操作简便,装炉量大等优点,一直为人们所向往,但六十年代,未找到合适的片状磷源材料,至1972年,日本首先发表了片状氮化磷源专利,但由于有热稳定性差等原因,在满足半导体器件和集成电路要求方面不甚理想,因而受到限制,直至1976年美国NJones等报导了PH-1050片状磷源,其所得结果可与pocl3液态     

作者与读者

本文简要论述了片状磷源的扩散机理之后,着重介绍了片状磷源的扩散工艺效果及其使用寿命。通过大量实验与结果分析,认为片状磷源提供磷掺杂的实质是由Sip_2O_7与Al(PO_3)_3在高温下分解出的P_2O_5来实现的,只要控制好扩散温度和时间,即可得到所要求的掺杂浓度和杂质分布。     

片状磷源的扩散

一、前言 磷扩散是半导体器件和集成电路的基本工艺之一,磷扩散的分布状况对半导体器件和集成电路的性能、成品率有很大影响。半导体集成电路的集成度已发展到扩散条宽为2～3微米的大规模、超大规模集成电路,对磷扩散掺杂的精确控制,均匀性和重复性,提出了更高的要求,常用的液态三氯氧磷源不能完全满足这些需要。研究和发展新的磷扩散源,是国内外半导体工业普遍重视的问题。 一九六七年RCA公司发明用片状氮化硼作扩散源有许多优越性以来,人们就开始研究和发展片状磷源,到一九七六年美国Owens-Illinois公司发表了片状磷源的专     

新型片状磷平面扩散源的应用研究

分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。     

SP-03高浓度片状磷源试验

有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认为是一种有发展前途的新型磷扩散源。我组曾试用过国产SP-2片状磷源,针对扩散工艺对磷源的基本要求,对源片的扩散情况,扩散工艺的均匀性、重复性;在p型衬底上扩磷后的p-n结特性等方面,已作过讨论和总结。本文着重试验高浓度SP-3片状磷源的扩散性能,以获得一些扩散试验数据,希望能对此源作器件的高浓度磷扩散时提供参考。     

氮化硼片源扩散工艺的选择

研究表明,只有在适当选择的工艺条件下使用氮化硼片源扩散系统,才能发挥其机构上的特点,获得高均匀性和高重复性的硼掺杂.本文讨论选择这种系统的基本工艺条件的实验结果;给出国产氮化硼源片的使用条件.     

关于氮化硼扩散几个工艺问题的探讨

在集成电路的生产中,已广泛采用氮化硼扩散源、新型片状氮化硼也正被推广应用,用氮化硼做扩散源,具有工艺稳定、易于掌握、扩散电阻均匀、器件结特性好等优点。我厂采用氮化硼扩散源已两年多,对稳定工艺,提高产品合格率起到了较好的效果。在实际应用中,也遇到过一些工艺问题。探讨和解决这些问题,对于进一步提高产品质量,提高合格率以及更好地推广应用氮化硼扩散源都是十分有益的。     

氮化硼扩散小结

为了增加产量和提高质量,我们在电路生产工艺线,基区硼扩散工序由原来液态源硼酸三甲脂改为固态源氮化硼进行硼扩散。经过一个阶段的实践,我们感到效果良好。主要优点是,浓度均匀,重复性好,系统简单,操作方便适于大量投片。现将工艺情况总结如下:     

片状氮化硼试用小结

片状氮化硼是制作P—N结的一种渗P型杂质的固体扩散源。我厂在线性电路的制造中试用了片状氮化硼。 目前,与液态扩散源比较,采用片状氮化硼由于扩散后表面方块电阻分布均匀,磷扩散调试方便,因而成品率可有一些提高。而且由于扩散时片子改成竖放,以扩散恒温区300毫     

Bipolar制造工艺中硼扩散工艺的优化与改进

传统的双极电路制造工艺普遍采用了硼扩散工艺，主要用来形成重掺杂区。一般硼扩散都采用固相源扩散，通常用氮化硼圆片做为硼扩散的固相源，这些圆片的直径与硅片的直径相同或稍大一些。作为固相源的氮化硼因为在高温下反复进出炉，致使其常常容易变形，均匀性变差。采用一种固相源双面交替式使用法，不但使源片变形程度大大减小，也使硼扩散的均匀性得到很大提高。     

液态源大箱法硼扩散

一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4～5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。     

分子束外延中的掺硼工艺

我们在硅分子束外延中利用共蒸发B_2O_3的方法在硅中进行硼掺杂,掺杂浓度可控制在4×10~(17)cm~(-3)至4.2×10~(19)cm~(-3)之间,这说明不需要利用离子注入或高温掺杂炉,也可以在硅外延层中实现有效的P型硼掺杂.我们还对掺杂外延层的质量进行了初步分析:外延层剖面均匀、没有明显的偏析现象;当硅源速率在 2A/s时,外延层中氧含量与衬底相同.     

片状氮化硼是一种好的硼扩散杂质源

片状氮化硼作为硼扩散杂质源,我们用来试生产集成电路低功耗TTL与非双门,低功耗D型触发器以及低功耗四位二进制计数器都得到了满意的结果。在其它工艺条件相同情况下,用片状氮化硼作为硼扩散杂质源所生产的双门,双D中测管芯成品率完全可以达到用粉末状氮化硼源的成品率。在试制中规模集成电路低功耗四位二进制计数器,按二位以上性能好的管芯统计,中测成品率可达15％～20％,其中四位全好的管芯占有     

BiVO_4对Ta改性Ba_3Ti_5Nb_6O_(28)陶瓷烧结和介电性能的影响

采用传统固相反应法制备了BiVO_4掺杂的Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷,研究了所制陶瓷的烧结性能、介电性能以及结构。BiVO_4的添加使Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷的烧结温度从1275℃显著降低到了900℃,介电常数及介电损耗略有提高。其中,掺杂有5.0%(质量分数)BiVO_4的Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷在950℃保温烧结3h后具有较好的微波介电性能:ε_r=31.5,Q·f=4338GHz,τf=36.2×10~(–6)/℃。     

BaCu(B_2O_5)掺杂2.5ZnO-2.5Nb_2O_5-5TiO_2陶瓷的低温烧结及其与Ag的相容性(英文)

研究了不同BaCu(B2O5)(BCB)掺杂量对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷烧结行为、介电性能及与Ag相容性的影响规律。添加BCB可有效地将ZNT陶瓷的烧结温度从1 100℃降低至900℃。BCB添加量为3.0wt%,900℃烧结3h所制得的ZNT陶瓷的微波性能良好:εr=48,Qf=15 258GHz,τf=41×10-6/℃。且在BCB掺杂ZNT陶瓷与Ag共烧样品中未检测到新生相和Ag的扩散,表明3.0wt%BCB掺杂的ZNT陶瓷与Ag的相容性良好,是一种很有潜力的LTCC材料。     

BaCu(B_2O_5)掺杂2.5ZnO-2.5Nb_2O_5-5TiO_2陶瓷的低温烧结及其与Ag的相容性(英文)

研究了不同BaCu(B2O5)(BCB)掺杂量对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷烧结行为、介电性能及与Ag相容性的影响规律。添加BCB可有效地将ZNT陶瓷的烧结温度从1 100℃降低至900℃。BCB添加量为3.0wt%,900℃烧结3h所制得的ZNT陶瓷的微波性能良好:εr=48,Qf=15 258GHz,τf=41×10-6/℃。且在BCB掺杂ZNT陶瓷与Ag共烧样品中未检测到新生相和Ag的扩散,表明3.0wt%BCB掺杂的ZNT陶瓷与Ag的相容性良好,是一种很有潜力的LTCC材料。