合成氯硅烷精馏工艺改造

针对多晶硅生产中合成氯硅烷精馏工艺存在的问题,对其工艺进行了改造,采用Aspen Plus软件对改造后的工艺进行了模拟计算,并结合生产实际确定了较优的操作条件。与原工艺相比,工艺流程简单,设备数量减少,塔釜再沸器能耗减少23.56%,塔顶冷凝器能耗减少24.68%,合成精制三氯氢硅及多晶硅产品的合格率分别由改造前的92.1%和86.4%提高至97.5%和92.1%。     

多晶硅还原炉系统余热回收利用

高纯的SiHCl_3与H_2在还原炉内1100℃左右高温下发生化学气相沉积反应,在硅芯上沉积而生成多晶硅,还原炉是多晶硅生产中电耗最高的设备,本文通过利用高温热水对还原炉的夹套、底盘及尾气进行冷却,加热后的热水进行闪蒸,年产6000 t的多晶硅规模,通过热量回收能产生0.3 MPa(g)的低压蒸汽44.77 t/h。达到节能降耗的目的,从而降低多晶硅生产的成本,以提高行业的竞争能力。     

聚四氟乙烯大尺寸容器、管节的定型、机械加工及翻边工艺

<正> 聚四氟乙烯塑料有卓越的耐腐蚀性能,用它制成的容器和输送管道,可以保证腐蚀性液体不受污染,保持高纯度。电子工业广泛应用的单晶硅是由多晶硅制取的,而多晶硅的原料——三氯硅烷(SiHCl_3)具有极大的腐蚀性。用奥氏     

直接法合成甲基(氢)二氯硅烷新工艺研究

直接法合成甲基(氢)二氯硅烷具有原料易得、可以连续化生产的显著特点。传统的合成工艺路线有两条:(1)以 Si、CH_3Cl 和H_2为原料合成(2)以 Si、CH_3Cl 和 HCl 为原料合成。本文通过催化作用原理研究,提出了以 Si、CH_3Cl 为原料直接法合成 CH_3SiHCl_2的新工艺。采用 Cu-Cl—Ni—Zn 催化体系不但能使 CH_3Cl 适量分解产生 HCl,而且还能促进 HCl 与 Si、CH_3Cl 反应并有效地转化为目的产物 CH_3SiHCl_2,由小试和400mm 流化床中试所得的混合单体中,CH_3SiHCl_2含量>15%,(CH_3)_2SiCl_2>50%,为工业化生产有机硅含氢单体开辟了新的途径。     

多晶硅还原炉U-I曲线计算与分析

以18对棒多晶硅还原炉为研究对象,通过热量平衡,分析了硅棒辐射散热Q_1,进出气相物料焓变Q_2,以及反应热Q_3,计算了不同生长阶段还原电源系统需要供给的总功率P。同时结合多晶硅的电阻特性和欧姆定律,得到18对棒多晶硅还原炉的U-I曲线。在此基础上分析了还原炉内壁黑度ε_2、硅棒表面温度T1、SiHCl_3的进料曲线和硅棒长度l等对U-I曲线的影响。最后与实际运行过程中的U-I曲线进行了对比分析。本文结果可以直接作为18对棒多晶硅还原炉电源系统的U-I曲线,分析过程和计算方法也可为其他类型的多晶硅还原炉U-I曲线设计提供参考。     

热能综合利用在改良西门子法多晶硅生产中的应用

精馏、还原、尾气回收这3个装置的蒸汽耗量占整个多晶硅生产过程中总耗的大约95%。为了降低多晶硅的综合能耗,通过对目前多晶硅企业的生产技术进行综合分析,结合实际运行经验,可通过热能综合利用方式对精馏、还原、尾气3个单元分别采取不同的工艺路线进行改造设计,采取更为有效地节能措施,降低多晶硅行业的综合能耗。     

多晶硅还原加压工艺研究

为了降低多晶硅生产成本,对多晶硅生产中的重要环节———三氯氢硅(SiHCl3)还原生成多晶硅工艺进行了改进,将还原炉操作压力由常压提高至0.6 MPa,比较了加压工艺与常压工艺在多晶硅的沉积速度、沉积时间、还原反应耗电量以及多晶硅产品质量等指标上的区别。结果表明,还原炉压力由常压(0.1MPa)提高至0.6 MPa、H2和SiHCl3的量之比降低至3.5～5/1、SiHCl3和H2混合气的最大流量增加至2 000 kg/h、平均供气量约为980 kg/h时,多晶硅的沉积时间由200 h缩短至100 h;沉积速度由7～8 kg/h提高到20 kg/h,提高了150%以上;反应所需的单位耗电量也从135 kWh/kgSi降到75 kWh/kgSi,降幅达44%,从而大幅降低了多晶硅的生产成本;同时,产品质量也得到极大的提升。     

三氯氢硅生产现存问题及发展前景

随着我国经济的快速发展,尤其是电子产品市场,光纤通讯市场的扩大化,使得SiHCl_3的发展速度迅速提升。但是由此带来的SiHCl_3项目的盲目扩建,又为SiHCl_3的发展带来了一定的挑战和风险,因此,研究SiHCl_3生产现存问题及发展前景有很大必要。     

多晶硅生产中SiCl_4氢化工艺进展

多晶硅生产方法中,改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点,成为目前应用最广泛的工艺。其中SiCl_4氢化制备SiHCl_3工艺,是其中一项关键技术,也是多晶硅生产中耗能较多的工序。在国家提倡节能降耗、生态环保的背景下,如何提高SiCl_4氢化转化率,提高产量和质量,降低能耗,意义重大。本文针对这个问题,对目前的各种氢化技术进行了对比研究,发现催化氢化中的氯氢化技术节能降耗最显著,综合指标好,是有前景的氢化技术。     

SiHCl_3还原工艺的关键参数探究

多晶硅制备方法主要有气液沉积法、流化床法、硅烷热解法、冶金法、物理提纯法、改良西门子法等。改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点,成为目前应用最广泛的工艺方法。SiHCl_3还原是其中一项关键技术,也是主要耗能部分。在国家提倡建设节能降耗、绿色环保型企业的背景下,如何提高SiHCl_3一次转化率和Si的沉积速率,从而提高产量和质量,降低能耗,具有重要意义。本文针对该问题探究相关参数和优化方法,结合生产实践,探究合理解决方案。     

重钙生产中存在的问题和解决措施

利用湖北胡集矿区中、低品位矿的精选磷矿生产重钙,通过1年多的生产,存在二次矿分解率偏低(约70%)、鲜肥物性较差、造粒系统易堵、粒状重钙易结块等问题.分析其原因并提出解决措施在混合机中加入表面活性剂;加入少量H2SO4代替H3PO4;改造系统溜槽溜管;恢复产品的冷却系统;增设产品包裹油系统等.采取以上措施后,产品物性得到改善,转化率提高到82%以上.     

多晶硅生产过程中SiHCl_3分析准确性探讨

SiHCl_3中杂质的含量直接影响多晶硅的品质,其杂质含量一般在×10-9级别,同时样品挥发性极强,因此分析的准确性受到极大的挑战。本文从各方面阐述了准确性的影响因素,并提出相应的措施,确保过程分析的指导意义。     

多晶硅工业化装置在四川建成

我国第一套拥有自主知识产权的年产10 0 t多晶硅国家重点工业化试验项目装置 ,已于 1999年 10月在四川省峨眉山市峨眉半导体材料厂建成 ,并正式投入生产运行。2 0 0 0年 1月 9日 ,该项目又通过了由国家有色金属工业局主持的鉴定验收。多晶硅是一种重要的电子信息基础材料。目前国内仅有 2家企业生产 ,年产量约6 0 t左右 ,远远不能满足市场需求 ,大量产品要依赖国外进口解决。该项目采用多项首创的生产技术 ,使产品的生产成本与传统方法相比 ,降低了 30 % ,并从根本上解决了环境污染问题 ,标志着国内多晶硅生产技术已达到世界先进水平。多晶…     

电子级多晶硅生产中氯硅烷精馏工艺的设计和优化

比较目前多晶硅生产中氯硅烷精馏的国内传统工艺和引进国外工艺;通过研究和借鉴,结合专家意见并进行模拟计算,设计和优化氯硅烷精馏工艺;简化流程,降低能耗,减少精制三氯氢硅中的杂质,从而提高多晶硅产品的品质。     

串联中压技术在二氧化碳气提法尿素生产中的应用

分析了原CO_2气提法尿素生产装置存在的问题,主要包括气提效率低、精馏塔出液温度低、氨水槽中氨水浓度超出设计值、单位产品综合能耗较高等。针对存在的问题,在原有CO_2气提生产装置的基础上,采用绝热闪蒸技术,串联了中压系统。改造后,单套装置平均产能提高,超过原设计产能;装置综合能耗降低,平均为105 kg/t(折算成标准煤);生产1 t尿素产品成本比改造前降低约17.21元;产品中缩二脲质量分数降低,产品质量提高;氨水槽的氨水质量分数维持在3.8%以下,远低于改造前,使设备腐蚀得到缓解。生产运行实践表明,串联中压系统的改造给生产提供了更便利的操作条件,增加了产品的市场竞争力。     

基于DWC的氯硅烷精馏计算初探

采用Petlyuk模块对SiH_2Cl_2、SiHCl_3和SiCl_4的三元氯硅烷组份采用隔壁塔精馏进行了计算,得到了DWC塔的气液相负荷和组份浓度分布。并分析了回流比、进料位置、副塔采出位置、隔板位置以及Connect streams流量等因素对产品纯度的影响。结果和方法可为DWC精馏三元氯硅烷的工艺设计提供参考。     

还原炉运行间隔时间对三氯氢硅总进料平稳性的影响

根据单台24对棒还原炉的SiHCl_3进料曲线,采用Matlab编程,分析了30台还原炉的运行间隔时间对SiHCl_3总进料量平稳性的影响,并计算出最合理的运行间隔时间为4 h,方法和结果可作为实际生产运行的参考和指导。     

我国NBR生产近况

目前 ,我国NBR生产装置有 3套 ,它们是中国石化兰州化学公司早期从前苏联引进、采用高温间歇乳液聚合技术的硬胶生产装置 ,年产能力约 0 .45万t,可生产 3个牌号的产品 ;该公司近年从日本引进的年产 1 .5万t低温乳液聚合装置 ,可生产高、中、低腈含量的 9个牌号软胶 ,年总生产能力为 2 .95万t ;中国石化吉林石化公司从日本引进的SBR生产线改造而成的NBR生产装置 ,采用多釜串联、低温乳液聚合工艺 ,年产能力为 1万t,可生产 5个牌号的产品。2 0 0 2年我国NBR总产量为 2 .5万t,开工率约 85 % ;进口量为 3.71万t;表观消费量为 6.2 1万t,国产…     

多晶硅还原炉进气中添加SiCl_4、SiH_2Cl_2工艺进展

多晶硅产能近几年迅速扩张,副产物四氯化硅(SiCl_4,简写STC)和二氯二氢硅(SiH_2Cl_2,简写DCS)随之迅速增加。出于环境保护和生产经济性考虑,需对STC和DCS进行回收处理。对于STC的处理,冷氢化工艺应用日益广泛;同时,在还原炉进气中添加STC的研究也展示了良好前景。对于二氯二氢硅的处理,研究普遍采用反歧化法,使DCS和STC反应,生成三氯氢硅(SiHCl_3,简写TCS),重新进入还原生产,循环利用。从国内外相关技术研究看,可以在还原炉进气中适量添加STC或DCS,使STC或DCS转化成TCS,从而充分利用物料,降低回收处理系统负荷,达到节能降耗环保安全的目的。     

多晶硅化工生产中的节能综合利用

目前,太阳能技术和电子技术不断发展,多晶硅作为重要的应用原料,其生产和制作水平也不断提升。在多晶硅制作的过程中,精馏、还原和尾气回收装置会消耗较多的能量,约占整体蒸汽耗量的95%。主要就多晶硅化工生产中的节能综合利用进行了阐述和分析。