共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
传感器技术对智能水表的质量至关重要 总被引:3,自引:0,他引:3
智能化水表是在机械水表的基础上,将机械信息转换为电子信号。从而完成智能水表数据的远程传输或远程测抄,并辅以配套的计算机数据处理系统,对数据进行汇总整理。对水表进行系统管理。因此智能化水表的关键技术就是传感器技术。 相似文献
4.
封装对MEMS高G值传感器性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
以一种新型高G值MEMS加速度传感器为例进行有限元模拟,将实际封装简化为一种最简单的封装结构,进行频域分析和时域分析,讨论粘结传感器芯片和封装基体的封接材料对其输出信号的影响。频域分析表明,封接材料的杨氏模量对封装后加速度传感器整体的振动模态的影响很大,封接胶的杨氏模量很小时会致使加速度传感器的信号失真,模拟表明可选用杨氏模量足够高的环氧树脂类作高G值传感器的封接材料,时域分析静态模拟表明,封接材料的杨氏模量对最大等效应力,最大正应力以及沿加载垂直方向的正应力的最大值与最小值基本无影响,时域分析动态模拟表明,随着封接材料杨氏模量的提高,动态模拟输出的悬壁末端节点位移的波形和经数字滤波后输出的信号变好,封接材料的杨氏模量不影响输出信号的频率和均值,在加速度脉冲幅值输入信号变化时,悬壁梁末端位移平均值输出领带信号与输入有良好的线性关系。 相似文献
5.
6.
7.
电子标签芯片是无线射频识别(RFID)技术的核心,其模拟电路的设计十分关键.它分为电源产生电路、调制解调电路以及上电复位模块等模块.设计结果表明,设计的电路具有很高的整流效率,满足了设计需求. 相似文献
8.
在动态压力的测试中,压力测试系统的每个组成部分对动态压力测量结果都有影响,但影响各不相同。本文通过实例,对压力测试系统中的两个重要组成部分———压力传感器和滤波器对动态压力测量的影响进行了分析,强调了由于滤波器的使用,可能出现人们很难发现的压力传感器过载问题及其避免方法。 相似文献
9.
本文对数字电视信号的特性、对消性能进行了分析,并通过实际采集的数据分析其在杂波背景下目标检测性能,且与调频广播信号进行了对比,最后指出数字电视信号能够作为无源雷达检测目标的种优秀的外辐射源。 相似文献
10.
11.
声表面波 (SAW)传感器能将被测量转换成容易检测的频率信号 ,即一种准数字信号的输出。针对 SAW压力传感器 (以 CSF- 1 0型 SAW压力传感器为对象 )的输出特点 ,利用等精度频率测量法测量输出频率 ,并用 Dallas的单线数字温度传感器 DS1 8B2 0测出现场温度 ,采用 BP神经网络对所得数据进行温度补偿后得到精确的被测压力值 相似文献
12.
目的 介绍了井口信号无线数传系统的设计 .方法 无线数传、低功耗电路设计 .结果 省去了井口信号线 ,降低了井口工作量 .结论 提高了测量精度和可靠性 相似文献
13.
热、压环境下压阻变换压力传感器的性能可以通过有限元方法预测.这里研究了简化的1/8模型,模型考虑了二氧化硅和氮化硅生成过程及堆阳极键合和胶粘结合过程.结果发现有限元预测结果和实验数据具有可比性.范例研究表明,硼硅堆导致产生一定的非线性,但它隔离了硬环氧树脂的非线性.在包装过程中最好使用柔性环氧黏合或软黏胶性结合.黏合材料的黏弹性和黏塑性将会导致传感器输出的滞后和漂移误差.然而,在相对稳定的环境下。软黏合剂对传感器的影响可以忽略.此外,详细的设计和过程信息有助于提高模型的适用性. 相似文献
14.
15.
16.
极低压强传感器的设计和研制 总被引:3,自引:0,他引:3
为了测量极高真空的压强,尤其是航天飞机的极高真空分子屏后宇宙空间的压强,本文作者研制了一种类似静电鞍场规的极低压强传感器。XHVS型极低压强传感器的压强测量范围为1*10^-4-1*10^-10Pa,它具有灵敏度高,电极尺寸小,吸放气率降低,功耗低等特点。作者计算了XHVS型极低压强传感器模型的电场分布以及电子、离子的运动轨迹,利用蒙特卡罗方法对XHVS型极低压强传感器的灵敏度常数等特性参量进行了 相似文献
17.
基于微型绝压传感器和高度气压关系式,研制了一种气压高度计.高度计的电路由恒流源、专用处理电路、低通滤波器和模/数转换芯片组成.对高度计的性能参数进行了测试.全系统重量小于7 g,工作电压为5V,工作电流小于10 mA.高度计可以在-50 m~600 m的高度范围内工作,且分辨力可以达到0.5 m.温度漂移和气压变化会导致高度测量误差,为此设计了一种GPS辅助算法.相应的飞行试验也已完成,结果表明高度计可满足微型飞行器的要求. 相似文献
18.
采用CMOS标准工艺,同时采用三种典型MEMS后处理关键工艺,重点通过对牺牲层释放工艺进行研究,制作实现了一种新型CMOS兼容的电容式气压传感器.在该传感器结构中,作为牺牲层的是在CMOS工艺中形成的掺硼氧化硅.通过释放使电容上电极悬空从而感应气压变化.释放过程采用氢氟酸HF、氯化铵、甘油和水的混合溶液.由于释放孔大小和释放孔间距的设计十分关键,通过实验验证优化了4μm×4μm的释放孔更适用于此传感器结构,并对此结构进行了性能分析与实验测试.结果表明,该气压传感器结构合理,工艺成功,重点解决了MEMS后处理中的牺牲层释放工艺与CMOS标准工艺的兼容问题,为利用CMOS标准工艺进行MEMS传感器的研制做出了有益的尝试. 相似文献
19.
针对现有压力传感器不能满足高压、高温、高冲击等恶劣环境下高膛压测试的现状,提供了一种瞬态超高压压阻式传感器。该传感器利用惠斯通半桥式工作原理,选用具有良好压阻效应的硅锗锰铜丝作为敏感元件材料,通过改进制作工艺和装配方式,使该传感器能够承受瞬态高压、高温,实现对0~800 MPa动态压力测试。对比分析表明:在高、低、常温状态下,该传感器非线性误差均不大于0.5%,具有灵敏度高、体积小、安装灵活方便的特点,可广泛应用于高膛压火炮及高压密闭爆发器试验装置的压力测试与研究。 相似文献
20.