正电位环绕型低噪声He-Ne激光器

我们向大家推荐一种新产品——正电位环绕型低噪声He-Ne激光器。它是一种结构新颖、性能优良的He-Ne激光器。据了解,至今为止,尚未见到国内外其他厂家有这种新型结构的He-Ne激光器面市。 该产品发出的激光波长为632.8nm(或1.15μm,或1.52μm,或3.39μm),与普通He-Ne     

半导体激光器在信息处理方面的应用

信息处理,范围较广,计量、处理、存贮、传输、显示等都属于广义的信息处理范畴。表1是激光二极管在各信息处理领域的可能应用。许多技术原来都使用He-Ne激光器,但是现在,由于激光二极管在模式、稳频、大功     

万利达S223超级VCD检修两例

例1.故障现象:出、入盒正常,但入盒后不能读出TOC,几秒钟后显示"No disc". 分析检修:拆去机壳通电开机,发现装入碟片后主导轴不转.取出碟片查看激光头,物镜有上、下聚焦动作,但斜视无红色激光发出,判断故障出在(LD ON)激光控制、APC电路或激光二极管损坏.该机激光二极管初始发射控制电路如图1所示,其工作过程是:光盘入盒完毕,激光头复位后,微处理器ES4108F便向数字信号和伺服信号处理电路IC3(OT1206)发出LD ON(激光接通)指令,IC3接收到该指令后,处理成高电平控制信号从第[40]脚输出送入RF放大电路AN8803NSB(IC1)第③脚,APC电路启动,从第②脚输出低电平激励电压,经Q1驱动激励激光二极管发出激光,经物镜聚焦成识读光点开始读盘.     

二极管激光器在建筑业中的应用超过He-Ne激光器

用激光二极管或发光二极管作光源的水准仪在建筑工业中很受欢迎Ρ据说用这种成本低廉的固体器件水准仪来取代具有He-Ne激光器的水准仪有使用方便、价格便宜的优点。尽管在许多应用中，有人还是欢喜用He-Ne激光水准仪,但据报道二极管水准仪的销售份额也很大,并继续在上升。     

用激光检测滚针表面质量的自动分选仪

本文描述用激光的方法检测滚针表面质量的自动分选仪。该仪器采用He-Ne激光作为检测光源。从激光器发出的激光，经过透镜后会聚成所需大小的光斑照射到转动和传动着的滚针上。这时从滚针表面上反射的光便分为漫反射光和镜面反射光（正向反射光）。在此仪器中，仅使镜面反射光反射到硅光三极管上，     

用He-Ne气体激光器测定晶体光轴方向

将He-Ne气体激光器(6,328埃)用作光学晶体光轴定向仪的光源。这台光轴定向仪是根据Haessnev和in der Schmitten等人报道的装置经改进后得到的。这种定向仪利用光经晶体表面上的侵蚀陷斑反射后构成的花样,可以检测单晶体的结晶取向。以He-Ne气体激光器作光源,能免除通常为得到所需的平行光束而必需的透镜或准直光学系统。而且,激光器发出的相干光很强,致使反射花样在普通照明的房间内便能看到。     

用激光测量钢轨上层结构状态

斯图加特LTC光电子公司才成立三年，在光电子测量市场上却早就出名。公司为顾客提供成套非接触筇电测量系统。利用传感器和接收器两种基本元仵组成各种专用的测试工具。目前公司有两种不同系统投入使用：一种是具有激光二极管和位置敏感探测器的成套传感头。另一种是He-Ne激光器和位置敏感探测器分开的接收装置。     

索尼小型激光二极管 创输出功率世界纪录

日本索尼公司业已研制出新型的铅镓砷激光二极管,其特点是具有世界上最大的输出功率——1W。目前市售的输出功率最大的(500mW)激光二极管是美国光谱二极管实验室(Spectra Diode Laboratory)制造的。输出功率为1W级的普通激光二极管的体积较大,而且比索尼的新产品更耗电。索尼公司的新型激光二极管,其输出功率较之用于小型唱机上的激光二极管要大200倍。索尼最新研制的激光二极管有8个品     

小型氦氖激光器

当今半导体激光器和激光二极管工作在红外和可见光谱范围。然而对某些任务 (精密测量系统 )这些光源不能满足高技术要求。因此 ,稳定小型的 He- Ne激光器的改进仍像以前一样实用。主要厂商在世界市场上出售的所有 He-Ne激光器都是管状结构 ,这种激光器用于移动系统的主要缺点是体积大和重量重 (表1 )。现代技术对激光器尺寸、噪声水平、稳定性、结构坚固性、工作和储存寿命等提出了高要求。管状激光缺点之一是缺少基底平面 ,因此不可能将激光通道精确地固定在空间一定位置。单块激光器不存在这种问题 ,这种激光器用圆形激光陀螺测试仪技术…     

发射633nm光的半导体激光器

迄今为止,生产的半导体激光器发出的光都是在不可见的红外与几乎不可见的暗红(670nm)之间。最近飞利浦研究实验室成功地研制出一种新型的半导体激光器。这种激光器发射出的光波波长与广泛应用的He-Ne气体激光器光波波长(633nm)相同。     

光电器件与显示器

Samsung高对比度17英寸LCD监视器Samsung Electronics America公司的Information Technology Div.发布SyncMaster711t LCD监视器,其对比度高达1000:1,适于提供细节丰富的屏上图像应用。该监视器采用了该公司特有的图样垂直对准技术(Patterned Vertical Alignment,PVA)。提供178°的视角,对比度为1000:1,亮度比为250cd/m2,象素节距为0.264mm,最大分辨率为1280×1024。该监视器具有数字和模拟输入。nLight公司364W激光二极管条nLight公司宣布现已可以用单1cm二极管激光条(808nm)发出364W的连续功率。这种100W级联二极管激光条应用…     

简易的不速之客闯入警报电路

将这种电路安装在住宅的大门上,只要有人擅自推开大门企图闯入住宅就会自动发出警报.这种报警方法是针对盗贼或不速之客设计的,全部电路由发射和接收两部分组成,见图1.发射部分安装在大门门框里侧,接收部分则装在门板侧端,如图2.发射部分由激光二极管组成,由9V电池对它供电.当S1闭合时,激光二极管发光.合上S2将 5V加至接收电路,激光二极管的光线射入光敏电阻LDR形成T1的基极电流,T1饱和导通,使T2基极接地截止,告警电路这时不工作.     

自已动手巧修PHILIPS24倍光驱

一台1999年配置的PHILIPS 24倍速光驱最近突然不能出盒了。拆开光驱,将电源和数据线连接上,通电开机,激光头组件能正常运动,而且能见到激光二极管发出的光,说明激光头和激光头聚焦系统工作正常。关闭计算机,将光驱托盘拉出,然后打开计算机。     

He-Ne激光和半导体激光对腹部手术未愈伤口疗效的比较

目的:比较He-Ne激光和半导体激光对腹部手术未愈伤口的疗效。方法:对65例和54例因外科或妇产科腹部手术伤口愈合不良而分别进行氦氖激光和半导体激光治疗患者的疗效作回顾性分析。结果:1、65例患者进行3-24次He-Ne激光治疗,平均(8.9±3.9)次;54例患者进行4-18次半导体激光治疗,平均(8.4±2.9)次。2、在疗效上,He-Ne激光治疗组中48%(31/65)患者达到痊愈,52%(34/65)患者达到显效;而半导体激光治疗组中只有19%(10/54)患者达到痊愈,78%(42/54)患者达到显效,还有3%(2/54)只达到好转。He-Ne激光治疗的效果明显优于半导体激光(P=0.000)。结论:He-Ne激光与半导体激光对腹部手术伤口愈合不良进行照射的次数之间无显著性差异,但He-Ne激光的疗效明显较半导体激光好。对于腹部手术伤口愈合不良的治疗,优先选择He-Ne激光。     

双拱形LDA侧面泵浦Nd∶YAG光场均匀性研究

采用一种双拱形激光二极管阵列对双棒串接的Nd∶YAG进行同心泵浦,将双拱形激光二极管面阵发出的光作高斯光束处理,通过计算机模拟,研究了双拱形LDA侧面泵浦条件下Nd∶YAG的泵浦光场均匀性,分析了泵浦结构各参量对泵浦光场均匀性的影响。证实了只要选取适当的泵浦参数,采用这种泵浦结构可以提高激光输出能量和光束质量。实验测试了该泵浦结构下Nd∶YAG激光器的输出能量和光束质量,实验结果与理论分析结果基本相符,验证了所建模型的正确性。     

激光校枪的研究

精度校验一直是枪械生产的一个关键。校枪是根据激光准直原理以及参照美国M14步枪训练射手所采用的激光为依据,用He-Ne激光器制成校枪仪和瞄准仪,用激光束模拟瞄准基线,通过此基线来调整准量,使标尺,准量和瞄准点三点在一直线上从而达到校准的目的。简单结构包括: 1.激光瞄准仪,是在瞄准架上装一支230mm长的He-Ne激光管和一台可调焦望远镜,使发出的6328A红光光束在一百米处光斑直径不大于7mm。     

激光二极管测试系统

ILXLightwave公司推出了适用于检测激光二极管的LTS 930 0型寿命 /老化测试系统。该系统支持 1 4管脚蝶形封装的激光二极管。系统的模块设计可完成现场升级 ,并可根据新型载体上芯片而特殊设计温控部分。任选件包括 :相对或绝对功率测量器件、只加热或加热 /致冷系统 ,此外还包括具有ActiveX程序设计工具的综合功能软件包。其水冷却系统可将温度保持在 5℃ ,甚至在使用 1 6个泵浦激光二极管、工作电流为5A时亦可维持这一温度。此外 ,LTS 930 0型测试系统还可用于驱动高功率泵浦激光器中的高电流珀尔帖致冷器件。 (No .1 8)激光二极管…     

He-Ne激光器慎重改进巳获成功

He-Ne激光器的大量和低成本应用是条码扫描，少量而高性能应用则在全息术和半导体晶片检验。He-Ne激光器的普通红光(633 nm)束在工业上和实验室中执行着多种类型的准直任务。     

混合InGaAs光电二极管阵列

单片激光二极管可同时发射红光及红外光XeroxPaloAlto研究中心(PaloAlto,CA)的科学家们在GaAs衬底上生长出单管可见(680nm)和红外(830nm)的激光二极管。这种紧密排列由芯片低压金属有机物气相外延方法制成。     

高功率固体激光器

会上,基本的注意力集中在高功率激光二极管、二极管列阵、光纤激光器和二极管抽运激光器。日本西谷化工厂的С．Накамура报道在InGaN激光二极管中获得～420 mW的振荡功率(横向基模振荡功率为100 mW)。 德国建成连续波2 kW的激光二极管系统,用光纤将其功率导引到加工体上,样品上的辐射强度为～200 kW/cm2。