共查询到17条相似文献,搜索用时 328 毫秒
1.
微带贴片天线已广泛应用于雷达系统,文中介绍了一种新型背腔式单层微带贴片天线,辐射贴片采用微带线馈电,为增加工作带宽,提供了两种不同的贴片形状,第一种是E形贴片,仿真及测试结果表明,此种单元在驻波比优于2的条件下可实现45%的阻抗带宽,但该单元的波瓣带宽较窄。为抑制交叉极化,通过在E形贴片上开四个槽,得到了第二种改进的E形贴片。该单元可实现14%的频带内驻波比优于1.5,同时交叉极化优于-15dB。对C波段8×16单元实验小阵的测试结果表明,该天线在17.9%的频段内具有良好的交叉极化性能及较高的工作效率。 相似文献
2.
介绍了一种新型的Ku频段宽带高增益双极化微带贴片单元及96元阵列的设计。设计中单元采用层叠贴片天线结构,提高了单元的带宽和增益,两个极化端口采用分层馈电,其中水平极化端口采用共面馈电,垂直极化端口采用探针背馈。在馈电网络的设计中引入反向馈电技术,降低了交叉极化。仿真与实测结果表明:该阵列增益达到了26dBi,口径效率约为51%,交叉极化电平小于-30dB,水平极化端口相对阻抗带宽达11.3%,垂直极化端口相对阻抗带宽达13.7%,两端口隔离度高于40dB. 相似文献
3.
4.
提出了一种十字形缝隙加载的小型宽带及圆极化微带贴片天线的设计方法。该天线通过在方形贴片上加载一个大尺寸的十字形缝隙实现天线的尺寸缩减,介质基片采用由FR4和空气层组成的层叠结构,在缝隙中嵌入L型枝节,只需通过调整枝节上同轴线馈电点的位置来获得圆极化或宽带阻抗匹配。ANSYS HFSS仿真分析表明,天线的圆极化带宽(AR≤3 dB)为1.7%,阻抗带宽(VSWR≤2)为5.8%,天线在宽带范围内具有稳定的增益,峰值增益为7.8 dB,同时贴片面积缩减了52.3%。改变馈电点的位置可调节两个谐振频率使天线阻抗带宽达到9.4%,比传统的微带贴片天线阻抗带宽提高了114%。 相似文献
5.
一种S波段宽带微带贴片天线阵列的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种宽带微带贴片天线单元及2元阵列的设计方法,天线工作的中心频率为rl_5OHz(S波段)。天线单元设计中采用口径耦合理论和层叠贴片天线结构,有效增大了天线的阻抗带宽。仿真结果表明该天线阵列实际增益达到11.9dB;在2.27~2.78GHz频率范围内端口驻波比小于2,相对带宽为20.4%;交叉极化电平为-31dB,证明该天线阵具有宽频带、低交叉极化等优良性能。 相似文献
6.
微带阵列天线具有增益高、剖面低、体积小、重量轻、成本低、易共形等优势,为了克服其频带窄、交叉极化强的问题,文中采用偏置缝隙耦合馈电、上层贴片、并馈网络等措施设计了宽带多层微带阵列天线。在等效电路分析基础上,结合仿真验证,分析了关键参数对天线单元阻抗匹配的影响,得出了单元最佳结构尺寸。采用了灵活的等功分并馈网络实现了8×8布局、45°极化的微带阵列天线。仿真和实测结果表明:电压驻波比VSWR<2的阻抗带宽达到48.8%,半功率波束宽度HPBW>9.2°时增益大于18 dB,交叉极化电平低于-22 dB,同时具备较深的零深、较低的副瓣电平。 相似文献
7.
8.
基于HFSS的双层宽带微带贴片天线的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用HFSS10电磁场仿真软件设计和仿真了一种新型宽带双层微带贴片天线,天线采用聚四氟乙烯和空气两层介质,通过增加空气介质层的厚度,同时利用圆形金属电容片补偿馈电探针引起的电感,对微带天线进行耦合馈电,仿真结果表明天线的阻抗带宽达到了23%(VSWR≤2),从而实现了宽频带微带天线的设计. 相似文献
9.
10.
11.
介绍了一种P波段宽带双极化微带天线单元及2元阵列的设计。天线单元设计中采用口径耦合理论和多层贴片结构,增大了天线的带宽,两个极化端口采用共面馈电;馈电网络设计中采用反相馈电技术有效抑制了交叉极化,采用短路耦合线实现反相馈电,降低了对天线带宽的影响。仿真结果表明,该天线阵实际增益达到11.8dB,水平极化端口在0.68~0.86GHz频率范围内驻波比小于2,相对带宽为24%;垂直极化端口在0.63~0.86GHz频率范围内驻波比小于2,相对带宽为30.6%,两端口隔离度高于40dB。 相似文献
12.
13.
采用双层矩形贴片加切角的结构设计圆极化单元,并将其组成应用于X 波段64 单元高增益圆极化微带阵列天线。天线基板采用Taconic-TRF,介电常数4. 5,厚度0. 81mm,损耗角正切0. 0035。利用Ansoft HF-SS 软件对单元及阵列模型进行仿真优化。通过实际测试,64 单元阵列天线轴比AR<6dB 的带宽500MHz,增益达到21. 2dB,S11 <-10dB 的相对阻抗带宽达到6. 9%,天线具有良好的圆极化和阻抗匹配特性。圆极化天线具有较强的抗干扰能力,可很好地应用于电子侦察、电子对抗等领域。设计的圆极化微带阵列天线为组成更大阵列的天线以及构建相控阵天线提供了单元基础。 相似文献
14.
A dielectric superstrate layer above a microstrip patch antenna has remarkable effects on its gain and resonant characteristics. This paper experimentally investigates the effect of a superstrate layer for high gain on microstrip patch antennas. We measured the gain of antennas with and without a superstrate and found that the gain of a single patch with a superstrate was enhanced by about 4 dBi over the one without a superstrate at 12 GHz. The impedance bandwidths of a single patch with and without a superstrate for VSWR < 2 were above 11%. The designed 2×8 array antenna using a superstrate had a high gain of over 22.5 dB and a wide impedance bandwidth of over 17%. 相似文献
15.
本文提出了一种新颖的极化捷变放大器型有源微带天线阵,只要在馈电端电控单一有源电路就能实现整个微带天线面阵极化的捷变和信号的放大.利用角馈方形微带贴片设计了一副具有高隔离度和低交叉极化的新颖16元双极化面阵,并分析了天线阵的共极化和交叉极化方向图.介绍了有源电路的设计.该电路利用一专用电控移相器,通过改变场效应管(FET)栅极的直流控制电压,电控两极化端口间的0°或90°相差,实现天线阵由线极化到圆极化的捷变.低噪声放大器(LNA)不仅使有源天线增益提高12-14dB,而且改善了天线的驻波比带宽和隔离度.文中给出了无源双极化阵和有源阵的实验结果,证实了理论的有效性. 相似文献
16.
设计了一种具有较低背向辐射的宽频带圆极化口径耦合微带天线。在口径耦合单元的馈线上附加一对寄生微带线枝节来阻抗匹配,以实现宽频带;利用H 形口径耦合,减小贴片单元的后向辐射,提高天线效率;用威尔金森功分器移相器,使得两口径耦合馈电端口的正交电场相位差90°,从而获得圆极化波辐射。对提出的天线进行仿真及优化设计,最终天线获得了42.8%的阻抗带宽(VSWR<2),在30%带宽内获得了良好的圆极化性能(轴比<2dB;特别在1200MHz~1540MHz带宽内,具有最优的综合性能,具有6dBi 以上的增益、20dB 以上的前后比和交叉极化鉴别率。 相似文献
17.
Lingjian Li 《International Journal of Electronics》2013,100(7):755-765
Microstrip antennas suffer an inherent disadvantage of narrow impedance bandwidth, normally within 5%. In this article, a single layer linear U-slot microstrip patch antenna array is designed, fabricated and characterised. The measured results agree well with the simulated, showing an enhanced impedance bandwidth (voltage standing wave ratio < 2) of 10.6%, ranging from 5.35 to 5.95 GHz, on an FR4 substrate. The antenna array has high efficiency and gain. Only a pair of sidelobes appear in the E plane radiation pattern. The reported linear array design can provide a method of expanding to 4 × N antenna array for satellite to ground communication operating at C band. 相似文献