新型半导体材料SiC

SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，作为Si等半导体材料的重要补充，可制作出性能更加优异的高温（300～500℃）、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。SiC高功率、高压器件对于公电输运和电动汽车等节能具有重要意义。Silicon（硅）基器件的发展，未来已没有可突破的空间了，目前研究的方向是SiC（碳化硅）等下一代半导体材料，这种新器件将在今后5～10年内出现，它的出现会产生革命性的影响。     

微波铁氧体材料高氧压退火

详细地介绍了微波铁氧体材料在较高氧气压力下退火处理的工艺。经过处理材料性能得到了显著改善，从而使制造性能的微波铁氧体材料有了一个较为方便的途径。     

新型半导体材料推动科学技术的新领域

随着全球电力工业的发展，高压直流输电换流技术和其它一些有前途的应用领域正朝着超大功率，或者更小功率两个方面发展。     

AgMeO电触头材料的塑性变形及退火特性分析

本文从AgMeO电触头材料的结构特点出发,运用弥散型金属基复合材料强化的位借理论,以内氧化AgCdO挤压线材为主要研究对象,通过分析其真应力一真应变曲线、冷变形及退火后材料机械性能与其内部金相组织的变化,并与纯Ag、细晶Ag等非弥散型电触头材料对比,具体讨论了AgMeO电触头材料的塑性变形及退火特性。     

AlGaInP材料LED的电子束辐照效应的PL谱分析

应用电子束辐照可以揭示载流子注入的半导体器件的电子注入对残余杂质和结构性缺陷的效应影响,对辐照引起改性的研究也十分重要。本文主要研究1.5Me V电子加速器、3Me V电子加速器、7.5Me V电子加速器、7.5Me V电子加速器X射线转靶几种电子束辐照对Al Ga In P材料LED发光性能的影响,并应用PL谱对比分析不同能量和剂量的电子束辐照对Al Ga In P材料LED外延片的辐照效应。在发光强度的变化上,在10k Gy剂量以下的1.5Me V电子束辐照和5k Gy剂量以下的3Me V电子束辐照下,辐照效应使发光强度增强,并随着剂量的增加,发光强度逐渐降低。本实验结果将被用于指导Al Ga In P材料LED的辐照改性实验。     

SiC基稀磁半导体材料的研究进展

稀磁半导体材料(DMS)是一种新型的磁性半导体材料,它同时利用了电子的电荷和自旋属性,兼有铁磁性能和半导体性能,在自旋电子器件领域有着重要的研究价值。主要介绍了DMS的发展过程,总结了最近几年SiC基稀磁半导体材料的研究进展,包括制备方法、性质研究和存在的主要问题,并展望了今后的研究方向。     

松下推出高可靠性的半导体封装基板材料

正物联网、人工智能技术等的发展,使得高性能、高集成度的半导体芯片需求激增。在这样的背景下,半导体封装正朝着大型化和2.5D封装中常见的高密度化方向发展。松下综合运用自主研发技术,开发出具有高可靠性的半导体封装基板材料。该材料可在芯片封装时利用材料本身的低热膨胀性抑制翘曲的产生,并且利用该材料优越的伸缩性和缓冲性来降低施加于焊球的应力。     

应用离子注入技术改善航空用电接触材料耐磨性研究

为了改善航空用金基电接触材料的耐磨性,本文研究了以金镍为基的合金,进行了In~+、N~+的注入及TiN离子束增强沉积的试验。经基本性能测试及模拟试验表明,In~+的注入较为理想。 用注In~+的金基合金电刷,配金基合金绕组,装入航空电位器,作产品使用寿命试验,寿命达到一百万次以上,达到了国际先进水平。 用透射电镜对注In~+的表层进行结构分析表明,合金表层基体仍是以Au为基的固溶体,没有新相产生。但合金表面生成In_2O_3薄膜的,此膜为六方结构。晶格参数比C/α=3.163。此参数比具有较好的自润滑耐磨性的石墨还好。这是注入In~+后能使合金表层具有较好润滑耐磨性的主要原因。从衍射图中衍射斑晕环说明,In~+注入能使基体晶格产生较大的畸变,这也是使表面注入层硬度提高,增加耐磨性的原因之一。     

半导体材料电阻率与导电类型测试仪的研制

采用一种新的双电测组合法测试半导体材料的方块电阻和体电阻率,改进了传统直流四探针测试法。以凌阳SPCE061A单片机为控制核心,通过软件设计和硬件电路相结合,设计了一款集半导体导电类型判别与方块电阻、电阻率测量于一体的测试仪。运用冗余通道法、PID算法,提高了系统的测量精度和智能化水平。实际运行结果表明:测量结果与探针间距无关;能自动修正边界影响和自动选择量程,较好地满足了生产与教学需要。     

两种新型电机转子材料电子束焊接性能的研究

本文对所研制的两种新材料的电子束焊接性能进行了较为深入的探讨。所采用的实验方法主要是通过改变热处理制度,探索出使材料焊缝获得最佳综合机械性能的途径。研究结果表明,材料焊缝在适当条件下具有十分理想的综合机械性能,能完全满足高速电机转子的要求。     

用半导体材料制造变压器铁心地屏

介绍了半导体漆铁心地屏的结构、材料和加工过程中应注意的问题。     

高效半导体照明材料关键技术研发取得进展

正半导体照明具有技术发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力巨大等特点,已经确立了在照明产业变革中的主导地位。经过多年的发展,国内半导体照明产业初具规模,并开始加速向通用照明领域渗透。"十二五"期间,863计划重点支持了"高效半导体照明材料关键技术研发(四期)"项目。近日,科技部高     

高压电机新型半导体防晕材料研制成功

1984年至今,哈尔滨大电机研究所先后研制成功二种新型半导体防晕材料:HDJ-1低阻玻璃带,用于定子线圈槽部防晕。HDJ-2高阻玻璃带,用于定子线圈端部防晕。HDJ-1,HDJ-2在哈尔滨电机厂已经制造了10千只线棒,成品率从95%提高到99%,并解决了长期以来用于一次成型结构的防晕材料储存期太短的问题。由于材料储存期和防晕层均匀性不过关,     

高能离子注入SiC后的离子分布和损伤程度研究

电力系统对于SiC功率器件的迫切需求使其制造工艺成为研究热点和必须解决的关键问题,掌握离子注入掺杂工艺对于提升SiC功率器件的性能具有重要意义。应用基于蒙特卡洛算法的SRIM程序对高能N、P、B、Al离子在不同能量范围(100~500 kev)和不同剂量范围(1×10~(13)~1×10~(16) cm~(–2))注入SiC的微观过程进行模拟,分析注入离子在SiC中的射程分布、浓度分布以及不同注入条件(离子种类、注入能量、注入剂量)对注入层损伤程度的影响。结果表明:在高能情况下不同注入条件对离子分布和损伤程度的影响效果和影响机制各有不同,在高能情况下,注入能量对损伤程度的影响作用将大大减弱,注入剂量将起主要作用。     

半导体制冷-相变材料保温的电池组热管理

为提高户外基站备用电池组的工作性能、延长使用寿命,需要进行冷却和保温。将半导体制冷(TEC)与相变材料(PCM)保温相结合,对基站用48 V铅酸电池组进行热管理。模拟分析TEC的布置、制冷功率和环境温度对冷却保温效果的影响。TEC设置在电池组前后两侧、制冷功率为170 W时,可降低电池的温度、提高冷却阶段电池组温度场的一致性、延长保温时间。电池组经过连续的冷却保温过程,仍处于最佳工作温度范围,电池充放电时的最高温度可得到抑制。     

基于半导体制冷-相变材料的电池热管理

相变材料用于锂离子电池冷却时,可能会受环境温度的影响;半导体制冷片用于电池冷却时,通常要对发热端进行液冷,结构较复杂。为解决上述问题并实现优势互补,提出一种半导体制冷片结合相变材料的锂离子电池热管理思路。建立三维传热模型,进行仿真计算。在散热工况下,环境温度分别为25℃、35℃和45℃时,5 C恒流放电的方形(70 mm×27 mm×90 mm)磷酸铁锂锂离子电池的最高温度始终都在60℃以下;在加热工况下,环境温度为-10℃、-20℃时,使本身不产热的电池的最低温度达到0℃,分别需加热223 s、479 s。该热管理结构既可满足电池在不同环境温度下的散热需求,也可实现低温下较好的加热效果。     

半导体离子型纳米复合电解质材料GDC-LCNC的性能研究

制备了具备高离子电导率的半导体离子型纳米复合电解质材料GDC(Gd_(0.9)Sm_(0.1)O_(1.95))–LCNC(LiCo_(0.225)Ni_(0.7)Cu_(0.075)O_(3-δ)),并与纯GDC进行对比,研究了m(GDC)∶m(LCNC)对电池性能的影响。结果表明:纯GDC电解质材料电池性能最差,无电流;m(GDC)∶m(LCNC)为2∶1时,获得的复合电解质材料最大功率密度为223 mW/cm~2;m(GDC)∶m(LCNC)为3∶1时,复合电解质材料的综合性能最佳,且在定电压(0.45 V)时,短时(4 h)内电流密度无明显衰减。     

电机钢板结构件焊接退火后变形量分析

根据电机钢板结构件焊接后,由于工艺装配和焊接产生的应力原因,钢板结构件产生变形,经过退火处理后仍会变形的情况,用实测的方法来确定变形量,进行统计分析,同时介绍实测焊接后、焊接完进行退火、粗车后退火、精车后退火等各环节的变形量及测量方法。