低压系列隔离型DC-DC变换器

世界功率管理技术领袖国际整流器公司（IR）近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET—IRF6648。该器件的最大导通电阻为7．0m（VGS=10V），导电损耗可比同类解决方案减少30％。     

英飞凌新一代MOSFET家庭 助力电源制造商实现能将目标

英飞凌日前发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流／直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的0ptiMOS@330VN沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和能源效率提高1％至1．3％，并在导通电阻、功率密度和门极电荷等主要功率转换指标上达到业界领先水平。     

IR拓展具有低导通电阻的汽车用MOSFET系列

国际整流器公司（简称IR）日前宣布拓展了针对低导通电阻（RDS（on））应用的汽车用功率MOSFET专用系列，包括车载电源及内燃机（ICE）、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。     

新型高耐压功率场效应晶体管

分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建模向电场的高压MOS-FET的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。     

基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法

介绍了一种基于检测功率MOSFET导通压降实现短路保护的方法.该方法利用功率MOSFET自身导通电阻产生的导通压降,来得到保护控制信号,实现对功率MOSFET的保护.经实验及工程应用验证,该方法具有保护动作速度快,电路结构简单、可靠的特点.     

IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30VMOSFET，适用于ORing和电机驱动应用

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Re Ctlfier,简称JR）日前推出一系列新型HEXFET。功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻（RDS（on））的IRFH6200TRPbF。     

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平——超级结器件降低传导和开关损耗,提高通信、工业和企业级应用能效

正宾夕法尼亚、MALVERN—2019年1月28日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60%。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同     

正激变换器副边同步整流与同步续流专用控制器STSR2应用电路详解（1）

为明显提高低压大电流输出的正激变换器中功率开关电源整机效率，可用超低导通电阻（4-9mΩ）的同步整流MOSFET和同步续流MOSFET取代原两只肖特基块恢复二极管。     

功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析

简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理,从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响.采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通特性和阻断特性,给出了这些参数随温度变化的曲线.最后,分析了温度对功率MOSFET安全工作区的影响,为功率MOSFET的设计和使用提供了参考.     

现代功率模块及器件应用技术（5）

5 功率模块的参数。5．1 功率MOSFET模块。5．1．1 最大定额。1)漏源电压VD。MOSFET芯片中，漏源极间的最大允许电压。此时，栅源回路为开路或有接入电阻。     

IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET,适用于ORing和电机驱动应用 IRFH6200TRPbF具有业界最低导通电阻

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)日前推出一系列新型HEXFET功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(R_(DS(on)))的IRFH6200TRPbF。     

IR新型-30VP沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternatfOnalRectifier,简称IR）推出新系列-30V器件,采用IR最新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统／负载开关。新款P沟道器件的导通电阻（nDS（on））为4．6mΩ至59mΩ,可匹配广泛的功率要求。P沟道MOSFET无需使用电平转换或充电泵电路,使其成为系统／负载开关应用非常理想的解决方案。     

功率MOSFET雪崩击穿问题分析

分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。     

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

<正>日前,Vishay宣布推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数,该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。"我们承诺为客户提供支持所有     

基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型

提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1 200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1%。     

Vishay新款25VN沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的25VN沟道TrenchFET?Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。     

其他

IR发布新款低导通电阻的AC-DCR步整流MOSFET，瑞典柏仕德化工新型塑料化合物阻断疾病传播，杜比首次公开展示Dolby Digital Plus。     

英飞凌全新MOSFET系列

英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）近日宣布推出三个全新的功率半导体系列，进一步丰富广博的OptiMOSTM3N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS340V、60V和80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能，使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下，降低30％的功耗。OptiMOS340V、60V和80V系列具备较低的开关损耗和导通电阻，与其他竞争性解决方案相比，可增加高达30％的功率密度，使相关应用的组件数降低25％以上。     

3000W高频高效全桥软开关电源选用的低通态损耗单管开关MOSFET新器件

IR公司最新推出的低导通电阻MOSFET功率管IRFPS37N50A,使全桥变换器只需采用二个MOSFET和二个IGBT就能实现软开关电源单机输出功率3000W。     

英飞凌连续推出两款MOSFET新产品

在6月19日的中国国际电源展览会上,英飞凌科技股份公司同时推出具备适用于高能效电源转换产品的OptiMOS~(TM)3 75V MOSFET系列和下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管600V Cool MOS~(TM)C6系列两款新产品。据介绍,全新推出的OptiMOS? 3 75V功率MOSFET系列具备领先的导通电阻和品质因素特性,可降低开