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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
设计了一种新的超磁致伸缩材料和声表面波谐振器构成的复合磁传感器.该传感器将超磁致伸缩材料在磁场中产生的应力应变传递到声表面波谐振器上,改变其谐振频率,通过对谐振频率的检测进行磁场测量.该传感器可以用于静态和动态磁场测量,并且可用作无源、无线磁传感器.主要分析了该结构用于静态磁场测量的原理,给出了实验结果.传感器谐振频率的变化对于静态磁场变化的灵敏度可达132Hz/Oe,谐振频率测量分辨率在1Hz时,磁场测量分辨率可达10^-7T数量级.  相似文献   

2.
光纤测磁传感仪根据Mach-Zehnder干涉仪原理制作,适用于测量静态弱磁场。传感仪的传感臂和参考臂由两条单模光纤组成,传感臂的光纤上粘合了一段磁滞伸缩材料作为传感头.当被测静态场与交变的偏置场共同作用于传感头时,磁滞伸缩材料所产生的纵向应变将导致光纤中的光相位发生变化,利用相位探测装置和锁相放大器就可得出被测场的大小。本系统可探测的最小静态场为79.57×10E-7(A/m)。  相似文献   

3.
新型线圈发射器的电磁场仿真分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
电磁发射拥有许多化学发射不可比拟的优点,近年来受到各国的广泛关注。传统发射器需在线圈内部加装位置传感器,这使得线圈磁场分布不均且结构复杂。该文基于电磁感应原理,设计出了新型线圈发射器模型,该模型利用线圈外部的传感器来控制电路放电时间,克服了传统结构的缺陷。借助SIMPLORER和Maxwell仿真软件对发射器的主体电路和线圈磁场进行分析,得到了磁场中弹丸的静态和动态特性曲线。仿真结果验证了该新型发射器的作用机理,并得到了四级发射器模型的结构参数。该新型发射器可把30g弹丸加速到12.00m/s。结果表明该新型发射器结构简单、线圈内部磁场分布均匀,大大提高了模型的发射效率和系统的稳定性。  相似文献   

4.
提出了一种在法拉第磁场传感器中,同时独立地测量温度和磁场的方法.温度的干涉相角测量与感应磁场干涉条纹对比度调制的结合是该方法的核心,这种方法基于马赫一泽德尔干涉结构使用顺磁材料FR—5作为传感元件,并利用光纤连结可实现远方操作.文中证明该方法能补偿随温度变化的费尔德常数,以确保磁场测量的精确度.  相似文献   

5.
一种测量静态磁场的光纤传感仪   总被引:3,自引:2,他引:1  
所述的传感仪根据Mach-zehnder干涉仪原理制作.传感臂和参考臂由两条单模光纤构成,传感臂的光纤上粘合了一段磁滞伸缩材料作为传感头,一个频率为ω0的偏置磁场施加于传感头上,当被测静态场与交变的偏置场共同作用于传感头时,磁滞伸缩材料所产生的纵向应变将导致光纤中的光相位发生变化,利用相位探测装置和锁相放大器就可测出未知场的大小,本系统可探测的最小静态场为10-6(Oe/m)。  相似文献   

6.
《自动化博览》2009,26(7):8-8
艾默生过程管理近日扩展高准ELITE科里奥利仪表系列产品,用于小流量测量应用。新型高准仪表设计紧凑,可提供两种不同口径:2mm和4mm管径。流量范围为0.07Ib/min到12Ib/min(2kg/11到330kg/h)之间,其液体流量精度为+0.05%,气体流量精度为+0.35%,液体密度精度为+0.0005g/cc。  相似文献   

7.
研究了泥岩对水中钼离子的的吸附动力学,在初始浓度为10、100、200μg/L,温度为10、20、30℃时,泥岩对钼离子的吸附数据均符合二级速率方程。结果表明:初始浓度、温度、粒径均对吸附平衡时间有影响。在浓度为10μg/L,温度为30℃,粒径〉2.0mm时吸附平衡时间最短。  相似文献   

8.
交变磁场测量系统中磁传感器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
阐述了交变磁场测量(ACFM)系统中磁场传感器的检测原理,并在此基础上,根据被测磁场的变化特点,设计了一种可实现空间“点”磁场测量的传感器。通过对磁场的实际测量结果和理论计算值的比较,说明该传感器能实现对“点”磁场信号的准确测量。  相似文献   

9.
《传感器世界》2009,(7):46-46
艾默生公司产品,性能稳定、坚固耐用,同时具有自排空、体积小和重量轻的特点,专门针对小流量而设计。仪表设计紧凑,可提供两种不同管径:2mm和4mm。流量范围为2kg/h~330kg/h之间,其液体流量精度为±0.05%,气体流量精度为±0.35%,液体密度精度为±0.0005g/cc。  相似文献   

10.
为了提高地砖质量检测的精度和自动化程度,提出了疵点在线自动检测系统的设计思路、工作原理和软件设计方法。该系统运行稳定,能准确测出直径为0.1mm的疵点,适用于单色砖/花纹砖等多种建筑装饰材料的在线自动检测。  相似文献   

11.
设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路,该基准电压源主要用于线性稳压器。在CSMC0.6um工艺条件下,使用CADAENCE SPECTRE仿真工具进行仿真可得温度在20℃~80℃变化时,其输出电压变化率为0.25mV/℃;电源电压在4V~8V变化时,其输出电压变化率为6.25mV/V。  相似文献   

12.
对磁场的各项参数的测量是电磁场研究中的重要一环,常见磁场测量仪器可完成直流磁场测量,但这些产品无法测量交流磁场,无法准确获知交流磁场各项参数。如今的交流磁场测量通常不单独形成产品,而是与直流测量共同构成交直流高斯计。然而大多数交直流高斯计只能简单测量其平均值,所以研究脉冲磁场的测量与处理具有重要的理论意义和使用价值。本设计中高能脉冲磁场测量仪能够用于对静态、高能脉冲、高频交变磁场的多参数测量,包括数据采集、程控放大、触发模块、数据处理、人机交互、电源等电路模块以及上位机处理软件等。本设计中使用FPGA作为高速数据采集的控制核心、使ARM处理采集所得的数据,键盘和液晶作为人机交换部分的输入与输出。  相似文献   

13.
在Windows95的控制面板中,有一个图符叫做添加/删除程序,双击它后即可看到一个列表框,其中列出了Windows能自动删除的程序。比较新的为Win-dows95设计的软件在安装到Windows95中以后都能出现在该列表框中,删除起来很方便,如MicorsoftPlus,MicrosoftVisualC++4.0,NortonAntiVirus95等。那些为Windows3.1设计的软件则不会出现在该列表框中,如MicrosoftWord6.0,HansBrowser50等。要想删除这些文件则需要运行它们自带的Uninstall程序。有没有什么方法可以使用户能够用控制面板的添加/删除程序功能来删除那些为Windows3…  相似文献   

14.
《微计算机信息》2005,(3):13-13
一款专为工业控制领域而设计的IDE电子硬盘sundom电子盘。它采用闪存芯片作为存储介质,抗震防潮、性能稳定,能有效保存数据达十年之久。读写速度分别达到6M/S、1528KB/S,容量有8MB~1G可供选择。工作电流小于50mA,睡眠电流小于300uA,操作温度0℃~80℃;储存温度范围-40℃~120℃。  相似文献   

15.
ADI推出微功耗、零漂移精确度仪表放大器AD8237,以具有竞争力的价格为精密信号及传感器调理提供一个高功效解决方案。AD8237具有低输入失调漂移(〈0.3μV/℃)和很宽的输人信号范围。该器件的最大增益误差和漂移分别为0.005%和0.5ppm/℃,  相似文献   

16.
《传感器世界》2008,14(10):49-49
这款双轴静电容量式加速度传感器主要用于汽车导航仪的,特点是偏置电压的变动在.40~85℃范围内仅为±0.032V。外形尺寸仅为6.2mm×8.5mm×1.6mm,加速度的检测范围为±2g,工作电流为5mA,电源电压为2.7~5.25V。  相似文献   

17.
通过数字仿真和实验的方法研究了一种基于等磁场图板值信号的等效磁偶板子(Equivalent Magnetic Dipole,EMD)源重构方法,给出了磁偶板子源位置坐标的计算公式.用磁偶极子源模型产生的磁场数据检验了该方法的源定位精度.结果表明:当阵列测点间距为1mm,令方向磁矩为0时,单磁偶极子源定位的误差小于1mm;双磁偶板子定位误差在,,方向的均值分别为4.6mm,7.8mm,5.3mm.分析了双磁源定位的误差问题,还对用9通道低磁场强度检测实验系统采集的单和双磁偶板子实验数据的源定位结果进行了分析与比较.  相似文献   

18.
针对舰船动态磁性检测站需要确定磁场测量点坐标以进行舰船磁性分析的情况,利用Levernberg-Marquardt算法及磁体模拟法提出了一种动态磁性检测站磁定位方法。该方法利用包含定位参数的舰船磁场模型设计了目标函数,通过Levernberg-Marquardt算法经由定位参数的初始估计收敛到使目标函数最优的定位参数解。船模实验证明,定位结果较准确,能用来描述动态测磁时舰船磁场测量面上测量点的位置,在此基础上能通过舰船磁场推算掌握舰船的磁场分布情况,进而快速制定舰船消磁决策。  相似文献   

19.
基于钴基非晶丝的数字弱磁场检测仪   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了一种数字式新型弱磁场检测仪。其传感器是利用对磁场具有高灵敏度的钴基非晶态合金丝作为敏感材料,并采用单磁芯双绕组结构、多谐振荡桥励磁,它是一种体积小、性能高的新型磁场传感器。设计了传感器信号调理电路及测量仪的硬件电路,并给出了实验结果。结果表明:该仪器能够检测-200~+200 A/m范围内的静态微弱磁场,在室温环境下,测试精度优于0.5%。  相似文献   

20.
设计了一种采用0.25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm/℃,电源抑制比可达到62dB。在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm/℃,输出电流变化率仅为0.03%/V。  相似文献   

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