铁电薄膜与集成铁电学

评述了铁电薄膜制备技术的发展现状及存在的问题，简介了铁电存储器、铁电薄膜红外探测器、光波导、微驱动器等集成铁电学器件的研制及对材料、工艺的要求，提出了集成铁电学发展中有待研究的一些问题。     

当前铁电学研究的一些问题

第八届欧洲铁电学会议(EMF—8)和第一届欧洲集成铁电体会议(EMIF—1)于1995年7月3～8日在荷兰University of Ni-jmegen同时举行。 笔者参加了EMF—8和EMIF—1两个会议,交叉听取了相关报告,并与到会的中、外学者进行了比较广泛的交谈。下面就笔者感兴趣的几个问题作一归纳介绍。当然介绍中可能有片面性,也可能会挂一漏万,需要进一步了解这两届会议详情的读者,请参阅会     

世界著名的电子陶瓷材料科学家与工程专家 中国铁电陶瓷研究领域的主要奠基人之一 中国科学院院士、国际陶瓷科学院首批院士 亚太材料科学院院士、美国国家工程院外籍院士 亚洲铁电学联盟首任主席——姚熹

姚熹 男，1935年9月出生，江苏武进人。1952年参加全国第一次统考，以优异成绩被北京俄语专科学校二部录取，并拟派去苏联上大学，不久因身体原因休学。1953年被保送上了上海交大。1955年加入中国共产党。1957年毕业于上海交通大学电机工程系。1957～1979年担任西安交通大学电机工程系、电子工程系助教、讲师。[第一段]     

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2／Si基片上制备了具有不同铅过量（0－20mol%)的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈（110）择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的介电性能和铁电性能。     

新型半导体材料

在最近的将来,硅仍是生产集成电路的主要半导体材料。但是,硅集成电路已接近物理极限,其速度和集成密度很难进一步大幅度提高。此外,硅的发光特性差,不适合于光电子应用。其它一些半导体,主要是Ⅲ-V簇化合物如砷化镓(GaAs),虽然会发光,也可用来制造速度快得多的集成电路,但是它们的机械强度和散热等特性远不如硅,而且昂贵得多。工业和科学的发展,需要兼有硅和GaAs两者的优良特性的新半导体材料。在过去十年中,研究者把薄膜工艺和表     

纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究

利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。     

介电/半导体功能集成薄膜的制备和特性调控

介电/半导体功能集成薄膜,主要是指将具有电、磁、声、光、热等功能特性的介电功能材料(主要是氧化物类介电功能材料)与硅、砷化镓或氮化镓等典型半导体类功能材料,以单层薄膜或多层薄膜的形式生长(甚至外延生长)在一起而形成的人工新材料,这类新材料有可能具有多功能一体化和功能特性之间的相互调制及耦合等特点,可望在新型电子和光电子器件中获得应用.介绍了介电/半导体功能集成薄膜产生的背景;从集成铁电薄膜与器件、HK/半导体集成薄膜与器件以及极性氧化物/GaN功能集成薄膜与器件等3个方面,分别介绍了介电/半导体功能集成薄膜的应用;概括介绍了介电/半导体功能集成薄膜的制备方法及特性调控.     

中国信息产业领域相关重点基础材料科技发展战略研究

我国微电子工业由于受制多种因素,发展不够快,在国际竞争中有落伍之感。作者列举了若干差距,提出了自己的想法。希望各界人士、广大读者解放思想,提出真知灼见,从发展战略的高度为中国微电子—光电子技术乃至信息产业发展出谋划策。     

金刚石薄膜材料的研制进展

早期,在低压高温下,沉积金刚石膜主要依赖于通过化学气相沉积工艺使碳氢化物气体发生热分解。苏联科学家在这方面进行了开拓性的工作。在低压下形成的这种膜具有一系列的结构、形态、物理性质特征。它含有较大百分比的石墨碳及其它碳或碳-氢结构。在低压下,甚至形成金刚石薄膜的过渡物——类金刚石碳膜和类金刚石碳氢膜。早期的金刚石生长速率极小,约0.1μm/h,以致于它无多少实用价值。1982年,S.Ma-tsumoto采用热灯丝化学气相沉积法,1983年M.Kamo用微波等离子体化学气相沉积法制     

含C、Ge的Fe-Si-Mn基热电材料的电学性能

对掺C和Ge的Fe—Si—Mn基热电材料的电学性能研究表明，相对于未掺的Fe—Si—Mn基热电材料，掺C样品的电阻率降低，但热电动势率增加。掺Ge样品的电阻率有所升高，但热电动势率增加更快，因此掺C、Ge样品有较高的功率因子，比未掺样品提高近1倍。     

Hg1-xMnxTe晶体的生长及电学性能

利用ＡＣＲＴ－ＶＢＭ法生长Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体,并对所得晶体作出宏观和微观质量评价,为改善晶体的电学性质,将生长态的晶体在低温下长时间退火。实现了晶片的反型,Ｈａｌｌ电测量的结果表明位错的数量、分布及富Ｔｅ相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响。     

我科学家在纳米信息存储材料领域再获突破

我国科研人员在Rotaxane类分子的结构与电导转变及其在超高密度信息存储中的应用研究方面再获突破。在此前工作的基础上成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储。这是目前为止该类分子结构与电导转变的最直接证据，对Rotaxane类分子在分子电子学中的进一步应用具有重要意义。     

信息功能材料产业发展热点和难点

本栏目针对新材料,从科研、应用、产业化、市场、经营等角度论述新材料产业的现状和趋势。欢迎各界人士参与讨论,共商新材料产业发展大计。     

第九届国际铁电学会议（IMF—9）概述

第九届国际铁电学会议(The 9th InternationalMeeting on Ferroelectricity,简记为IMF-9)于1997年8月24～29日在韩国汉城召开。受国家教委的资助和派遣,本人出席了每四年召开一次的本届国际铁电学界盛会。下面就大会的基本情况及当前国际铁电学研究中最活跃的铁电薄膜研究作简要介绍。     

掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚、紫外－可见光区透射率，反射率等性质，详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电化学与光学性能，实验发现，薄膜具有良好的透光性和较高导电性，膜内载流子浓度高达10^20cm^-3，电阻率－10^-2Ω．cm， 透光率高达90％，SnO2膜禁带宽度Eg=3.7-3.80eV.     

世界著名的电子陶瓷材料科学家与工程专家中国铁电陶瓷研究领域的主要奠基人之一中国科学院院士国际陶瓷科学院首批院士亚太材料科学院院士美国国家工程院外籍院士亚洲铁电学联盟首任主席姚熹

姚熹男,1935年9月出生,江苏武进人。1952年参加全国第一次统考,以优异成绩被北京俄语专科学校二部录取,并拟派去苏联上大学,不久因身体原因休学。1953年被保送上了上海交大。1955年加入中国兆产党。1957年毕业于上海交通大学电机工程系。1957～1979年担任西安交通大学电机工程系、电子工程系助教、讲师。1979年年底以访问学者的身份赴美国宾州州赢大学材料研究所进修,     

磁电及多铁材料研究进展

近10年来具有磁电耦合特性的材料研究取得了令人瞩目的进展,对相关研究情况做一简要介绍,内容包括磁电相互作用的主要类型和机理,特别关注室温下具有良好磁电效应的潜在实用材料,对磁电及多铁材料在信息和节能技术的应用实例也进行了简要的讨论。     

标准信息集成研究

文章介绍了标准信息集成的特点及优势,分析了国内外标准信息服务的发展现状.针对当前标准信息服务存在的问题,提出了标准知识集成的建议.