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微电子封装的现状及发展 总被引:4,自引:0,他引:4
一、前言目前微电子产业已逐渐演变为设计、制造和封装三个相对独立的产业。由于微电子封装业相对于其它两个产业要求投资少、技术低、劳动力密集、厂房大、投资收益快等特点,因此正在我国迅速发展。二、微电子技术推动封装的发展微电子技术的迅猛发展,集成电路复杂度的增加一个电子系统的大部分功能都可集成在一个单芯片内(即片上系统),这就相应的要求微电子封装具有更高的性能、更多的引线、更密的内连线、更小的尺寸或更大的芯片腔、更大的热耗散能力、更好的电性能、更高的可靠性、更低的单个引线成本等根据美国半导体工业协会等所… 相似文献
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微电子封装技术的发展与展望 总被引:8,自引:0,他引:8
微电子技术的发展,推动着微电子封装技术的不断发展、封装形式的不断出新。介绍了微电子封装的基本功能与层次,微电子坟技术发展的三个阶段,并综述了微电子封装技术的历史、现状、发展及展望。 相似文献
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三维(3—D)封装技术 总被引:5,自引:0,他引:5
3-D多芯片组件(MCM)是未来微电子封装的发展趋势。本文介绍了超大规模集成(VLSI)用的3-D封装技术的最新进展,详细报导了垂直互连技术,概括讨论了选择3-D叠层技术的一些关键问题,并对3-D封装和2-D封装及分立器件进行了对比。 相似文献
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迈向新世纪的微电子封装技术 总被引:12,自引:0,他引:12
论述了微电子封装技术的现状与未来,提出了跨世纪的微电子封装中几个值得注意的发展动向,展现了迈向新世纪的单级集成模块(SLIM) 封装的美好前景。同时,可以看出IC 芯片与微电子封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。 相似文献
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迈向新世纪的微电子封装技术 总被引:2,自引:0,他引:2
论述了微电子封装技术的现状与未来,提出了跨世纪的微电子封装中几个值得注意的发展动向,展现了迈向新世纪的单级集成模块(SLIM)封装的美好前景。同时,可以看出IC芯片与微电子封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。 相似文献
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微电子是IT行业发展的典型代表,微电子器件的应用,需要做好静电防护的工作,以此来提高微电子器件的性能,避免影响其在应用中的表现.因此,本文重点探讨微电子器件的静电防护措施. 相似文献
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静电防护系统理论的探讨及其实际应用 总被引:3,自引:0,他引:3
静电放电是一种常见的自然现象,它对电子元器件,产品生产制造,组装的危害所造成损失是不可估测的,针对静电放电对电子产品影响这一特点,依据国内现行静电防护标准和同行业的静电防护的实践经验,对公司的电子车间进行了全方位静电防护设计,在探讨静电防护系统理论的同时也详细地介绍了的静电防护设计及应用/ 相似文献
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本文论述了静电放电的基本概念,静电控制的物理基础,静电放电对元器件,及电子设备的可靠性影响,同时也提出了简要的静防护措施。 相似文献
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本文主要叙述了半导体集成电路在封装过程中,环境因素和静电因素对IC封装方面的影响,同时对封装工艺中提高封装成品率也作了一点探讨。 相似文献
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提出了一种通过在电源线与地线之间加入外部电容以吸收ESD脉冲的新型集成电路ESD保护方法。分析了这种方法在提高产品ESD防护性能方面的可行性,并用TLP设备测量出了一0.1μF电容在吸收4A TLP ESD电流脉冲时电容两端电压随时间的变化曲线以及不同电容值电容吸收4A TLP ESD电流脉冲后的电压随电容变化曲线,理论分析及测试结果均表明这种ESD防护方法能在集成电路承受6000V HBM ESD脉冲时将VDD与GND之间的电压降钳位在0.5V以下。通过将此ESD防护方法应用在SOI微处理器产品和SOI静态随机存储器产品上,成功地将这两款产品的ESD防护能力从1000V提高到了3000V以上,验证了这种容性封装技术在ESD防护方面的优良性能。 相似文献
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本文主要叙述了半导体集成电路在封装过程中,环境因素和静电因素对IC封装方面的影响,同时对封装工艺中提高封装成品率也作了一点探讨。 相似文献