用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性

研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。     

可用于印刷业的薄膜电致发光器件

据报导,美国西屋匹斯堡研究开发中心Kun等人发现一种可将薄膜电致发光(TFEL)器件光输出提高一百倍,以适应某些特需要的新方法。他们实现这一结果是基于一种新的设计,使器件的发光由边缘出射,而不是象通常那样从器件的正面发光。     

用于大功率微波器件的新型薄膜衰减材料

根据大功率微波电真空器件中衰减材料的作用及对衰减材料的要求,介绍了一种新型的FeSiAl薄膜衰减材料,并对这一材料的特点、微观结构及衰减机制进行了分析.     

聚对二甲苯类薄膜用于有机电致发光器件的封装

采用热解化学气相沉积聚合(TCVDP)方法制备了聚对二甲苯(PPX)和聚一氯对二甲苯(PCPX)薄膜材料,利用其对有机电敛发光器件(OLED)进行了封装.利州紫外可见光谱、扫描电镜(SEM)对薄膜的相关性能进行了表征.比较了器件经过两种薄膜封装前后器件的工作寿命.实验结果表明:利用TCVDP方法,可以制备出透明的表面平整、结构致密的聚对二甲苯类薄膜材料;用于OLED)的封装能大幅度地提高器件的工作寿命,经过PPX封装后的寿命为1215 h,经过PCPX封装后的寿命为1 558 h,比未封装的器件寿命(197 h)提高了6～8倍.     

光电子薄膜器件

本文介绍了光电导，场致发光，和电致变色等光电子功能薄膜及器件，着重于应用于大屏幕显示和可见－红外动态图象转换系统的液晶光阀空间光调制器，电致发光以及场致变色薄膜器的原理，制作及特性等。     

薄膜EL器件

这是有关用作显示器件的薄膜 EL 器件的发明.近来,碱土类硫硒碲化合物为基质、Ce激活发光层的薄膜 EL 器件,由于它能得到较高亮度的蓝色发光而受到重视。这种薄膜EL 器件,通常是在 SrS 和 SrSe 碱土类硫硒碲化合物(用溅射方法或真空蒸发方法形成)中,把其中一种化合物作为基质,用 Ce 激活的薄膜用来做发光层。以 SrS 或 SrSe 为基质,用 Ce 激活的发光层作为薄膜 EL 器件,能够得到 ZnS 基质发光EL 器件所不可能达到的高亮度蓝色发光。     

用于交流薄膜电致发光器件的氧化钇绝缘膜的特性

本文介绍采用电子束蒸发氧化钇绝缘膜的电特性,并对由这种绝缘膜组成的交流薄膜电致发光器件的发光特性进行了讨论。     

电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室

<正>电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室是由电子薄膜与集成器件国家重点实验室与电子科技大学中山学院于2012年3月28日签约共建实验室,旨在推动作为中山市支柱产业之一的半导体照明产业集群的发展,为全市半导体照明产业提供公共科技服务平台,在新技术、新工艺两个方面为企业提供深层次的研发支撑,并为国家重点实验室科研成果的产业化提供有效的对接。     

电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室

正电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室是由电子薄膜与集成器件国家重点实验室与电子科技大学中山学院于2012年3月28日签约共建实验室,旨在推动作为中山市支柱产业之一的半导体照明产业集群的发展,为全市半导体照明产业提供公共科技服务平台,在新技术、新工艺两个方面为企业提供深层次的研发支撑,并为国家重点实验室科研成果的产业化提供有效的对接。电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室以广东省特别是中山市半导体照明产业需求为导     

电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室

正电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室是由电子薄膜与集成器件国家重点实验室与电子科技大学中山学院于2012年3月28日签约共建实验室,旨在推动作为中山市支柱产业之一的半导体照明产业集群的发展,为全市半导体照明产业提供公共科技服务平台,在新技术、新工艺两个方面为企业提供深层次的研发支撑,并为国家重点实验室科研成果的产业化提供有效的对接。电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室以广东省特别是中山市半导体照明产业需求为导     

电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室

正电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室是由电子薄膜与集成器件国家重点实验室与电子科技大学中山学院于2012年3月28日签约共建实验室,旨在推动作为中山市支柱产业之一的半导体照明产业集群的发展,为全市半导体照明产业提供公共科技服务平台,在新技术、新工艺两个方面为企业提供深层次的研发支撑,并为国家重点实验室科研成果的产业化提供有效的对接。电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室以广东省特别是中山市半导体照明产业需求为导向,快速推进半导体照明核心科技成果向中山市转化;有效的形成产业共性技术研发支撑平台,为产业     

电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室

正电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室是由电子薄膜与集成器件国家重点实验室与电子科技大学中山学院于2012年3月28日签约共建实验室,旨在推动作为中山市支柱产业之一的半导体照明产业集群的发展,为全市半导体照明产业提供公共科技服务平台,在新技术、新工艺两个方面为企业     

PLZT薄膜光电器件

PLZT(掺镧锆钛酸铅)陶瓷是一种具有电控光学各向异性性能的光电材料,一直主要应用于显示和光开关器件。目前 PLZT的薄膜研究取得了进展。西德 ITT 标准电气实验室(SET)的研究人员制备了 PLZT 陶瓷薄膜。这种薄膜将有可能用于集成光学元件中。比起陶瓷本身,这种薄膜具有提高其透光率,增大面积,降低成本及工艺简单的优点。此外,它不需要进行光学表面处理,并具有可蚀刻成型的优点。     

薄膜材料与器件

采用积分差分反射术和椭圆测量术对透明衬底上的纳米级介质膜的激光诊断；以斜入射角的高精度分光光度法测量光学薄膜；用椭圆测量术和X射线掠入射反射术表征多层介质膜；用射频溅射法精制的钇铁石榴石(YIG)薄膜的磁光特性；溶胶凝胶ZrO2薄膜的δn/δt测量；用溶胶凝胶工艺生产的掺铕YAG材料的结构和光学特征：粉末与薄膜；可调谐薄膜滤光片：回顾与展望；膜层全光厚度在解决设计问题中的作用；用汽相沉积法在耐热热塑元件上镀膜；具有宽截止带的可变透射滤光片的金属介质涂层；     

薄膜式电致发光器件

日本大阪大学研制成一种用于挂壁电视的薄膜式电致发光器件.只要改变外加电压,就能在一个象素上发出绿、黄绿、黄、橙黄、红等各色光.以前的薄膜式发光器件是单色发光,而且需要200伏以上的外加电压.新研制的发光器件是采用以烯土类化合物为主的薄膜式电致发光器件,外加电压仅为60伏左右.它综合了稳定的单色发光技术而实现了多色化.不过,唯有以蓝光为主的短波部分亮度     

金刚石薄膜高温器件

本文详细地论述了低压气相生长的金刚石薄膜作为一种新型半导体材料的研究进展,讨论了金刚石薄膜与金属的欧姆接触和整流接触,以及可以在高温区工作的金刚石薄膜Schottky二极管和MESFET器件。最后,讨论了目前金刚石薄膜作为半导体材料所遇到的两个尚无法实现的问题:n型掺杂和异质外延单晶膜的生长。     

全色薄膜电致发光器件

兼有点阵和层迭式发光体的器件可以产生全色.蓝-绿色SrS:Ce,K器件经滤色可分成蓝色和绿色,然后重迭在红色CaS:Eu上.     

新型光通信薄膜器件

综述了用于城域网的x-skip-0滤光片、可调谐滤光片已及无源光网络的波分复用器,并给出了8-skip-0滤光片和无源光网络波分复用器的第一块滤光片的设计光谱图。     

激光元器件、薄膜

本文首次报导一种新型超窄带、高噪声抑制的原子滤光器——Zeeman吸收型Faraday反常色散光学滤光器(FADOF/Zeeman)。 利用Rb原子在纵向磁场中对圆偏振光的吸收特性,有效地吸收掉Rb—FADOF的三个