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基于多比特带通△∑调制器的射频数字功放 总被引:1,自引:1,他引:0
为提高射频功放的线性和效率,提出了一种基于多比特带通△∑调制器(BPDSM)的射频数字功放结构并给出了BPDSM的设计方法。针对调制器CRFB实现结构中关键路径过长的问题,利用重定时、流水线和超前计算等技术对实现结构进行了改进,将BPDSM的实现速率提高至200 MHz。提出了多电平开关功放的电路结构,将多个具有独立电源的开关功放单元进行串联,实现了对BPDSM输出多比特脉冲信号的高效开关放大。最后,利用FPGA器件及分立元件实现了频率为30 MHz的数字功放,输出功率为10 W时效率达到60%。 相似文献
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一种数字陀螺中∑-△ DAC的数字调制器设计和验证 总被引:1,自引:0,他引:1
采用单环级联分布式前馈结构(CIFF)设计并实现了一款三阶四比特量化的∑-△数字调制器.噪声传递函数通过局部反馈技术进行了零点优化,并且对各系数进行CSD (Canonical Signed Digit)编码优化.系统建模仿真结果得到SNDR为120.3 dB,有效位数(ENOB)为19.7位.针对多位量化适配问题,采用数据加权平均(DWA)算法对误差进行噪声整形,以减小失配引起的非线性误差.利用增加单元DAC的方法,对DWA算法进行改进,解决了其在直流或低频周期信号下会产生杂波的问题,并对其进行系统建模与仿真.最后利用FPGA验证了IDWA-DAC系统模型的正确性,这种结构能够有效提高动态范围,满足设计要求. 相似文献
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分析并讨论了过采样∑-△ADC中过采样技术和噪声整形技术的工作原理,∑-△调制器的级数对整形效果的影响及调制器的结构选择,并用MATLAB语言的simulink工具箱进行了系统级的仿真. 相似文献
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设计了一个在信号带宽200kHz下,动态范围超过90dB的5阶单环单比特∑-△调制器,该调制器能够很好的应用于中低频GSM接收机中。为了降低电路的复杂程度,提高系统抗噪性,该调制器采用了具有前反馈和负反馈分支的∑-△结构。Matlab仿真结果显示,在1.8V工作电压、0.18μm CMOS工艺条件下,采样频率为21MHz,SNDR为93.9dB,功耗为9.5mW,该系统具有较高实用价值。 相似文献
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本文针对∑-△结构的调制器的工作原理,结合数字调制解调的关键技术,利用MATLAB中的∑-△工具箱建立∑-△调制器模型对∑-△结构进行仿真。通过分析调制器的信噪比来研究分析∑-△结构的调制器。 相似文献
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18位高精度音频∑-△DAC设计 总被引:1,自引:0,他引:1
采用基于过采样∑-△DAC调制技术设计的音频D/A转换器,对量化噪声进行有效整形,提高了分辨率和带内信噪比(SNR).重点对Sigma-delta设计进行了详细分析,给出了有关电路结构和仿真结果.芯片已在TSMC 0.18μm CMOS工艺上流片成功,在工作频率6.144MHz时动态范围达128.6dB,信噪比109.5dB,总谐波失真达-117.2dB. 相似文献
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分析了作为∑-△型A/D转换器主要部分的∑-△调制器的结构原理的基础上,采用Verilog-AMS语言对其行为进行高层次建模.通过理论分析和Cadence Spectre仿真器对该行为模型进行了仿真验证,并与SPICE仿真结果对比证明该模型正确且易用于系统验证. 相似文献
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本文设计了一种基于数字音频系统应用的低功耗2-1三阶级联1位△∑调制器。电路采用SMIC 0.25um数字CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,当输入幅值为1.5V、频率为1KHz正弦波信号、采样率为3.2MHz时,该调制器的SNR和SNDR分别为104dB和96、2dB.而整个调制器的功耗仅为6.18mw。 相似文献
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为了提高SDMADC的信噪比和降低过采样率,必须采用高阶调制器。通过对单环调制器和MASH调制器性能进行较详细的分析,结合减小芯片面积和器件个数,同时保证较大的动态范围,研究了六阶MASH的不同组合,其中MASH(2-2-2)结构的调制器是最优化的。文章采用单比特量化,利用MATLAB的simulink工具对三级MASH(2-2-2)结构进行了仿真,结果表明该方案提高了系统的整体性能。 相似文献
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本文基于Matlab Simulink的环境下构建了一个3级6阶(2-2-2)的开关电容∑-△调制器的行为级模型,在考虑了非理想因素(包括时钟抖动、噪声、有限增益、有限带宽、压摆率、饱和电压等)的条件下,对其待性进行分析研究.仿真结果表明:该调制器在采样速率为51MHz时,信噪比为90dB,有效位数达到14bit. 相似文献
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设计了一个在信号带宽200kHz下,动态范围超过90dB的5阶单环单比特Σ-△调制器,该调制器能够很好的应用于中低频GSM接收机中.为了降低电路的复杂程度,提高系统抗噪性,该调制器采用了具有前反馈和负反馈分支的Σ-△结构.Matlab仿真结果显示,在1.8V工作电压、0.18μmCMOS工艺条件下,采样频率为21 MHz,SNDR为93.9dB,功耗为9.5 mW,该系统具有较高实用价值. 相似文献
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