低成本厚膜PTC热敏电阻浆料制备

本文在传统厚膜PTC(posirive temperature coeficient)热敏电阻浆料制备技术的基础上，改进了功能相的制备方法，大大降低产品成本，用该电阻浆料制备的厚膜热敏电阻在室温下具有较低的方阻，其阻-温特性呈线性。     

MnO_2掺杂量对BaCo_(0.05)Co_(0.1)Bi_(0.85)O_3厚膜NTCR电性能影响

以新型BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3材料为基体,掺杂不同摩尔分数x(MnO2),在840℃下烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和直流阻温特性测试仪,研究x(MnO2)对电阻相组成、微结构及电性能的影响。结果表明:所得的NTC厚膜热敏电阻主要物相为具有钙钛矿结构的BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3,且表面致密。当x(MnO2)超过5%时,有新相BaMnO3开始沿晶界析出,获得小尺寸晶粒;厚膜电阻的室温电阻率ρ25及B25/85值随x(MnO2)增加而升高;当x(MnO2)为10%时,ρ25从初始的13.5?·mm升高为810.0?·mm,B25/85值从600K升高到2049K。     

BaBiO_3/SrFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3–δ)厚膜NTCR的电性能研究

以SrFe0.9Sn0.1O3–δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR)。借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3–δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2~3μm范围内;随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000 k?降至372 k?,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K。     

Fe_3Si基厚膜电阻的制备与电阻特性研究

采用传统固相合成法制备Fe3Si粉体,用作厚膜电阻的功能相,并用玻璃粉作为无机粘接相制备Fe3Si基厚膜电阻浆料。运用正交试验方法研究了浆料中玻璃粉含量、固含量对Fe3Si基厚膜电阻电学性能的影响。结果表明：浆料中粉料与有机载体的比例对其方阻影响最大,并且当浆料中固含量为69%wt~81%wt时,厚膜电阻的方阻变化范围为37KΩ/□~200KΩ/□;当固含量为75wt%、玻璃粉含量为45%时厚膜电阻的方阻最小。     

BaBiO3/SrFe0.9Sn0.1O3-δ厚膜NTCR的电性能研究

以SrFe0.9Sn0.1O3-δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR).借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能.结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3-δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2～3μm范围内:随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000kΩ降至372 kΩ,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K.     

一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究

以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。     

线性NTC热敏电阻浆料的研试

本文介绍了一种以具有烧绿石结构的铌钌酸铋镉为导电阻,铅硼硅酸盐玻璃为无机粘接相的NTC热敏电阻浆料。该NTC热敏电阻浆料阻值范围宽,电阻温度系数负、阻温特性呈线性变化。实现了使用厚膜工艺制备线性NTC热敏电阻元件,推动国内相关热敏电阻器产品的研发。     

Mn掺杂对BaSnO3陶瓷的NTC特性的影响

以BaCO3和SnO2为主要原料,以Mn为受主掺杂,再掺入其它微量的烧结助剂和施受主杂质,用固相法制备出具有NTC特性的BaSnO3陶瓷。在30~190℃的测试温区内,x(Mn)为1.0%~1.8%的掺杂BaSnO3陶瓷材料,其电阻–温度特性呈现良好的线性关系;B值和电阻随着Mn掺杂量的增加而变大,B值的变化范围为5200~6100K;30℃时样品的电阻率变化范围为1.16×106~1.11×107·cm。     

微型笔直写技术制备厚膜温度传感器阵列研究

利用微型笔直写技术,在Al2O3陶瓷基板上制备了4×4厚膜PTC热敏电阻温度传感器阵列。研究了驱动气压、笔嘴直径以及直写速度等对厚膜PTC热敏电阻线宽的影响,分析了微型笔直写PTC热敏电阻温度传感器的形成机理。目前微型笔在Al2O3陶瓷基板上直写的厚膜PTC热敏电阻线宽为130~400μm。高温烧结后其电阻温度系数αR为1620×10–6/℃,在25~95℃之间电阻阻值随温度的变化具有良好的线性。     

膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响

为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。     

ZnO-CuO掺杂对Mn-Co-O系NTC热敏电阻微观结构与电性能的影响

以Mn3O4和Co3O4为原料,ZnO和CuO为掺杂剂,采用固相反应法制备了Mn2.3Co3.7-x-yZnxCuyO4(x=0,0.03和0.06:y=0,0.05,0.08,0.10和0.20)单层片式NTC热敏电阻材料.研究了该材料的微观结构和电性能.结果表明:通过掺杂ZnO和CuO,可以制备低阻高B型Mn-Co...     

Low temperature synthesis and characterization of NTC powder and its ‘lead free’ thick film thermistors

A general and simple chemical approach has been proposed to prepare negative temperature coefficient (NTC) powder material using commercially available tetra hydrated acetates of Mn, Co, Ni and oxalic acid. The thermal decomposition of Mn-Co-Ni oxalate at 700 °C leads to formation of spinel phases with fine powder material. Lead free thick film thermistor pastes were formulated using the synthesized spinel powders. Planar thick film thermistor patterns of the formulated pastes were screen printed on alumina substrates. The microstructure and electrical properties of these thick film thermistors were determined. Depending on the powder preparation, the prepared thick film NTC thermistors showed room temperature resistance in the range of 12-29 MΩ. The values of thermistor constant, β_25/300 ranged from 4014 to 4223 K.     

SrFe_xSn_(1-x)O_(3-δ)陶瓷材料的微观结构和NTC特性

采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00～3.56)×103Ω·cm、4912～3793K和0.424～0.327eV。     

锂掺杂NiMn系NTC热敏电阻的制备与性能研究

介绍对ＮｉｘＭｎ３－ｘＯ４ＮＴＣ热敏电阻材料进行锂掺杂的两种方法，并对掺杂后的电阻性能进行了研究。结果表明：掺杂后仍可获得尖晶石结构的半导瓷，但阳离子分布改变；在晶粒间界处发生偏析；掺Ｌｉ后电阻率、材料常数Ｂ基本不变，但电学稳定性提高。     

薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制

为适应电子整机产品狭窄空间安装的需要,NTC热敏电阻器(NTCR)要进行超薄设计。采用固相反应法制粉,压锭烧结制作NTCR芯片,焊接引线和薄膜封装等工艺方法实现产品的薄形化封装,研制出了一种阻值R25为10k?,材料常数B为3435K,产品最大厚度仅0.5mm的新型薄膜封装型NTC热敏电阻器,为家电产品和生产设备的轻薄化推出了一种新型NTC热敏电阻器。     

La_(0.6)Sr_(0.4)CoO_3薄膜的制备及NTC特性研究

为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。结果表明:随着氩氧体积流量比的增加,LSCO薄膜的主晶相衍射峰强度及方阻均先增大后减小。LSCO薄膜具有显著的NTC特性,室温时的电阻温度系数α25为2.24×10–5;其lnR-T–1曲线具备良好的线形度,线性偏差仅为2.09%;另外,其室温时的电阻R25仅为18.75k?。     

金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究

采用开管涂源法,对p25为7Ω·cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR.研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析.结果表明:扩散温度θ=1200℃、扩散时间t≥2h时,导电类型反型为P型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000K左右,P25恒...