抗振晶体谐振器的研究

本文叙述了为研究抗振晶体谐振器，进行了支架设计，转角及切型选择等各项无源补偿措施，获得了初步结果。     

多电极石英力敏谐振器的力敏特性及稳定性研究

在分析石英晶片受力作用时晶片内应力分布的基础上,设计了一种多电极新型石英力敏谐振器及信号处理电路。在室温及大气状态下对设计的力敏谐振器同时进行激励时,各对电极对应的谐振器的力-频特性线性度及频率稳定性良好。将各谐振器的频率互作差频,再作叠加处理后,输出的频率信号的力-频系数达到2 951.8Hz/N,线性相关度为0.999 7,频率稳定性可达10-10数量级。     

高抗振性石英晶体钟振荡器的研制

本文对高抗振性石英晶体钟振荡器的研制作了详细的介绍,包括参数、结构和工艺等方面的设计,并针对振荡嚣宽频率范围的实现和高抗报性进行了专门的课题研究。该项目产品的研制成功,将国内同类产品的频率拓宽到0．1MHz－350MHz,并且解决了高抗振性的问题,对今后表贴类晶振的研制具有借鉴和帮助意义。     

石英谐振器频率稳定性的失效分析

本文对频率稳定性不良的石英谐振器进行了失效分析，并利用扫描电子显微镜观察了石英晶片电极银膜层的显微形貌，分析了石英晶片银膜层不连续和附着差的原因，提出了改进措施，使石英晶片银膜层的合格率显著提高。     

国内外高端频率控制器件的技术比较

依据频率控制器件领域的市场发展状况,分析了高端频率控制器件的最新成果以及发展趋势,并对国内外精密频率控制器件的性能指标、研究及生产状况进行了比较。     

谈新一代MEMS振荡器pMEMS

过去数10年来,在几乎所有电子系统中,频率基准应用一直使用石英晶体谐振器及振荡器,因为石英晶体谐振器及振荡器稳定性好、电气性能卓越。为了克服性能限制并解决石英振荡器的可靠性问题,近几年来,人们一直试图用几种替代性产品来取     

热冲击对石英晶体谐振器稳定性的影响研究

分析并研究了瞬时热冲击之一的回流焊对石英晶体谐振器频率稳定性的影响,综合已有研究经验和回流焊后频率的可恢复性,推断薄膜应力是回流焊后频率稳定性的主要影响因子。通过试验发现,薄膜溅射功率降至200 W或薄膜热退火温度升至350℃可有效改善回流焊后谐振器的频率稳定性,回流焊后频率变化量降低(4～5)×10^-6。采用显微拉曼光谱仪对回流焊前、后的石英晶片进行分析发现,其在回流焊后的拉曼特征峰明显往高频移动,推断是由于薄膜热膨胀引起的张应力增大而致石英晶片内压应力增加约8 MPa;随冷却时间延长,薄膜收缩而致石英晶片内压应力减小,频率逐渐恢复。结果表明,薄膜应力变化是回流焊对谐振器频率稳定性的影响机理。     

一种小型超低相噪恒温晶振的设计

该文分析了晶振超低相噪设计方法及影响因素,重点阐述了有载品质因数(Q)值、电路结构等对相噪的影响,并基于改进型的巴特勒振荡电路在小体积下进行了超低相噪恒温晶振的设计,对其主振电路、放大电路、稳压电路等进行了概要的分析。该文研制的100 MHz小型超低相噪恒温晶振体积达到20mm×20mm×10mm,相噪指标最优达到-168dBc/Hz@1kHz,达到了预期的研制目标。     

硅MEMS振荡器有望替代石英晶体

石英具有非凡的机械和压电特性,长期以来一直作为基本的时钟器件,在精确频率源器件中占据主导地位。然而,石英振荡器也有许多缺点,包括不能集成到硅圆晶上,缩小尺寸相应提高了成本,非工业标准     

622.08MHz低噪声压控晶振的研制

引言如今,超高频振荡器在通信中获得了广泛的应用,如通信中继线路、电视、通信导航以及通信遥控系统等。超高频振荡器不仅被应用在各种通信系统的发送设备中,还作为接受设备的本机振荡器并用于各种测量设备中(标准信号发生器、频谱分析仪等)。因此,对封装小、频率高、相噪好、压控宽、稳定性高的高频晶振设计现在提出了更高的要求,本文给出了设计的讨论意见。     

MEMS振荡器引发时钟市场革命,SiTime吹响进军智能手机领域号角

与传统的石英时钟元件相比,硅MEMS振荡器具有更小的尺寸、更高的可靠性和更低的功耗,特别适合诸如智能手机、平板电脑以及可穿戴式移动设备等对体积和功耗敏感的应用。几乎所有的电子产品系统都需要时钟,并且系统越复杂需要的时钟器件就越多。一直以来以石英晶体为基础的振荡器、谐振器等是电子系统主要的时钟参考元件,受到电子产品体积越来越小、系统越来越复杂等趋势的影响,时钟元件也必须往小巧、低功耗、高集成度的     

一种小型压控恒温晶体振荡器的设计

简要介绍了一种小型的恒温晶体振荡器,通过对振荡参数的反复试验、修改,提高了振荡器的频率稳定度。提出一种新的设计理念,利用晶体谐振器与电感随温度变化对晶体振荡器频率所产生的不同影响,合理安排晶体振荡器内部的热场,调整晶体谐振器、热敏电阻及振荡参数的热平衡关系,在去掉恒温槽的情况下提高了温度频率特性,且大大缩小了晶体振荡器的体积。     

切变振动型石英晶体谐振器的特点及其应用

根据石英晶体的压电方程和晶体振动理论,研究了AT-切石英晶体厚度切变振动模式下振动频率与结构参数间的关系,以及石英晶体谐振器在电极区形成稳衡驻波的频率条件及电极区外波的传播特性。试验表明,根据本文研究结果设计的石英晶体谐振器,其力敏特性基本与晶体边缘的固接方式无关,利用这种结构形式的石英谐振器作力敏元件用于姿态检测时,检测分辨率可达0.001°,短期频率稳定性达到1.38×10-10/min。     

面向消费性应用的高稳定性硅振荡器

高稳定性的全CMOS振荡器系列Si500面向消费性定时市场，不仅交货时间较短、成本较低、可靠度较高，且性能更佳，可取代石英振荡器（XO）。Si500系列拥有宽频率范围、广泛的差分和单端时钟选择、极低的总功耗和低抖动性，适合数码相机、摄像机、打印机、个人计算机外设、液晶显示、服务器和存储装置等应用。     

CrystalFree：压电MEMSLvDS／LvPECL振荡器

IDT公司推出针对高性能通信等应用的CrystalFree压电MEMS（pMEMS）LVDS／LVPECL振荡器。IDT的4M系列高性能LVDS／LVPECL振荡器利用IDT专利的CrystalFreepMEMS谐振器技术,让IDT能够迅速在出厂时编程所需的输出频率,无需微调昂贵的晶体。此外,由于pMEMS的本征谐振频率远高于石英晶体,     

采用MEMS技术的硅振荡器具有高稳定性和低成本

用于数据和电源隔离的isoPower ADuM524x采用isoPower技术，将一个带隔离的DC／DC转换器与两通道数字信号隔离器集成在8引脚SOIC封装的芯片上，具有2．5kV的额定隔离电压，可替代由光耦合器、变压器和其他元件组成的传统解决方案，并降低70％的成本和80％的印制板面积。集成的DC／DC变换器能提供50mW功率、5V带隔离的稳压电源以适合低功耗应用。     

一种超小型抗振恒温晶振的研制

晶体振荡器是振动敏感器件,通常在振动条件下晶振的相位噪声会恶化。该文分析了抗振恒温晶振(OCXO)的设计方法及影响因素,阐述了振动对晶振相位噪声的影响,并采用微型减振器及低加速度灵敏度晶体谐振器设计了100 MHz超小型抗振恒温晶振。该文研制的100 MHz超小型抗振恒温晶振体积仅为25.4 mm×25.4 mm×15 mm,振动条件下相噪指标最优达到-147 dBc/Hz@1 kHz,达到了预期的研制目标。     

石英晶振加力方位角的ANSYS分析与实验检验

通过ANSYS8.0对几种石英晶振在加力方位角改变时的应力分布进行了分析计算,并通过实验对石英晶振频率变化和加力方位角关系进行了验证。实验表明,ANSYS8.0分析结果曲线和实验曲线几乎一致。利用此法分析了石英谐振器力敏特性简单、实用、高效。