植物超弱发光的探测

采用超弱发光图像探测系统对蟛蜞菊、千日红花蕾、翠菊等植物样品进行了自发和光诱导的超弱发光图像探测,对大花紫薇叶片的延迟发光进行了初步的光谱探测。结果表明：植物自发发光与延迟发光的强度及其分布是有区别的,自发光光强度远小于延迟发光强度;与有丝分裂和生长代谢有关的植物超弱发光有光诱导下得以加强;千日红花蕾的延迟发光遵循双曲线衰减规律,说明生物光子具有一定的相干性;叶片的延迟发光光谱比离体叶绿素荧光光谱     

直流场作用下蒜的超弱发光与延迟发光

本文用自制的测试系统（单光子计数器,其单光子暗计数为０．１ｓ＾－１·ｃｍ＾－２）,测得白光照射下蒜的延迟发光为双曲线,符合Ｆ．Ａ．Ｐｏｐｐ的相干理论;当用直流场作用蒜瓣时测得超弱发光呈振荡上升,表明直流场使生命内有序过程增加。     

生物超弱发光采集系统及控制电路设计

生物超弱发光是生物系统在生命活动中的微弱发光现象。为了准确测量生物超弱发光,设计了一种用于生物超微弱发光的专用采集系统。系统的激发光源由单只大功率LED及光学系统构成,用压控恒流源调整LED光照强度,通过电子快门精确控制光探测器的采集时间。测量金心吊兰叶片的延迟发光结果表明,该系统测量精度高、重复性好。     

关于生物系统超微弱发光的实验研究

生物系统存在超微弱光子辐射现象。通过一系列实验研究,我们认为,这种光子辐射既有低水平化学发光的性质,又有受激辐射的性质,是受激的低水平化学发光。     

超弱发光成像的分水岭法光子信息提取

对电子倍增CCD(EMCCD)超弱光子成像图像灰度的特性分析发现,一个像素的灰度值与相邻的8个像素的灰度值有强相关性。这一特征说明,简单地使用阈值法对其进行光子信号的数量和位置信息提取和图像处理,将会有较大的失真性。在超弱发光的条件下(如生物超弱发光),一幅图像中的光子信号数远小于像素数,光子信号在图像中呈现散粒状态。据此,在阈值法的基础上引入数学形态学分水岭法,将处理后光子灰度图像中孤立的峰值区作为光子信号响应。新算法克服阈值法只能对单个像素进行判断的局限,考虑到局部像素群的整体特征。结果表明,新算法的处理结果更加真实可靠,稳定性更好。通过绿豆芽的超弱自发光成像实验,验证了新算法的灵敏度和可靠性。     

生物超微弱发光研究进展

综述了自 192 3年以来的生物超微弱发光 (UPE)研究进展 ,总结了UPE的主要检测方法 ,概括说明了UPE作为生命系统普遍存在的一种现象 ,其研究不仅对生命科学领域具有重大的科学意义 ,在农业、医学、食品和环境科学等领域也具有广泛的应用价值。同时展望了其未来的研究方向     

基于激发光可调的超微弱发光探测系统

鉴于目前超微弱发光探测仪器的功能单一,设计了一种把激励光源与探测合为一体的,用于探测生物超微弱发光探测系统.激励光源由高亮度的LED阵列、光学系统构成,用可调恒流源调节LED发光强度.采用多重密封方法来降低系统噪声,将噪声控制在50cps之下.并对兰花叶片进行了生物超微弱延迟发光探测,取得了比较好的探测效果.     

液态感光抗电镀/抗蚀刻油墨的应用研究

以ＰＥＲ－８００（Ｂ－１０６Ｋ）液态感光抗电镀／抗蚀刻油墨为例,介绍了其基本的工艺流程及其特点,阐述了在工艺操作过程中应注意的诸多影响因素,从而有效地保证产品的质量。     

场致发射显示技术分析

本文介绍了场致发射荧光显示技术的工作原理及特点,分析了场致发射荧光平板显示屏的工作方式,结构及其制作工艺,并讨论了影响显示屏性能的主要因素。     

光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2 为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a- CNx 薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a- CNx 薄膜的光响应增益达1 8,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0 ,经过氢化处理的未掺杂a- CNx 薄膜的光响应增益为30 ,光响应时间大约为30 0 s.     

场致电子发射技术分析

本文介绍了发射的机理致发射的几种不同类型的阴极,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点,最后对场致发射的应用进行了分析。     

楔形发射体的电子场发射理论

本文提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例；该理论以单原子发射点假设为基础，用经典电动力学方法计算楔形发射体的隧道势垒，然后用Ｎｕｍｅｒｏｖ方法计算其透射系数，最后用到场发射体伏安特性。     

光孤子的光流线量子理论研究

运用光流线量子理论研究光纤中的光孤子问题,给出了非线性色散光纤中光孤子传输基本方程。     

芯片制作过程中切割道光刻对准标记的优化

在0．18υm高压产品工艺生产过程中,作者发现晶片在钨化学机械研磨制程后会有很严重的鸽剥落缺陷,此种缺陷成行排列,有一定规律,与光罩的曝光间膈距离相匹配,该缺陷会导致产品良率有非常明显的下降。同时在生产过程中也发现在MIM上极板蚀刻后,有些聚合物难以去除,此种残留物也来自曝光的固定位置。因此解决这类与光罩相关的缺陷和残留物显得尤为重要。作者经过深入的研究分析以及实验验证,通过对切割道上的光罩对准标记进行优化,彻底解决了这两种缺陷问题,使得产品的良率得以提升。