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本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果. 相似文献
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折射率缓变波导层分别限制单量子阱半导体激光器的模式分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出一种能够精确分析波导层具有任意折射率分布而且收敛性好的分层逼近迭代法,研究了折射率缓变波导层分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)中波导层的折射率分布对近场分布,近场束宽,光限制因子,远场分布,远场角,激射阈值的作用,并与延伸抛物型近似解和折射率突变波导层分别限制单量子阱半导体激光器进行较全面的比较.结果表明:延伸抛物型近似不宜普遍采用;采用适当的缓变波导层可进一步降低阈值(例如采用抛物型或线性分布),或进一步减小远场角(例如采用倒抛物型分布). 相似文献
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本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的基本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄渴束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
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单量子阱激光器的Langivin噪声分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过在速率方程中加入Langivin噪声项和相位方程,以定量分析量子阱激光器(QW-LD)噪声特性,这样,能系统地表征量子噪声(尤其是影响线宽等参数的相位噪声)特性,我们对单量子阱激光器的噪声特性进行了模拟分析,并得到了有用的结果,如相位噪声谱和激射特性,我们发现在感兴趣的频域内有较大的噪声,并且噪声强度依赖于偏置电流的大小 。 相似文献
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双波长多量子阱激光器设计与计算机辅助分析 总被引:2,自引:2,他引:0
采用模拟计算,结合实验数据,初步设计了通过GaAs隧道结联接的650nm/780nm双波长多量子阱(MQW)激光器。分别对650nm、780nmMQW有源区部分进行模拟,计算得出激光器的横向模式特性、近场分布和远场发散角。对激光器折射率导引结构侧向模式进行了定性分析,得出实现理想侧模的条件。 相似文献
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本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
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本文报道用分子束外延设备研制梯度折射率分别限制式单量子阱AlGaAs/GaAs脊形波导半导体激光器。该激光器具有良好的性能,条宽5μm器件室温阈值电流23mA,线性连续输出单模激光功率大于15mW。 相似文献
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根据光增益与载流子密度的对数关系,在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子复合项,通过适应于多量子阱激光器的速率方程,从理论上证明了短腔结构存在与阈值电流最小值对应的最佳阱数。给出了多量子阱激光器的瞬态呼应特性的直接仿真结果及相图,分析了注入电流、阱数和腔长对其激射阈值、开关延误时间、弛豫振荡频率和光输出等能量的影响。 相似文献
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利用速率方程求出了输出反馈损耗调制型双稳半导体激光器输出光强稳态解的解析表达式。利用双区共腔GaAs/AlGaAs单量子阱半导体激光器,观测到半导体激光器在输出反馈损耗调制方式下的光双稳特性。比较速率方程解的理论计算曲线和实验观测到的双稳特性曲线后发现,两种双稳特性曲线随反馈损耗调制系数等器件参量变化的规律完全一致。 相似文献
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以周期波导结构的耦合模方程及载流子密度速率方程为基础,在适当的假定条件下,本文得到一个比较简单的适于无内部相移的折射率耦合单模分布反馈半导体激光器电路模型.用本模型得到的模拟结果与已报道的结果符合很好. 相似文献