开关电源功率器件MOSFET参数辨识的研究

功率器件MOSFET作为开关电源主电路的一个重要组成部分,其可靠性备受关注。研究表明,在开关电源电路元器件失效率统计中,MOSFET失效率达31%。而MOSFET失效主要表现为导通电阻参数漂移,为了对MOSFET导通电阻参数进行在线辨识,以Buck电路为例,基于混杂系统理论构建Buck电路混杂系统模型,采用递推最小二乘法对模型中MOSFET导通电阻参数进行辨识,并在Simulink环境下进行仿真实验。实验结果表明,该方法对MOSFET导通电阻进行了有效的在线辨识,辨识相对误差小于5%,为MOSFET参数性故障的分析提供了理论依据和方法。     

一种便携式惯性平台绝缘导通电阻自动测试系统

针对惯性平台系统绝缘导通测试点数繁多,手动测试效率低、容易造成事故隐患等问题,介绍了一种惯性平台系统绝缘导通电阻的自动化测试方法,设计并实现了某型平台系统便携式绝缘导通电阻自动化测试系统,该系统运用计算机自动控制技术,测试软件通过逻辑控制单元,控制继电器矩阵中相应继电器动作,建立测试通道,完成测试、数据处理、存贮等功能;应用表明该系统安全可靠、自动化程度高、测试速度快、可扩展性强.     

某型导弹平台导通绝缘自动测试系统设计

为解决某型导弹平台在测试导通和绝缘性能的过程中操作繁琐且用时较长、测量精度低、自动化程度低等问题,设计了一种导通绝缘自动测试系统。该系统采用FPGA为主控,继电器矩阵实现多路测试切换的整体架构模式。文中介绍了该系统的工作原理、硬件和软件设计。系统进行了实验验证,实验数据表明,该设备能测量多条电缆导通电阻和绝缘电阻,智能化得出测试结果,测试操作简单,能满足测试要求,提高测试效率。     

高压电缆测试仪的设计

为了实现武器装备电缆的自动测试,针对用户使用特点,研制了一种台式、便携、实用的高压电缆测试仪;该产品采用嵌入式计算机技术、硬件电路模块化设计技术,便于测量通道扩展,实现了电缆的导通测试、绝缘测试和抗电强度测试;文中阐述了该系统的工作原理、设计方案和硬件、软件实现方法,电缆测试仪测量的数据经过记录、计算、分析、拟合等多种处理方法,输出最终的工程测量结果,同时提高了测试精度;试用结果表明,该测试仪能够对各种型号装备电缆的导通电阻、绝缘电阻等电气性能参数进行自动测量,能及时快速地检测电缆存在的故障隐患,缩短检测时间,提高检测效率。     

智能化绝缘/导通电阻测试系统的研制

介绍一种智能化绝缘/导通电阻测试系统的测量原理和实现方法,该测试系统能完成对繁杂的大型电子系统电缆网的测试.在该研制方案中,利用计算机控制等技术,以PC机作为测试台主机,可以实现对电缆绝缘/导通电阻的智能化多点测量.测试节点任意,并且当测试结果超过规定范围时,可以实时显示被测试点.     

数字式电缆测试仪的设计与开发

在现代自动测试系统中,系统可靠性要求越来越高,测试电缆的可靠性是自动测试系统可靠性的前提;本文介绍了分压-分压和全压-分压两种测量测试电缆电阻的方法,并在此基础上设计并开发了一种新型的基于PC104总线的测量测试电缆可靠性的装置,详细论述了该装置的软、硬件的设计思想和具体实现;实验数据表明,该电缆测试仪实现了测试电缆的自动测量,提高了测量测试电缆导通电阻和绝缘电阻的精度。     

智能化绝缘/导通电阻测试系统的研制

介绍一种智能化绝缘/导通电阻测试系统的测量原理和实现方法,该测试系统能完成对繁杂的大型电子系统电缆网的测试.在该研制方案中,利用计算机控制等技术,以PC机作为测试台主机,可以实现对电缆绝缘/导通电阻的智能化多点测量.测试节点任意,并且当测试结果超过规定范围时,可以实时显示被测试点.     

基于CPLD的程控多路切换开关设计

针对多路模拟开关在自动测试设备等领域的广泛应用,介绍了一种可程控多路切换开关的硬件设计;采用低漏电流高压MOS电子开关作为开关元件,通过PC104总线实现上位机与系统之间指令和数据的传输,以CPLD为主控制模块,对CPLD功能模块划分,分别实现总线接口和开关逻辑控制功能;最后系统硬件板经过调试和测试,结果表明系统具有导通电阻小、关断电阻大、切换速率快等优点。     

一种分离式动车组自动导通系统设计及应用

在动车组制造、检修过程中电缆导通是保证接线正确的重要工序.针对动车组电缆主要分布在车体两端,自动导通距离长的特点,利用无线网络通讯、嵌入式技术,设计开发了一种分离式自动导通系统,并从系统构成、测试原理、硬件实现等方面进行了介绍.通过在动车组五级检修车辆导通工序的验证,取得的良好的应用效果.     

Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

正Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低。发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAKSO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,SiRA20DP的典型栅极电