玻璃基底/Ag纳米薄膜/聚苯胺电致变色薄膜的制备

采用垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)法,在室温及 Ar气环境下于玻璃基底 上沉积Ag纳米薄膜。在Ag纳米薄膜上用提拉法获得一层聚苯胺(PANI)电致变 色薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和数字万用表考察激光功率对沉 积的Ag纳米薄膜的晶型结构、表面形貌和电导率的影响。采用循环伏安法、紫外 可见漫反射光谱法对不同激光功率下沉积的Ag纳米薄膜上PANI薄膜的电致变色 性能、结构变化进行分析。XRD和SEM结果显示,在玻璃基底上成功地获得粒径 为30～50nm的Ag纳米薄膜且其电阻值为1～5 Ω。在实验的最优条件 下,激光功率为17W时获得的Ag纳米薄膜致密均匀、结晶好和电阻值 较小;在优化的玻璃基底/Ag纳米薄膜上附着的PANI薄膜,电致变色电压最低、红移范围明 显。     

ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能

以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加。电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用。X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1020.78eV、1046.88eV和530.8eV。CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学。此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能。添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27～3.52eV。     

纳米硅薄膜结构特性研究

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为２～１０ｎｍ的纳米微晶相结构的硅薄膜，使用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ），Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和红外光谱（ＩＲ）等结构分析手段检测了其结构特征．结果表明，纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构．Ｘ射线衍射谱表明除了Ｓｉ（１１１）的２θ＝２８．５°和Ｓｉ（２２０）的２θ＝４７．３°处的衍射峰外，在２θ＝３２．５°处存在着一个强的异常峰．ＨＲＥＭ结果表明存在新的Ｓｉ结晶学结构与ＸＲＤ异常峰相关联．     

纳米硅薄膜结构分析

在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能.     

基于PVK/PbS纳米晶有机无机复合薄膜电双稳器件性能研究

通过简单旋涂方法,制备了一种基于硫化铅（PbS）纳米晶与聚乙烯基咔唑（PVK）的有机/无机复合薄膜电双稳器件,并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究。首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形PbS纳米晶,然后将PbS纳米晶与PVK聚合物混合作为活性层材料,制备了有机/无机复合薄膜电双稳器件。该器件展示了良好的电双稳特性并且可以实现稳定的“读-写-读-擦”操作。器件的最大电流开关比能够达到10⁴。并进一步对器件在正向电压下的I-V曲线进行了理论拟合,发现在不同电流传导状态下,器件符合不同的电传导模型。进而分析了该电双稳器件中的电荷传输机制,认为在电场的作用下,发生在纳米晶与聚合物之间的电场诱导电荷转移是产生电双稳特性的主要原因。     

TiO2纳米薄膜制备及热辐射特性研究

采用溶胶-凝胶方法在玻璃基底上制备了TiO_2纳米薄膜.X射线衍射分析表明薄膜为锐钛矿结构.通过椭偏仪测试,薄膜的总厚度为216.4nm,折射率为2.536.黑体实验表明,TiO_2薄膜在800nm～1200nm波长区域内对红外线的吸收较好,且吸收率随着温度的升高而变大.红外光谱表明,TiO_2薄膜在2400cm~(-1)～4000cm~(-1)波数范围内对红外线的吸收效果较好.     

硅基铁电薄膜的制备和特性研究

本文详细介绍了在硅衬底上用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法制备ＰＺＴ铁电薄膜电容的工艺步骤，对铁电薄膜进行了ＸＰＳ分析、表面形貌分析、ＸＲＤ分析，测量了铁电电容的电滞回线及Ｃ－Ｖ曲线，并分析了各种工艺条件对铁电薄膜性能的影响．     

双稳态压电悬臂梁发电性能分析

利用增量谐波平衡法(IHB)对双稳态压电发电系统的发电性能进行了研究.首先通过与龙格-库塔法(R-K)数值计算的结果相对比,证明IHB法解的有效性;其次利用IHB法分别计算了磁化强度不同时双稳态压电发电系统的电压幅频响应曲线及不同的负载电阻下的发电功率,得出双稳态压电发电系统的电压幅频响应存在解的跳跃现象,并且当磁场强度增大时,电压幅频曲线向右偏移,大幅运动的响应频带变宽,最大幅值变大.另外,分析了系统电阻匹配问题,只有选择合适的电阻值时,发电功率才能达到最大;最后与线性压电发电系统相比,得到双稳态压电发电系统在低频宽带下能产生较高的发电功率.     

铜表面硫化膜形成及其电接触特性

用库仑分析法测定了在湿热含Ｈ２Ｏ气氛中铜表面腐蚀膜层的厚度及其随腐蚀时间的变化，对不同Ｈ２Ｓ浓度的膜层变化曲线存在的差异进行了探讨。分析了膜层厚度变化对电接触性能的影响及其异常现蟓 。     

光电器件介质薄膜电特性检测中的特殊问题及解决办法

本文提出了InP系光电器件介质薄膜电特性检测中所遇到的两个特殊问题:管芯倒装在镀铟铜基座上测量时铟层凹陷致使介质薄层边缘短路;芯片解理条边缘金属须搭连产生短路。还介绍了问题的分析过程和解决办法。     

一种具有极性记忆效应的热可擦有机电双稳薄膜

报道了一种新型有机材料AOSCN(3，9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2，4，8，10-四硫杂螺[5，5]十一烷)，能与Cu形成具有电双稳特性的络合物，在6V电压下，薄膜发生从高阻态到低阻态的转变，跃迁时间小于30ns，驰豫时间小于1μs。若薄膜已发生高阻态到低阻态转变，高温热处理能使其恢复初始状态，这有望制成可擦写存储器。此外，在一定的工艺条件下，AOSCN与Cu和Al形成的金属-有机-金属(MOM)结，具有极性记忆效应。     

Electrical and structural characteristics of tin-doped GaN thin films and its hetero-junction diode made all by RF reactive sputtering

Tin (Sn) doping in gallium nitride (GaN) has been mainly reported from the theoretical view only. Based upon the availability of Sn precursor and commercialization, Sn-GaN film has not been deposited magnetron sputtering until this work. By using the cheap and safe reactive sputtering technique, here we present Sn-GaN thin films with single cermet targets at the Sn/(Sn+Ga) molar ratios of x=0, 0.03, 0.07, and 0.1 to form Sn-x-GaN films under the atmosphere of the mixture of Ar and N₂. The Sn-GaN films had the wurtzite structure. Sn can be added to GaN to form SnGaN alloy with a maximal amount of ~10%. The structural, electrical, and optical properties had changed with the Sn content until the oversaturation of Sn in Sn-0.1-GaN. The Sn doping led to the lattice expansion, worsened crystallinity, n-type GaN, increased electrical concentration, decreased the electrical mobility etc. Moreover, n-Sn-x-GaN/p-Si diodes were successfully made and their performance was evaluated in terms of the barrier height, ideality factor, and series resistance. This work has opened the door for studying the different kinds of dopants on the important III nitrides.     

考虑几何非线性时双稳态压电悬臂梁响应分析

针对双稳态压电振子产生大挠度振动现象,利用哈密顿原理建立了其大变形动力学方程,再用Galerkin法将其离散为模态坐标方程。对无量纲化方程进行数值分析可知:在激励一定下,存在最优阻抗使输出功率最大;在相同的激励水平下,大幅周期运动发电能力优于大幅混沌运动;通过对比发现几何非线性使系统产生更多的混沌窗口,改变梁长可使系统处在大幅周期运动中,从而提升压电发电能力。     

准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO2薄膜结构和电学性能的研究

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。     

集成电路镍铬薄膜的电阻特性与热处理效应

在利用磁控溅射方法制作用于ＩＣ的镍铬薄膜电阻过程中，发现在对薄膜热处理时薄膜的电阻特性发生了有规律的变化，这种变化不是单纯的线性增大或减小。针对这种现象，我们经过分析认为，由于金属膜薄的电阻率不同于块状金属的电阻率，已不是定值，它与金属膜厚有着一定的关系，而热处理所产生的凝聚效应、氧化效应、和稳态效应对不同厚度的薄膜电阻率的影响程度是不一样的，因此电阻经热处理后的变化值最终表现出不同的变化趋势。这一现象的发现对我们今后在ＩＣ镍铬合金薄膜电阻的设计优化方面具有较高的参考意义。     

Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质

采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质进行表征和分析.结果表明:采用磁控溅射技术在Si衬底上成功制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,样品表面表现出良好的连续性,在Mg2Si (220)面具有择优生长性.随着质量分数的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,且在Al质量分数为1.58％时结晶度最好.此外,样品电阻率也随着Al质量分数的增加逐渐降低,表明Al掺杂后的Mg2Si薄膜具有更好的导电性,这对采用Mg2Si薄膜研制半导体器件有着重要的意义.     

谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性

研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管 (RTD) ,峰谷比达到了 5∶ 1,最高振荡频率为 2 6 .3GHz.采用基于物理意义的电流 -电压方程 ,利用通用电路模拟软件 PSPICE,建立了其直流电路模型 ,模拟结果和实验数据吻合得很好 ;并以此为基础模拟出了以 RTD为驱动器 ,以电阻或 RTD本身为负载的电路双稳态特性 ,同时分析了 RTD器件双稳态特性 .