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光学元件加工包括切割压制、研磨、抛光三道工序。元件的表面质量由抛光决定。所以抛光是光学元件加工最重要一道工序。所谓抛光就是在抛光模基体表面覆以模层材料并以抛光剂或其他方法对光学元件进行研磨而获得光学表面的过程。对光学元件抛光的研究已有很久的历史。十三世纪人们已 相似文献
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经过退火的不锈钢板表面,为了观赏性和功能方面的考虑,使用前大多要进行抛光加工,以提高其附加价值。典型的抛光加工有HL、No.4、镜面、振动、喷丸和抛光轮加工等方法,但根据抛光材的种类和抛光条件,表面质量是不同的,故对应各种加工就存在好几种抛光表面。 相似文献
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二氧化铈浆料抛光机理的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
由于具有抛光速率快、选择性好、自动停止等特点,二氧化铈浆料被广泛用于材料的表面抛光处理,但抛光机理研究的相对滞后严重制约其物化改性和推广.针对这一现状,本文介绍了二氧化铈浆料抛光过程中的物理作用及化学作用,总结了化学机械抛光机理,并对今后研究方向提出了展望. 相似文献
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董菁 《不锈(市场与信息)》2010,(2):19-20
电解抛光能够使生产的不锈钢表面满足最高等级的纯净和清洁度要求。工业方面的应用实例说明了电解抛光对不同卫生标准的影响以及它的实际应用。保证最佳电解抛光结果的先决条件是材料、结构技术和加工制造工艺的谨慎协调。 相似文献
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大变形量加工及随后再结晶热处理制备的立方织构Ni及其合金带材广泛用于YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体的基带。隔离层及YBCO涂层的生长要求基带提供光滑的表面。但由于国内轧制水平的限制,轧制-再结晶基带的表面无法满足工艺使用的要求,必须通过表面处理改善基带表面质量。选用电化学抛光工艺提高基带表面质量,主要研究抛光液成分和抛光电流密度对抛光质量的影响。结果表明,磷酸含量85%,甘油含量15%,添加剂含量4 ml.L-1时,抛光效果最好。抛光后基带的最大表面粗糙度小于9 nm。 相似文献
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《有色金属材料与工程》2017,(5)
随着市场对金属材料的粗糙度、光泽度以及耐腐蚀性能的要求逐渐提高,电解抛光技术作为精密表面加工技术,由于具有效率高、处理试样表面光滑、能够保持材料原有性能等特点,在表面处理领域得以迅速发展.介绍了目前业界比较流行的三类电解抛光液体系:酸-酸体系、酸-醇体系和醇-盐体系以及其主要成分,分析了在不同电解抛光液体系成分下电解抛光液浓度、抛光温度和抛光电压等条件的改变对抛光效果(粗糙度、耐腐蚀)以及抛光效率的影响,进一步比较了不同电解抛光液体系的优缺点,并综述了电解抛光原理机制及其技术的新发展. 相似文献
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对硬脆材料的各种用途和加工现状进行了综述,根据硬脆材料抗拉强度低的特点,建立了切削模型。介绍了切削、磨削等主要的几种加工方法的原理、适用范围及最新研究成果,硬脆材料切削和磨削的机理和实验对比,并对特种加工做了简单介绍。 相似文献
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硬质合金具有硬度高、强度好、耐腐蚀和耐磨损的特点,采用传统方法难以满足精密及超精密加工的技术要求。文中研究人造金刚石的品种、粒度、浓度和金属结合剂成分等对金刚石砂轮磨削性能的影响,结果表明:在相同浓度下,粗粒度砂轮具有较高的磨削效率,随着磨粒粒度减小,加工表面质量得到改善,但砂轮尖角保形性先提高后减小;结合剂中加入强碳化合物形成元素和控制结合剂中脆硬相含量有助于提高砂轮磨削性能。 相似文献
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研究了高档镜面抛光铝型材生产过程的主要控制要素,确定了铸碇、挤压、机械抛光、化学抛光和氧化封孔生产工艺及挤压模具设计制造技术要求,获得了表面质量高的高档镜面抛光铝型材。 相似文献
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为了研究制样方法对钢铁材料纳米压痕试验结果的影响,选取单相、多相、低碳、中碳和高碳等不同类型的钢种,分别进行了纳米压痕样品制备参数的探索。利用机械磨抛和电解抛光设备进行了样品表面抛光处理,比较了氧化物机械抛光及不同参数的电解抛光对样品表面状态的影响,通过真彩共聚焦扫描显微镜定量测定了样品表面粗糙度。随后,为检验样品制备的效果,利用纳米压痕仪分别测试了两种抛光方式得到的不同组织的纳米硬度和弹性模量。结果表明,氧化物机械抛光适合制备单相且试验压入深度超过500nm的样品;电解抛光能有效避免表面硬化层,在参数适当的条件下,既可以满足测试标准的要求,又可以进行多相区分,但是,电解参数不当时会导致组织假象,严重影响测试结果的准确性。同时,对制样效果的评价应考虑试验曲线的稳定性而不仅仅注重抛光样品的平均表面粗糙度。最后,给出了适用于低碳钢W1300、中碳钢SWRCH35K和高碳钢SWRH82B的电解抛光参数,可为类似钢铁材料纳米压痕测试样品的制备提供参考和借鉴。 相似文献
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利用PEP200电解质等离子抛光(PEP)设备研究了工艺参数对激光选区熔化成形TC4表面处理效果的影响。设计溶液温度、抛光电压和浸入深度对表面质量及抛光效率影响的实验,并通过对复杂零件PEP验证最佳工艺参数选择的合理性,设置电解液浓度为4%(质量分数),抛光时间为15 min。通过粗糙度仪、光学显微镜(OM)、共聚焦显微镜和扫描电子显微镜(SEM)等对样件表面粗糙度(Ra)、表面形貌、三维轮廓及元素成分进行测试。结果表明,使用PEP降低激光选区熔化成形TC4零件表面粗糙度的最佳工艺参数为:抛光电压为280 V,溶液温度为90℃,浸入深度为40 mm;材料去除率的最佳工艺参数为:抛光电压为280 V,溶液温度为80℃,浸入深度为20 mm。Ra最低可降至1.906μm,材料去除率最高可达5.98μm·min-1。复杂TC4零件整体光泽度实测可达253 GU,Ra从9.534μm下降到1.987μm,下降率达79.16%。SEM图像显示,PEP处理后TC4零件表面由喷砂冲击所造成的大量撕裂纹完全去除。三... 相似文献
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GaAs抛光表面损伤的RBS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以卢瑟福离子背散射技术(RBS)检测了半绝缘GaAs(100)化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好。通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层。RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs(100)(由LEC法生长)抛光表面散射粒子最低产额低达31%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。 相似文献