有机硅氟材料的改性研究进展及应用

简单介绍了以物理和化学改性制备有机硅氟聚合物的方法,并介绍了有机硅氟材料在涂料、表面活性剂及金属防腐等重要领域的应用,展望了有机硅氟材料的发展前景。     

有机硅改性聚合物的研究进展

从共聚改性、接枝改性和共混改性等几个方面简要介绍了有机硅改性聚合物的研究状况和发展历程.     

有机硅改性氟树脂涂料研究进展

有机硅改性氟树脂涂料具有卓越的耐候性、耐腐蚀性、低表面能、化学稳定性等优点,因此成为一类发展迅速且应用广泛的新型材料.综述了有机硅改性氟树脂的不同制备方式,简介了有机硅改性氟树脂涂料的不同应用方面并展望了其发展方向.     

有机硅改性三氟氯乙烯氟树脂乳液的研究

以乙烯基三乙氧基硅烷(ETOS)、三氟氯乙烯(CTFE)、十一烯酸(UA)、羟丁基乙烯基醚(HBVE)、丁基乙烯基醚(BVE)、环己基乙烯基醚(CHVE)为原料,通过溶液聚合后乳化的方法制备了高性能可常温固化的有机硅改性CTFE氟树脂乳液。研究了单体、乳化剂对有机硅改性CTFE氟树脂乳液性能的影响,对有机硅改性CTFE氟树脂乳液膜的硬度、附着力、冲击强度以及耐沸水煮性进行分析,并对其进行了FT-IR、DSC、TGA和SEM表征。结果表明,有机硅改性CTFE氟树脂中BVE和CHVE摩尔比为1∶1、ETOS用量为5%(wt,质量分数)时,乳化后有机硅改性CTFE氟树脂拥有良好的性能,成膜后硬度为2H、附着力为0级、冲击强度高于50kg·cm,耐沸水煮性良好,玻璃化转变温度为28.66℃。     

有机硅改性环氧树脂的研究进展

综述了改性环氧树脂的种类和性能、有机硅改性环氧树脂的机理和方法;主要从物理共混改性和化学共聚改性两个方面介绍了有机硅改性环氧树脂的研究现状,并展望了有机硅改性环氧树脂的发展趋势.     

有机硅/氟改性苯丙乳液的研究

以八甲基环四硅氧烷、甲基乙烯基环四硅氧烷、三氟乙酸丙烯酯作为改性单体,采取壳核聚合工艺对苯丙乳液进行改性.用透射电子显微镜观察乳液粒子的微观形态,探讨了聚合工艺对乳液胶粒形态的影响.结果表明,通过对有机硅/氟进行预处理和温度控制,可以改善有机硅、有机氟与苯乙烯、丙烯酸丁酯等的共聚效果.     

有机硅化合物改性双马来酰亚胺共聚树脂的研究进展

综述了十余年来有机硅化俣物改必一双马来酰亚胺共聚树脂的进展情况。     

有机硅化学改性环氧树脂的研究进展

从硅油改性环氧树脂体系、硅烷偶联剂改性环氧树脂体系、硅树脂改性环氧树脂体系、硅橡胶改性环氧树脂体系4个方面综述了不同类型有机硅化学改性环氧树脂的已有研究情况,并结合高分子改性材料的高性能化发展现状,展望了有机硅改性环氧树脂的发展趋势。已有研究表明,有机硅改性环氧树脂将向开发具有新型官能团的有机硅环氧树脂以及新型结构的有机硅环氧树脂方向发展。     

有机硅共聚改性环氧树脂研究进展

利用有机硅改性环氧树脂是提高环氧树脂综合性能的有效途径,着重阐述了有机硅改性环氧树脂的化学共聚改性方法,并对有机硅改性环氧树脂的发展方向进行了展望。     

电泳法制备碳纳米管场发射阴极的研究

利用传统的电泳方法,在玻璃基片上成功地制备了场发射用碳纳米管阴极薄膜.用扫描电子显微镜和拉曼光谱观察了薄膜的形貌和结构,并测试了所制备的薄膜阴极的场发射特性.实验结果表明在玻璃的银浆导电层上沉积了一层较薄而均匀的碳纳米管膜,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,具有更好的发射均匀性.采用电泳方法制备场发射阴极具有简单易行,成本低廉等优势,可以避免丝网印刷工艺带来的有机杂质污染和发射不均匀等问题.     

高场发射性能碳纳米管薄膜的沉积与表征

利用电泳法将碳纳米管（CNTs）沉积在表面镀覆了50～150 nm Ti薄膜的Si基底表面,900℃真空退火后形成了具有良好场发射性能的Ti-CNTs薄膜阴极.利用X射线衍射和扫描电子显微镜对制备的Ti-CNTs薄膜进行了表征.结果表明,高温退火过程中,CNTs的C原子和基底表面的Ti原子发生化学反应,在CNTs与基底之间形成了导电性钛碳化物,明显改善了CNTs与基底之间的电导性和附着力等界面接触性能;与Si基底表面直接电泳沉积的CNTs薄膜相比,制备的Ti-CNTs薄膜的开启电场从1.31 V/μm降低到1.19 V/μm;当电场强度为2.50 V/μm时,Ti-CNTs薄膜的场发射电流密度可达13.91 mA/cm^2;制备的Ti-CNTs薄膜显示出改善的发射稳定性.     

碳纳米管和镓掺杂碳纳米管场发射性能研究

采用催化热解方法分别 制备出碳纳米管和镓掺杂碳纳米管, 并利用丝网印刷工艺将其制备成纳米管薄膜. 对此薄膜进行低场致电子发射测试表明, 碳纳米管和镓掺杂纳米管开启电场分别为2.22和1.0V/μm, 当外加电场为2.4V/μm, 碳纳米管发射电流密度为400μA/cm², 镓掺杂纳米管发射电流密度为4000μA/cm². 可见镓掺杂碳纳米管的场发射性能优于同样条件下未掺杂时的碳纳米管. 对镓掺杂纳米管场发射机理进行了探讨.     

纳米管场发射的电场计算

利用电磁场理论计算出单根纳米管场发射时其尖端附近的电势和电场分布。结果表明 ,纳米管尖端表面电场非常强 ,随着距离尖端表面的距离的增加 ,电场迅速下降 ;尖端附近的场强与纳米管场发射有低的阈值电压相符合。计算还给出在保持极板间距离和电压不变的情况下 ,纳米管长径比越大 ,尖端电场越强 ,因此 ,具有更低的阈值电压     

铝基定向碳纳米管复合膜的场发射性能研究

研究了铝基定向碳纳米管复合膜的场发射性能,获得了开启场强为1.15V/μm、最大发射电流密度为1.25mA/cm2的铝基定向碳纳米管薄膜.F-N曲线呈线性关系证明电子发射确为场致发射.     

碳纳米管的薄膜场发射

薄膜场发射特性是碳纳米管 (CNT)研究的重要课题之一 ,它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本文就CNT的场发射做一综合评述 ,主要涉及性能指标、结构模型、图形化方法和工艺等     

碳纳米管复合材料场发射性能研究现状

碳纳米管具有管径小、长径比高的结构以及物理化学性能稳定等优良特性,被认为是真空冷阴极场发射电子源和场发射平板显示理想的阴极材料。加之碳纳米管兼具有机械强度高、韧性好等出众的力学性能,使其成为复合材料的理想添加相,将其与其他材料复合,可以制备出具有更加出众性能的复合材料。近年来有关碳纳米管及其复合材料场发射研究已成为一个备受关注的热点。概述了阴极场发射理论以及与碳纳米管场发射相关的几种场发射物理机制,介绍了碳纳米管复合场发射阴极的研究现状及制备方法,最后对碳纳米管复合阴极场发射的发展前景进行了展望。     

电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究

碳纳米管(CNT)和衬底的电学接触问题是获得高性能CNT电子器件的一个关键性的问题。本文采用电泳电镀方法制备CNT冷阴极,有效改善了CNT与衬底间接触电阻,增强了碳纳米管场发射性能。电泳电镀法制备的碳纳米管冷阴极场发射的开启电场(电流密度为10μA.cm-2时的电场)由2.95 V.μm-1降低到1.0V.μm-1,在电场为8V.μm-1时电流密度由0.224增加到0.8112mA.cm-2。在电流密度为800μA.cm-2时进行1h的场发射稳定性测试,结果表明,电泳电镀法所得CNT场发射电子源电流密度几乎不变,而且电流密度比较稳定;而只有电泳的方法获得的CNT场发射电子源电流密度波动较大,电流不稳定且呈较快的衰减趋势,1h后减少到原来的75%。采用电泳电镀方法制备CNT阴极,CNT的根部被纳米银颗粒覆盖和包裹,使CNT与衬底接触更加牢固而紧密,又由于银具有很好的导电性,从而大大减小了接触电阻,因此电泳电镀法能大大改善CNT与衬底的电学接触性能。     

碳纳米管场发射特性的研究

将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上 ,测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。同时还将其与纯钼针在场发射方面进行了比较     

定向碳纳米管的制备及其场发射性能研究

定向碳纳米管的制备方法是碳纳米管场发射显示器技术领域一项十分关键的技术.简要介绍了定向碳纳米管的制备方法、结构检测技术,并综合评述了影响定向碳纳米管场发射性能的因素.