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描述了相位光栅对准法在步进重复投影光刻机中的运用,通过比较同轴对准系统和离轴对准系统的原理,工作过程,阐述了当对准标记产生变形时离轴对准系统能更好地修正偏差从而保证光刻工艺中套刻精度的要求. 相似文献
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提出一种精确检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法.将对准标记曝光到硅片表面并进行显影;利用光学对准系统测量曝光到硅片上的对准标记理论曝光位置与实际读取位置的偏差;由推导的位置偏差与非正交因子、坐标轴尺度比例、过程引入误差的线性模型,根据最小二乘原理计算出干涉仪测量系统的非正交性.实验结果表明,利用该方法使用同一硅片在不同旋转角下进行测量,干涉仪测量系统非正交因子的测量重复精度优于0.01μrad,坐标轴尺度比例的测量重复精度优于0.7×10-6.使用不同的硅片进行测量,非正交因子的测量再现性优于0.012μrad,坐标轴尺度比例的测量再现性优于0.6×10-6. 相似文献
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介绍亚半微米分步重复投影光刻机同轴对准系统的成像机理和工作过程。该系统在掩模和硅片上均刻有对准光栅标记,经光栅衍射后形成干涉信号,使对准信噪比大大提高,并实现了掩和硅片之间的直接对准,同时利用光弹性调制器组件对光学信号进行了光学调制,由 电路实施解调,提供了一种保护高信噪比,交换弱信号探测不对准方案;并通过计算机辅助分析的手段,讨论了SAVART的剪切量、工件台运动速度等对系统输出信号的影响。 相似文献
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对100nm线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴加离轴对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件台模型中,该对准算法模型有一定可行性,能很好地满足100nm线宽对准精度的要求。 相似文献
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介绍亚半微米分步重复投影光刻机同轴对准系统的成像机理和工作过程。该系统在掩模和硅片上均刻有时准光栅标记。经光栅衍射后形成干涉信号,使对准信噪比大大提高,并实现了掩模和硅片之间的直接对准,同时利用光弹性调制器组件对光学信号进行了光学调制,由电路实施解调,提供了一种保持高信噪比,又使弱信号探测不降低精度的对准方案;并通过计算机辅助分析的手段,讨论了SAVART的剪切量、工件台运动速度等对该系统输出信号的影响。 相似文献
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集成电路投影曝光设备中的对准装置包括观察硅片和掩模表面参考标记用的投影透镜系统。硅片上的标记是一组一个方向具有预定周期的周期图形结构;掩模上的标记可以相对于硅片参考标记调整定位。投影系统能通过掩模在硅片表面形成可见光图象。该装置还包括用作探测从硅片表面穿过投影透镜系统的反射光的观察光学系统。该装置还能选择硅片上参考标记图形形成的衍射光的特殊分量,并把这些特殊分量引入观察光学系统。在该套装置的观察光学系统的光瞳附近设置了遮光元件。它是一带状传光孔,在与硅片表面上的周期性参考标记垂直的方向延伸分布。 相似文献
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一种用于微米和亚微米光刻的新对准系统己在日立公司研制成功。该系统使用了氩离子激光和电荷偶合器件(CCD)检测硅片和掩模的相对位置。在硅片分割区域线上的每一个标记都通过缩小物镜直接检测并保持对准状态直至曝光完成。利用掩模上一镀铬面作为安置在掩模下方的检测光学系统的反射器以完成对硅片的直接检测。这种结构能实现轴上TTL对准,即不需移动检测光学系统又不会阻挡曝光光线。 因为氩离子激尤能透过多层介质膜传输,因而被光刻胶覆盖的标记也能检测。硅片标记的激光摆动照明和存贮型光检测器(CCD)使表面粗糙的硅片也能获得高精度检测。 由于氩离子激光器发出的光线通过缩小投影物镜后有色差存在,硅片标记在反射后成像于模掩下方。在使用简单检测光学系统时,这种现象妨碍了硅片和掩模的相对位置检测。然而在掩模上使用双曲线光栅后,这个问题己不复存在。双曲线光栅被氩离子激光照明后在硅片标记图象面上投影出一线形图象,而这条线的位置即表示了模掩的位置。 对多次光刻过的硅片,对准系统获得了优于0.2μm的套刻精度(3σ),稳定度偏离(五天内)优于0.05μm。对准时间大约0.3秒。 相似文献
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立文 《电子工业专用设备》2001,30(4):31-36
随着芯片特征尺寸的减小 ,光刻成像技术的不断提高 ,而关键尺寸 (CDs)的缩小则产生了更为精确的套刻精度。这些套刻精度在已随着工作台技术和对准系统的改进而得到了满足 ,但这些技术的发展还不能与不断提高的套刻精度保持同步 ,因此需要探索控制套刻和对准的新方法。有价值的对准特性信息由曝光设备获得。在片子对准时 ,对片子上的多点位置测量而获得。根据这些测量信息 ,计算出一种对准模型并用于调整曝光图形。之后这种模型再被用于计算曝光过程对准部分的剩余误差 ,并给出对准质量的象征。为满足严格的套刻容差 ,更多的精力应放在这… 相似文献
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Hans Butler 《Mechatronics》2013,23(6):559-565
The wafer stage and reticle stage in a lithographic tool, used to manufacture integrated circuits, operate at nanometer accuracy during a scanning motion. Magnetic interaction with the environment causes disturbance forces that result in a 5 nm moving-average filtered scanning error of the reticle stage.Stage motor magnet interaction with ferromagnetic material in the vicinity causes a position-dependent disturbance force, and eddy currents in electrically conductive metals cause a position-dependent damping force which is proportional with velocity.The total disturbance force can be estimated from control-loop signals, and by moving the stage in both directions both disturbance types can be distinguished from each other and recorded in compensation tables. Applying these tables as a feedforward reduces the scanning position error from 5 nm to 1.8 nm in a production reticle stage system. 相似文献
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Sheng-Wen Shih Tzu-Yi Yu 《IEEE transactions on image processing》2003,12(9):1054-1066
The Crame/spl acute/r-Rao lower bound (CRLB) of image registration error using an isotropic fiducial mark is derived. The derived CRLB is a function of the intensity profile of the fiducial mark. Following the development of the CRLB, a new method for designing an isotropic fiducial mark, suitable for digital image registration, is presented. A parameterization method of the fiducial intensity profile is introduced which guarantees no aliasing effect when the fiducial mark is digitized with the proper sampling rate. A method for computing the fiducial intensity profile, based on minimization of the CRLB registration error, and subject to certain practical constraints, is developed. For imaging systems with a significant low-pass effect, it is proposed to pre-emphasize the high frequency components of the fiducial mark by converting the designed gray-scale fiducial marks into binary fiducial marks. Experimental results show that the designed fiducial mark can provide very accurate registration results and that the registration accuracy is independent of its location. 相似文献